【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびＰＮ接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり；前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ；並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 （もっと読む）

【課題】めっき後に細線乃至小ドットの金属パターンを高解像度で形成できる金属パターン材料及び金属パターン材料の製造方法の提供。
【解決手段】特定のめっき形成用光感応材料を６μｍ未満のピッチで露光する際に、６μｍピッチ露光時の最適パワーに対し、１００％未満であり、かつ〔（ピッチ（μｍ）×７５／６＋２５）−３０〕〜〔（ピッチ（μｍ）×７５／６＋２５）＋１５〕％のレーザーパワーで露光する露光工程と、露光後のめっき形成用光感応材料を現像液で現像する現像工程と、現像後のパターンが形成されためっき形成用光感応材料を、めっき浴比が１０未満でめっきを行うめっき工程とを含む金属パターン材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ウェハの周縁部で膜を正常に成長させることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽2内部に取り付けられた第１電極６と、めっき槽2の側壁5cにおいて、環状のフランジ7cを介してめっき槽2の内から外に向けて直径の小さい順に隣接する環状の第１、第２の開口部7a,7bと、第２の開口部7b内でフランジ7cの上に取り付けられるシールパッキン8と、シールパッキン8の上に、第２の開口部7bの内壁から離れて取り付けられる環状の第２の電極9と、第２の電極9に対向する位置に周縁を有するウェハ保持領域11xを有する第２の開口部7bよりも大きなウェハステージ11と、ウェハステージ11のウェハ保持領域11xの周囲の領域に形成され、シールパッキン8に一端が向けられる加圧用ホール11iと、ウェハステージ11を移動してめっき槽2の側壁5cに押し当てて前記第２の開口部7bを閉塞させる駆動部13とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板に定形された形態部の内部に、表面が平坦化された導電性材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】平坦化表面を形成する方法であって、狭小形態部と幅広形態部が形成された基板上に、第１のプロセスでは電気めっき法により狭小形態部および幅広形態部の少なくとも一部を充填し、第１の層を形成し、第２のプロセスでは無電解めっき法により幅広形態部のに対応する第１の層中の孔および第１の層上に第２の層を充填形成し、表面が平坦な上層部１１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】２種類以上のめっきを同一の感光性材料を用いて選択的に成膜する場合、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】この製造装置は、表面に絶縁膜３３０が形成された半導体ウェハ２００表面
を第１のめっき液を用いてめっき処理する第１のめっき処理槽と、半導体ウェハ２００表
面を第２のめっき液を用いてめっき処理する第２のめっき処理槽と、を備える。第１のめ
っき処理槽には、半導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_１であり、かつ絶縁
膜３３０との接触幅がｗ_１の第１のシール３２０が設けられ、第２のめっき処理槽には半
導体ウェハ２００の表面と重なる部分の長さがｄ_２であり、かつ絶縁膜３３０との接触幅
がｗ_２の第２のシール３４０が設けられ、第１のシール３２０と第２のシール３４０の間
には、ｄ_２＜ｄ_１−ｗ_１の関係が成り立っている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一表面上に絶縁膜を介して形成された導電層と、半導体基板の他面上に形成されたバンプ部と、導電層とバンプ部とを接続する半導体基板を貫通する貫通電極部とを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の他面側から導電層に接続する貫通孔を形成し、貫通孔及び他面上にメタル膜（バリアメタル及びシードメタル）６を形成し、その上にフォトレジスト１０を形成し、貫通孔より大きなパターンに加工してメッキマスク層を形成し、電解メッキ法により銅からなる第１メッキ膜７を形成して、貫通電極部と第１バンプ部を形成し、第１バンプ部上に第２バンプ部となる第２メッキ膜８を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造時間とコストの大幅な削減が可能な下地導電層付き基板および貫通電極基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ方向に複数の貫通孔２を有するガラス基板３の貫通孔２内に下地導電層４を有する基板の製造方法であって、前記ガラス基板３の貫通孔２内に、金属粒子と分散媒とを含有する流動性の導電性組成物（金属インク）の層を形成する工程と、この導電性組成物の層を加熱して、貫通孔２の内壁面に金属粒子の金属を主体とする下地導電層４を形成する工程とを備える方法である。貫通電極基板５の製造方法は、こうして形成された下地導電層４上に電解めっき等により導電性金属の層を形成して、貫通孔２内に充填された貫通電極６を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】焼成時における銅の酸化が抑制され、良好なオーミックコンタクトを有する銅含有電極がシリコンを含む基板上に形成された素子及び該素子を構成するのに好適な電極用ペースト組成物を提供する。
【解決手段】シリコンを含む基板と、前記基板上に配置された電極とを有し、前記電極は、銅含有粒子、ガラス粒子、溶剤及び樹脂を含む電極用ペースト組成物の焼物であり、体積抵抗率が１×１０^−４Ω・ｃｍ以下である素子である。また電極用ペースト組成物に、リン含有銅合金粒子、錫含有粒子、ガラス粒子、溶剤及び樹脂を含ませ、２５℃における粘度が８０Ｐａ・ｓ〜１０００Ｐａ・ｓの範囲であるように構成する。さらにまた電極用ペースト組成物に、リン含有銅合金粒子、錫含有粒子、ガラス粒子、溶剤及び樹脂を含ませ、固形分濃度が７０質量％〜９８質量％の範囲であるように構成する （もっと読む）

【課題】貫通ビア電極を形成する際に処理温度が高くなく且つ低コストで、バリア層を均一に、且つ高い密着強度で製造する。
【解決手段】シリコン基板１０の厚さ方向に形成された高アスペクト比の、貫通ビア電極形成用の孔１２の内周面に、自己組織化単分子膜２４を形成し、これに、金属ナノ粒子１４を、高密度で吸着させて、この金属ナノ粒子１４を触媒として、バリア層を無電解めっきにより形成し、バリア層の上にシード層を無電解めっきにより形成し、次に、貫通ビア電極材を電解めっきにより堆積して、孔１２を埋めて、貫通ビア電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の成膜が進んでも、被めっき面の表面電位と所望する表面電位との誤差が生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板１に形成されたシード膜２０を、めっき液３２に接触させる工程と、シード膜２０にカソード電極５４を接続し、シード膜２０とめっき液３２中のアノード電極４０との間で電流を流すことにより、シード膜２０上にめっき膜２２を形成する工程と、を備え、めっき膜２２を形成する工程において、めっき液２０中に挿入された参照電極３４とカソード電極５４との間の電位差、またはカソード電極５４とアノード電極４０の電位差を、時間の経過と共に徐々に下げる工程を有する。 （もっと読む）