国際特許分類[H01L21/288]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造 (9,571) | 電極用の導電または絶縁材料の析出 (3,372) | 液体からの析出,例.電解液からの析出 (1,357)
国際特許分類[H01L21/288]に分類される特許
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基板処理方法
【課題】 溝パターン内への絶縁層や配線層等の埋め込みを簡易に行うことができ、工程短縮やコスト低減をはかる。
【解決手段】 基板10の表面に形成された溝内に溶媒を埋め込むための基板処理方法であって、基板10の表面上に溶媒42を供給しながら、基板10の表面に弾性材料で形成された溶媒保持材22を接触させた状態で、基板10の表面と溶媒保持材22とが摺動するように、基板10及び前記溶媒保持材22をそれぞれ回転させる。
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半導体装置の製造方法
【課題】電気めっき装置のハードウェアトラブルを低減しながら、銅めっき膜の均一性を保つ。
【解決手段】自動分析器14は、電極16,17間に印加されている電圧を検出し、その電圧値が設定電圧範囲内であるか否かを判断する。検出した電圧値が、設定電圧範囲の下限値よりも低い場合、自動分析器14は、検出した電圧値に基づいて、基本液の不足量を算出し、バルブ11を制御して不足分の基本液を補充した後、めっき液タンク6内のめっき液が規定量を保つようにバルブ13の動作制御を行い、めっき液を廃液する。また、検出した電圧値が設定電圧範囲の上限値よりも高い場合、検出した電圧値に基づいて基本液の超過量を算出し、バルブ12を制御して基本液の濃度が規定範囲内となるように純水をめっき液タンク6に補充してめっき液を薄めた後、バルブ13を制御して規定量を保つようめっき液を廃液する。
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膜の形成方法および形成装置
【課題】プラスチック基板上に塗布印刷を用いて所望の特性を有する膜を形成することができる膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に塗布組成物を塗布した塗布膜からなるパターンが形成された部材を作製する工程1、部材に超音波を照射して塗布膜の乾燥および/または改質を行う工程2を備え、溶液状態の塗布膜に化学作用を及ぼして、デバイスに用いられる配線膜、電極膜、絶縁膜などの所定の膜を形成する。
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導電性組成物、太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
【課題】良好な半田密着性を有しつつ、低コスト化が実現された導電性組成物を提供する。
【解決手段】導電性粒子(A)、半田粉(B)、溶剤(C)を含有し、上記導電性粒子(A)の25〜100質量%が、銀コート金属粉(a)であり、上記半田粉(B)の含有量が、上記導電性粒子(A)100質量部に対して1〜100質量部である、導電性組成物。
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有機半導体素子用電極及びその製造方法
【課題】電界効果移動度が十分な有機半導体素子を安価に製造することができる有機半導体素子用電極、及びかかる有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基板1上に、酸化グラフェンナノリボンを含有するインクをインクジェット法により塗布し、前記インクが含有する前記酸化グラフェンナノリボンを還元して、グラフェンナノリボンを含有する薄膜とすることにより形成される有機半導体素子用電極5、6。
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太陽電池
【課題】光電変換層と、反射防止層と、複数の導電通路と、を備える太陽電池である。
【解決手段】反射防止層は、光電変換層に位置する。導電通路は、光電変換層に電気的に接続されるように反射防止層に形成され、その材質として導電性ペーストと、その外観色を反射防止層の色と同じにするための着色料と、を含む。
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導電性ペースト、半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法
【課題】焼成後の電極の収縮による電極端部からのめくれの発生を抑止して、半導体装置を高い製造効率で製造することを可能とする導電性ペースト、半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の導電性粒子からなる導電性粉末と、複数の銀粒子からなる銀粉末とを含む導電性ペーストであって、導電性粒子は、セラミックスからなる基材と、基材の外表面の少なくとも一部を被覆する導電層とを有しており、導電性粒子全体の質量に対する導電層の質量の割合が10質量%以上であって、導電性粉末と銀粉末との合計質量に対する導電性粉末の質量の割合が25質量%以下である導電性ペースト、それを用いて作製される半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法である。
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パターン形成装置、パターン形成方法及びパターン形成基板の製造方法
【課題】ビアホール、コンタクトホール、スルーホール等の穴部の内面のみを改質して、穴部に導体を形成する。
【解決手段】基板100には、上面100aの開口から下面100bの開口に向かうにつれて直径が増加しているビアホール110が設けられている。基板100の下面には、表面に微小な凹凸形状が形成された光反射用基板46が配置される。照射部40からビアホール110にレーザ光Lが照射されると、ビアホール110の開口部から入射したレーザ光は、基板100の下面に配置された光反射用基板46の表面によって散乱反射される。このレーザ光Lの反射光は、ビアホール110の内面110aに照射され、内面110aが表面改質される。
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デバイス製造方法
【課題】 ノズルから吐出された液滴に変質等が生じないように吐出空間の雰囲気を置換することが可能なデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 デバイスの製造方法は、基板をチャンバ内に搬入して載置台に載置する工程と、待機位置において封止部材により液滴吐出ノズルを隔離した状態で、チャンバの内部を減圧する減圧工程と、ガス供給機構からチャンバ内にパージガスを導入してチャンバ内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、封止部材による液滴吐出ノズルの隔離を解除し、液滴吐出ノズルを吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程とを含む。
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めっき装置
【課題】角形基板のめっき処理にカップ方式のめっき法を使っても、均一なめっき厚さを得ることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】本発明のめっき装置100は、底面にめっき液噴出口130が形成されためっき槽110と、めっき液噴出口130の上部に位置し、スリット155が形成された陽極部150と、めっき槽110の上部に位置する陰極部120とを含む。
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