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国際特許分類[H01L21/302]の内容

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【課題】高品質な製品を出荷するために必要な高感度化学分析による金属不純物評価を行うために重要なシリコン基板のエッチングにおいて、シリコン基板以外が発生源となる金属不純物の絶対量を従来に比べて低くすることができるシリコン基板のエッチング方法と、それを利用したシリコン基板の不純物分析方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板のエッチング方法であって、フッ酸と硝酸と酢酸の混合液にキャリアガスをバブリングし、該バブリングによって発生した酸蒸気を含むエッチングガスを、前記シリコン基板を格納した容器内に導入するか又は前記シリコン基板表面に直接吹きつけることによって、前記シリコン基板の表面をエッチングすることを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。 (もっと読む)


発光素子と該発光素子を作製する方法とを開示する。発光素子は、p型半導体層とn型半導体層との間に挟装された活性層を含む。活性層は、内部で、p型半導体層からの正孔がn型半導体層からの電子と結合するときに光を放出する。活性層は、複数の副層を含み、かつ複数の副層の側面がp型半導体材料と接触する複数のピットを有し、それにより、p型半導体材料からの正孔が、露出した側面を通ってそれらの副層内に、別の副層を通過することなく注入される。n型半導体層における転位を利用することと、部分的に製作された素子を取り除くことなく、半導体層を堆積させるために用いたものと同じチャンバー内で、エッチング雰囲気を用いて活性層をエッチングすることとにより、ピットを形成することができる。 (もっと読む)


【課題】加速イオンを用いた低温プラズマ浸漬イオンにより様々な試片を加工処理する装置と方法を提供する。
【解決手段】本発明によるプラズマ浸漬イオンを用いた加工装置は、チャンバ内部に円筒形加工物が載置されると共に円筒形加工物の周囲を低温プラズマが囲むようになり、多重スロットを有する抽出電極を含む加工物蓋が円筒形加工物の周囲を覆ってプラズマから分離させ、スパッタリングを誘発するに十分な負電位が円筒形加工物と加工物蓋の抽出電極に付加されることにより、プラズマから出てきたイオンが抽出電極とプラズマとの間に形成されたシース内で加速され、抽出電極のスロットを通過して円筒形加工物に衝突して円筒形加工物の表面粗さを減少させる方式で行われ、本発明による加工装置及び方法は、大面積の円筒形基板、特に、マイクロまたはナノパターン転写技術のための基板表面を数nmの表面粗さにする効果があり、単一または多重チャンバ内でプラズマ洗浄、表面活性、表面研磨、乾式エッチング、蒸着、プラズマ浸漬イオンの注入及び蒸着などの工程を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェーハの製造工程において、シリコンウェーハ表面に粗研磨を施した後に仕上研磨を施すに際し、粗研磨後のウェーハ表面の平坦度を仕上研磨前に事前に改善し、仕上研磨後のウェーハの表面特性を安定して確保することができる仕上研磨前シリコンウェーハの表面平坦化方法およびその表面平坦化装置を提供する。
【解決手段】仕上研磨を施す前に、平坦度測定工程(ステップ#42)にて、ウェーハ表面の平坦度を測定し、その表面に同心状に分布する凸領域を特定した後、凸領域除去工程(ステップ#44)にて、ウェーハの径方向で凸領域を覆うカップ部材を配置するとともに、ウェーハをウェーハ中心回りに回転させながら、カップ部材内にオゾンガスとフッ化水素蒸気の混合ガスを導入し、凸領域を混合ガスとの化学反応によってエッチング除去する。 (もっと読む)


【課題】 エッチング量の精度を高めることのできる半導体装置の製造方法および製造装置を実現する。
【解決手段】 製造装置30の反応室31は、仕切り部材50によって第1反応室31aおよび第2反応室31bに区画されており、両反応室は非連通状態になっている。第1反応室31aにはSOI基板S3が第2反応室31bにはSOI基板S1がそれぞれ配置される。従って、フッ酸と酸化シリコンとの反応によって一方のSOI基板から生成されたHOが他方のSOI基板に吸着し、その吸着したHOがフッ酸と反応することにより、埋込み酸化膜43が過度にエッチングされるおそれがない。 (もっと読む)


II−VI及びIII−V半導体などの半導体材料を異方的にエッチングする方法が提供される。本方法は、エッチングマスクを通した非反応性ガスによる半導体材料のプラズマスパッタエッチングと、その後に続く、ポリマーフォーマーを使用したプラズマ重合による側壁の不動態化の繰り返しサイクルを含む。この手順を用いて、下方変換発光ダイオードデバイスの微細な画素を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。
【解決手段】加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス(任意選択)とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。ビームは、ビームを照射した領域にだけ膜を付着させ、または、ビームを照射した領域の膜だけをエッチングする。純化化合物は炭素などの不純物を、膜成長中に除去し、あるいは、エッチングされた材料の酸化を抑制する。付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長/エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜を加工する際に生じるダメージを少なくし、前記のダメージを受けたことにより磁気特性に劣化が生じることを防止でき、高品質な磁気抵抗効果素子を製造することに適した磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜が形成された基板に対して反応性イオンエッチングにより多層磁性膜を加工する工程を含んでいる磁気抵抗効果素子の製造方法において、反応性イオンエッチングが行われた多層磁性膜に対してイオンビーム照射する工程を含む磁気抵抗効果素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】被処理物の表面処理量を微小にする
【解決手段】拡散室画成部30の拡散室33を漏出口35を介して処理空間10aに連ねる。好ましくは、隔壁15で拡散室33を処理空間10aから隔て、かつ隔壁15に漏出口35を設ける。処理ガスの導入路29の導入口25を拡散室33内に開口させる。好ましくは、漏出口35を、ガス導入方向25に沿ってまっすぐ下流側の位置Pからずらし、より好ましくは、隔壁15と交差する内壁17の一箇所が上記位置Pになるようにする。す。排気路49の排気口41を拡散室33内に開口させる。好ましくは、排気口41を拡散室33における漏出口35の側とは反対側に設ける。 (もっと読む)


二フッ化キセノン(XeF)を用いてシリコンをエッチングするときに、周囲の材料に対して改良された選択性を提供する、マイクロ構造等をエッチングする方法および装置。エッチング選択性は、プロセスチャンバへの水素の追加によって、非常に強化される。 (もっと読む)


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