【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を保持して回転させる基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、吐出機構２１にめっき液を供給するめっき液供給機構３０と、基板回転保持機構１１０およびめっき液供給機構３０を制御する制御機構１６０と、を備えている。吐出機構２１は、基板２に向けてめっき液を吐出する吐出口４１を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の吐出口よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有している。まためっき液供給機構３０は、第１ノズル４０に供給されるめっき液の温度が第２ノズル４５に供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】特殊な環境が不要で短時間且つ低コストでニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造することができるニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法、ニッケル酸ランタン膜の製造方法、及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子３００（アクチュエーター）は、絶縁体膜５５上に、第１電極６０と、第１電極６０の上方に設けられて厚さが３μｍ以下、好ましくは０．３〜１．５μｍの薄膜である圧電体層７０と、圧電体層７０の上方に設けられた第２電極８０とが、積層形成される。圧電膜７０であるニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、ランタンアセチルアセトナート、ニッケルアセチルアセトナート、酢酸、及び水を混合して混合溶液を得た後、混合溶液を加熱する。 （もっと読む）

【課題】金属粒子の焼結体から構成された導電体を微細化された電極・配線とした場合でも腐蝕やマイグレーションの発生を長期間防止可能な電極・配線用導電体を提供する。
【解決手段】金属粒子の焼結体から構成された導電体薄膜上に、下記一般式(1)で表されるチオール化合物または下記一般式(2)で表されるスルフィド化合物から選択される少なくともいずれか一種の化合物を含有する金属イオン移動防止膜を設け、且つ、前記金属イオン移動防止膜中に凝集体構造が含まれてなる電極・配線用導電体とする。
Ａｒ−ＳＨ…(1)［式(1)中、Arはベンゼン環を示し、置換基を有していてもよい。］
(Ａ−Ｒ’−Ｏ−Ｒ−Ｓ)_２…(2)［式(2)中、R’、Rはアルキレン基を示し、Aはフルオロアルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】液体に対し金属膜の表面の濡れ性を改質し、金属表面と液体との接触角を増加させて液体の濡れ広がりを抑制し、信頼性の高い機能膜を低コストで実現すること。
【解決手段】基材１の平板面１ａに金属膜２を形成する（金属膜形成工程）。次いで、金属膜２の表面２ａに機能材料を含有する液体３を付与し、液体３を固化させて機能膜３Ａを形成する（機能膜形成工程）。金属膜形成工程では、平板面１ａに対する成膜入射角αが５°以上１５°以下となる条件で平板面１ａに金属を真空蒸着し、金属膜２を平板面１ａに対して２０°以上４５°以下に傾斜する柱状結晶構造に形成する。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法によるＣｕ膜の確実に析出させる。
【解決手段】抑制剤と促進剤を添加しためっき液とシリコン基板の相対速度が１００ｍ／分以上になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板をめっき槽に浸漬させる。抑制剤の分子がシード層の表面に吸着し、シード溶解が抑制される。導電膜を成長させるときは、シリコン基板とめっき液の相対速度が３０ｍ／分以下になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板とアノード電極の間に通電する。ボトムアップ成長が促進され、配線溝内での空孔の形成が防止される。 （もっと読む）

【課題】大きい仕事関数および高い電気伝導度を有する電極を具備した電子素子を提供する。
【解決手段】０．１Ｓ／ｃｍ以上の電気伝導度を有する導電性物質および低表面エネルギー物質を含み、第１面と、前記第１面に対向する第２面と、を有し、前記第２面の低表面エネルギー物質の濃度が、前記第１面の低表面エネルギー物質の濃度より高く、前記第２面の仕事関数が５．０ｅＶ以上であり、かつ前記第２面の電気伝導度が１Ｓ／ｃｍ以上である大きい仕事関数および高い電気伝導度を有する電極、を具備した電子素子である。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチ発生の可能性を軽減させた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜の形成後、シード膜の形成の前に配線パターンの形成を行う。次いで、シード膜の形成後、配線パターン用レジストの剥離を行う。次いで、メッキマスクレジストの形成を行なったのち、半導体基板の表面からのメッキ電流により、ウエットエッチング工法を行うこと無く、配線パターンの形成を行う。 （もっと読む）

【課題】基板表面に塗布液を塗布して硬化させることにより基板表面に所定のパターンを形成するパターン形成技術において、パターンのさらなる微細化・高アスペクト化を可能とする技術を提供する。
【解決手段】吐出ノズル５２３から基板Ｗに吐出される隔壁形成用塗布液の側面部に対して集中的に、ライトガイド５３３の下端に設けたレンズ５３４で収束された光を照射する。塗布液の側面部が他の部分に先んじて硬化することで、表面張力によって表面が丸くなったり塗布液が広がるのを抑制することができるため、薄く均一で側面部が急峻に立ち上がる隔壁Ｂを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】接合深さが浅く、かつ、高ドーズの拡散層を形成するとともに、浅い食い込みでファイアスルーを行うことで、高効率の太陽電池を製造する方法を提供すること。
【解決手段】リンを含むプラズマを基板に照射して半導体基板にｐｎ接合を形成した後、基板の表面にシリコン窒化膜を形成する。次いで、導電性ペースト塗布膜を形成、乾燥させ、ＩＣＰトーチユニットを用いて加熱し焼成する。ＩＣＰトーチユニットにおいて、全体としてコイルをなす銅棒が、石英ブロックに設けられた銅棒挿入穴内に配置され、石英ブロックは、銅棒挿入穴及び冷却水配管内を流れる水によって冷却される。ＩＣＰトーチユニットの最下部にプラズマ噴出口が設けられる。長尺チャンバ内部の空間にガスを供給しつつ、銅棒に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間にプラズマを発生させ、基材に照射する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の形成位置について、別途精密な制御を必要とすることなく、高精細なパターニングが行われた有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ソース電極１、ドレイン電極２、ゲート電極３、有機半導体層４及びゲート絶縁膜５を備え前記ソース電極１及び前記ドレイン電極２の表面エネルギーが、いずれも30mN／m以下であることを特徴とする。 （もっと読む）