【課題】薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第１方向に形成された少なくとも１本のゲートラインを含むゲート１１と、ゲート上に形成されたゲート絶縁層１２と、ゲート絶縁層１２上に形成された少なくとも１つのソース１３及びドレイン１４と、を含み、ソース１３及びドレイン１４のうち少なくともいずれか一つは、延長部分１３ｂ、１４ｂを含み、延長部分１３ｂ、１４ｂは、少なくとも１本のゲートラインと平行するように、第１方向に形成される。ゲート１１は、ライン状に均一厚を有し、その側面と上面との間に曲面を含み、１本または２本以上のゲートラインを含む形態となる。 （もっと読む）

【課題】配線溝へのめっきの埋め込み性を安定させることができる半導体装置の製造方法等を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、めっき処理によって金属膜を埋め込んで検査パターン１０を形成する形成工程と、検査パターン１０の特性を検出する検出工程と、検出工程によって検出された検査パターン１０の特性に基づいて、前記めっき処理の条件を調整する調整工程とを含む。前記形成工程は、３層以上の配線層１１〜１３に亘って形成され、かつ中間層にスタックドビア２２を有するパターンを、前記検査パターン１０として形成する。 （もっと読む）

【課題】高縦横比のビアホールを埋め込むのに好適な銅めっき溶液および銅めっき方法を提供する。
【解決手段】シード層を有する基板を浸漬し、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第１添加剤、第２添加剤、および第３添加剤を含み、前記第１添加剤は、化学式１に示す化合物である銅めっき溶液を用いて銅めっきを行う。


（式中、Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ｍは、平均重合度であり６〜１４の実数である。） （もっと読む）

【解決手段】硬化性オルガノポリシロキサンと硬化剤とを含有するシリコーンゴム組成物に、最大粒径が１μｍ未満の導電性微粒子を配合してなることを特徴とする導電性パターン形成用組成物。
【効果】本発明の導電性パターン形成用組成物を用いることによって、インクジェット法やスタンプ法のような印刷方法により半導体基板上に微細な導電性パターンを塗布描画することができ、描画された回路を、組成物中に含まれる硬化剤によって架橋形成してゴム化することで、応力耐性を持つ導電性回路とすることができる。これにより、導電性回路の微細化が可能となると共に、信頼性の高い半導体回路を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成に時間を要さず、貫通電極内でのボイドの発生を抑制できる半導体装置、およびこの半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、孔１１１が形成された絶縁性あるいは半導体の層１１と、層１１の孔１１１内に設けられた貫通電極１２と、を備える。貫通電極１２は、シード層１２１と、めっき層１２２と、を備える。シード層１２１は、孔１１１の底面１１１Ａを覆う。また、シード層１２１は、孔１１１の側面１１１Ｂのうち、孔１１１の開口から、孔１１１の開口と孔１１１の底面１１１Ａとの間の所定の位置までの第１の領域を未被覆とし、この第１の領域（未被覆領域）１１１Ｂ１を除いた第二の領域を被覆している。めっき層１２２は、シード層１２１と、未被覆領域１１１Ｂ１の少なくとも一部を覆う。 （もっと読む）

【課題】めっき膜厚の制御を精度よく行う。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられた複数の凹部をめっき処理により導電性材料で埋め込むめっき工程を含む半導体装置の製造方法において、めっき工程は、複数の凹部のうち所定幅以下の微細な凹部が導電性材料で埋め込まれる際に、所定の第１の基準電流密度を半導体基板全面における各複数の凹部の側壁の面積を含む第１の表面積Ｓ_１と各複数の凹部の側壁の面積を含まない第２の表面積Ｓ_２との表面積比Ｓｒ＝Ｓ_１／Ｓ_２に基づき補正した第１の電流密度でめっき処理を行う工程（Ｓ１０４）を含む。 （もっと読む）

【課題】下地にダメージを与えず、また、電極材料のゴミの再付着も防止される配線又は電極の形成方法と、この配線又は電極の形成方法により配線又は電極を形成する電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地２上に第１のレジスト層１を形成し、開口部５を形成し、導電材料層３を成膜する。導電材料層３の全体を覆う第２のレジスト層４を形成し、該開口部５以外の導電材料層３上の第２のレジスト層４を除去することにより、該開口部５の導電材料層３を覆う保護レジスト層４’を形成する。該保護レジスト層４’で覆われていない導電材料層３を除去し、次いで保護レジスト層１，４’を除去することにより、残留した導電材料３よりなる配線又は電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】噴出される流体の原料の利用効率の向上を図る。
【解決手段】噴出口１３から噴出領域に流体２０を噴出するスプレーノズル１０と、噴出口１３が挿入される開口部３１を有し、噴出口１３からスプレーノズル１０側とその反対側の噴出領域側とを仕切る仕切板３０と、仕切板３０の開口部３１の近傍から噴出領域側に向けて、スプレーノズル１０の軸方向に対して所定の角度で延設される側壁板４０とを備える。側壁板４０は、仕切板３０および側壁板４０を配置していない状態におけるスプレーノズルの集束前噴出領域の外側に配置される。スプレーノズル１０から流体２０を噴出させた際に、側壁板４０と対向する側から集束前噴出領域に外気が流入することにより、噴出領域が側壁板４０側に集束する。 （もっと読む）

【課題】画像表示装置の配線等として用いられる銅導電膜を形成する際に、生産性を大きく低下させることなく、段差構造体の最大線幅が最小線幅に対して４倍以上である場合においても均一なめっき高さでめっきを行ない、段差構造体間での抵抗ばらつきの小さい銅配線パターンを容易に形成できるようにする。
【解決手段】基材上に並列配置され、かつ最大線幅が最小線幅の４倍以上である複数の段差構造体を横断被覆する銅導電膜４の形成において、電解めっき液の液導電率を６０Ｓ／ｍ以上とし、かつ銅導電膜４の膜厚を段差構造体の最大高さに対して２倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】有機電界効果トランジスタにおけるビア形成を、低コストで効率的なプロセスで実現する。
【解決手段】誘電層１０６内にビア１１３を形成する際、まず各ビア位置にパターン化された導電材よりなるポストを印刷し、次にパターン化されていない誘電層１０６を堆積させ、次に第２のパターン化された導電層を堆積させる。ビア１１３は、誘電層１０６を堆積した後、第２の導電層を堆積する前に、ポストをフラッシュアニールすることにより形成される。 （もっと読む）