【課題】 電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用純銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供することを課題とする。
【解決手段】 電気銅めっきを行うに際し、アノードとして純銅を使用し、前記純銅アノードの結晶粒径を１０μｍ以下若しくは６０μｍ以上又は未再結晶であるアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０の一方の面１０ａに少なくとも孔１０ｂを形成する工程と、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上と、孔１０ｂの内面上とに、めっき給電層１４を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層１４を介して、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上に形成され、かつ孔１０ｂを埋め込む金属層１８を形成する工程と、金属層１８を研磨することにより、孔１０ｂに金属層１８が埋め込まれた金属層のパターン１７ａ，１７ｂを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。 （もっと読む）

【目的】 導体部41とその側面を覆う絶縁部33a とを有する配線構造であって導体部および絶縁部41,33aの密着性が良い配線構造を形成する方法を提供する。
【構成】 下地31上に絶縁部形成用の絶縁層例えばポリイミド層を形成し、次にこの絶縁層の導体部形成予定領域を選択的に除去して絶縁部33a を形成する。該絶縁部33a の形成が済んだ下地上全面に、前記絶縁部と後に形成される導体部との密着性を確保でき、かつ、電解めっきの際の電流供給用薄膜として使用される薄膜37例えばチタン膜および白金膜をこの順に積層し薄膜37を形成する。該薄膜37の、導体部形成予定領域に対応する部分以外の部分を、絶縁性材料例えばホトマスク39で覆う。絶縁性材料39による被覆が済んだ試料にめっき例えば金めっきを施して導体部41を形成する。 （もっと読む）

【目的】メッキ技術を用いて配線を絶縁膜中に埋め込み形成し、これにより回路の平坦化をはかり、配線の多層化による高性能、かつ小形の通信用混成ＩＣ等の半導体集積回路、デジタル集積回路等の配線構造体の製作方法を提供する。
【構成】通信用混成ＧaＡsＩＣ等の半導体集積回路の配線において、絶縁膜中に、この絶縁膜とほぼ同等の厚みを持つ電導体膜をメッキ法により形成することにより、微細な線状配線と平板状配線とを共に絶縁膜中に埋め込み形成する配線構造体の製作方法。
【効果】回路の平坦性が向上し、配線の多層化により集積回路の高密度化および小形化を実現することができる。また、ＦＥＴゲート部などの微細な部分に低抵抗の配線を行い、素子特性の向上がはかられる。 （もっと読む）