【課題】 絶縁基板上への金属薄膜形成の際に生じるピンホールを効果的に穴埋めできる硫酸銅メッキ浴及びそれを使用したメッキ方法を提供する。
【解決手段】 硫酸銅メッキ浴における組成物の内、硫酸／硫酸銅5水和物の重量比率が０．１以下で、そのメッキ液のＰＨが４．５以下であることを特徴としており、また、その硫酸銅メッキ浴を使用して、絶縁基板上に形成された厚さ１μｍ以下の金属薄膜上又はその金属薄膜上に、感光性樹脂により形成されたパターン状に銅メッキを行うことで前記金属薄膜上に生じるピンホールを効果的に潰す、つまり、穴埋めすることができるメッキ方法である。 （もっと読む）

【課題】多品種、少量生産、生産台数の変動が大きく、製品寿命が短いものを製造する小規模で且つフレキシブルに機能の変更、或いは装置の更新ができる製造ラインに好適な半導体基板製造装置を提供すること。
【解決手段】ロード／アンロード部１２０と、めっき膜成膜ユニット１１３等の複数の処理ユニット、半導体基板をユニット間で搬送する搬送機構（ロボット１３１〜１３４）を備えた半導体基板製造装置において、各ユニットの搭載部分にはガイドを有し、各ユニットはガイドに沿って移動することにより、半導体製造装置へ搭載又は半導体製造装置から取り外し、他のユニットと交換することができるようになっており、半導体製造工程で必要なユニットを自在に組み合わせて半導体製造装置を構成し、また半導体製造装置内の異なる処理を行うユニットどうしの交換をできるようにした。 （もっと読む）

太陽電池の構成及び製造方法を開示する。本発明は、概して、固体部分と有機部分を含む混合物から作られる太陽電池コンタクトを提供するものであって、該太陽電池コンタクトは、該固体部分が、約８５〜約９９重量％の金属成分、及び約１〜約１５重量％の鉛フリーガラス成分を含む。前面コンタクトと裏面コンタクトの両者が開示される。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの印刷が可能で、低温での熱処理で高い導電率が発現し、密着性に優れた樹脂金属複合導電材料を提供する。
【解決手段】液状樹脂３内においてミクロンサイズ金属粒子４の表面にはナノサイズ金属粒子１が吸着しており、そしてミクロンサイズ金属粒子４同士はナノサイズ金属粒子１を介して接触している〔(a)図〕。この樹脂金属複合導電材料を300℃以下の比較的低温にて熱処理を行うと樹脂３a中に金属焼結体２が形成される〔(b)図〕。 （もっと読む）

【課題】半導体の電気メッキ処理において、基板状に形成される導電性シード層の厚さをリアルタイムに測定し、基板状に均一なプロファイルを作り出す方法を提供する。
【解決手段】基板が電解液に接触するときに電気メッキを始めるステップと；その電解液で一連のセル電流分布を測定するステップと；一連のセル電流分布からリアルタイム厚さプロファイルを作成するステップと；そのプロファイルに従い処理パラメータを調整するステップを備える。 （もっと読む）

【課題】微細な形状で基材上に形成され、当該基材からの剥離が抑制された安定な構造の導電パターンを有する電気部品と、当該導電パターンを形成する導電パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】表面が撥液性を有する基材表面に導電パターンを印刷する第１の工程と、前記導電パターンが形成されていない前記基材表面を親液性処理する第２の工程と、前記導電パターンを覆う絶縁層を形成する第３の工程と、を有することを特徴とする導電パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内のめっき液を完全にドレーン排出できるようにするとともに、ウエハの全面を有効利用する。又、常に新鮮なめっき液をウエハ表面に供給できるようにする。
【解決手段】めっき液Ｍを収納するめっき槽１１と、該めっき槽の底部１１ｂの貫通穴に装着された、環状の陰極補助電極ホルダ１２と、該陰極補助電極ホルダに着脱自在に挿着され、その上面に被めっき物の載置部１３ｃを有する被めっき物ホルダ１３と、該被めっき物ホルダの上面側に設けられ、前記載置部上の被めっき物Ｗの下面に当接する陰極１５と、該被めっき物ホルダの位置決め手段１２ｄ、１３ｄと、ウエハ上を往復動するパドル２３と、陰極と間隔をおいて対向する陽極とを備えている。ウエハの上面と陰極補助電極、陰極補助電極ホルダ、底部の各上面１７c、１２c、１１cは同一平面を形成し、めっき終了後めっき槽底部からめっき液を排出すると、めっき液は完全にドレーン排出される。 （もっと読む）

【課題】 膜パターン上をより緻密なバリアメタル層で覆うことにより、金属元素が拡散することを防止した、導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に、第１の材料Ｍ１と第２の材料Ｍ２とを積層しバンク膜Ｍを形成し、バンク膜Ｍをパターニングして、第１のバンクＢ１と第２のバンクＢ２とが積層されてなるバンクＢを形成する。そして、バンクＢによって区画されたパターン形成領域ＡＲに、機能液Ｌを配置して、第１のバンクＢ１の高さ以下の膜厚を有した膜パターンＦ１を形成する。その後、膜パターンＦ１、及びバンクＢの上面を含む基板Ｐの全面に、バリアメタル層Ｆ２を成膜する。バリアメタル層Ｆ２の成膜後、リフトオフ法により、第２のバンクＢ２とともに第２のバンクＢ２上のバリアメタル層Ｆ２を除去し、導電膜パターンＦを形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂフリーのシステムを提供し、かつ電気性能およびはんだ接着性を維持する半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供する。
【解決手段】導電性銀粉末と、亜鉛含有添加剤と、鉛フリーであるガラスフリットとが、有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物。さらに、上記組成物から形成された電極であって、有機分散媒を除去しかつ前記ガラス粒子を焼結して前記組成物が焼成された電極を、対象とする。さらに、ｐ−ｎ接合を有する半導体と、この半導体の主要面上に形成された絶縁膜とからなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法を対象とし、この方法は、絶縁膜上に、厚膜組成物を付着させるステップと、前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含む。上記詳述された方法によって形成された半導体デバイスと、厚膜導電性組成物から形成された半導体デバイスとを対象とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上の導電層を取り除く従来の方法は、化学的機械研磨（ＣＭＰ）を含むが、ＣＭＰは半導体構造に対して有害な作用を与える可能性がある。これに対し電気研磨および／または電気めっきプロセスを使用して金属層を取り除きまたは溶着する装置および方法を提供する。
【解決手段】１つの例示的な装置が、ウェーハの斜面部分すなわち縁部部分上の金属残留物を取り除くための縁部クリーニングアセンブリを有するクリーニングモジュールを含む。この縁部クリーニング装置は、ウェーハの主表面に液体と気体を供給するように構成されているノズルヘッドを含み、および、ウェーハ上に形成されている金属薄膜に対して液体が半径方向内方に流れる可能性を低減させるように、液体が供給される位置の半径方向内方に気体を供給する。 （もっと読む）