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国際特許分類[H01L21/302]の内容

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国際特許分類[H01L21/302]に分類される特許

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【課題】 シリコン酸化物加工方法に関し、有害物質を用いることなく且つ加工屑を発生させることなく、シリコン酸化物の微細加工を可能にする。
【解決手段】 シリコン酸化物からなる被加工物上に水素と6個以上の炭素を含む有機化合物を供給しながら、エネルギビームを照射して、照射部位における前記シリコン酸化物をシリコン含有炭素化合物に変換し、前記変換したシリコン含有炭素化合物をハロゲンを含まない雰囲気中で化学反応により除去する。 (もっと読む)


【課題】大気圧下での基板のエッチングにおいて、反応室内でClFなどプロセスガスによるエッチングとNガスなどによる基板冷却同時に実現可能とすること。
【解決手段】大気圧下でのエッチング処理において、基板裏面側にベルヌーイチャックで保持し、このベルヌーイチャックに冷却ガスを供給することによって基板裏面を冷却しながら、基板表面をプロセスガスによってエッチングする。
本構成によって、プロセスガスによるエッチングと冷却ガスによる基板冷却を同時に実現することができる。 (もっと読む)


【課題】装置保守によって装置状態が大きく変わった場合に、その装置状態に適合するモデルを短時間で導出する手法を提供することを目的とする。
【解決手段】実績データの加工量と、この時の加工条件とを用いて加工量予測重回帰式を調整し、
得られた加工量予測重回帰式を用いて、加工対象の加工目標値と加工量予測重回帰式に含まれる加工条件以外の説明因子とから加工条件を算出する手段を備え、
得られた加工条件で加工することを特徴とする加工装置。 (もっと読む)


【課題】精密なテクスチャを有するテクスチャ形成面を有するシリコン基板を提供することを目的とする。
【解決手段】テクスチャ形成面を有するシリコン基板において、前記テクスチャ形成面には、複数の第一の凹凸と、前記第一の凹凸のそれぞれに形成された複数の第二の凹凸とが形成されており、前記第一の凹凸の頂点同士の間隔は3〜20μmであるシリコン基板を提供する。このようなシリコン基板は、好ましくは、前記シリコン基板の表面に複数の第一の凹凸を形成し;前記複数の第一の凹凸を形成されたシリコン基板の表面にエッチングガスを吹き付けて、前記第一の凹凸のそれぞれに、複数の第二の凹凸を形成して製造される。ここで、前記エッチングガスには、ClF,XeF,BrF,BrFおよびNFからなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ端面に形成された余分な酸化膜を気相エッチングにより除去する際に、エッチングガスの使用量を最小限に抑え、かつ均一な除去を行うことができる半導体ウェーハの酸化膜除去方法を提供する。
【解決手段】気相エッチング装置10のステージ13上に、酸化膜32が形成された半導体ウェーハ31の裏面を下にして水平に載置した後、半導体ウェーハ31にエッチングガス14を供給することにより、半導体ウェーハ31の端面に形成された余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去する半導体ウェーハの酸化膜除去方法であって、ステージ13上に載置された半導体ウェーハ31の表面からチャンバ11の天井までの高さをhとするとき、半導体ウェーハ31の端面における、ウェーハ表面からh/2高さまでの間のエッチングガス14の平均流速を制御して気相エッチングすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】精密な形状加工され、低反射率のテクスチャ形成面を有するシリコン基板を提供すること、およびそれを用いて太陽電池を提供すること。
【解決手段】本発明によって、テクスチャを形成されたテクスチャ形成面を有する基板面方位(100)のシリコン基板であって、前記テクスチャ形成面には、複数の逆錐状の凹部が形成され、かつ前記逆錐状の凹部の錐面は階段状であるシリコン基板を提供する。本発明のシリコン基板は、好ましくは、ガスエッチングによってテクスチャを形成することで得る。 (もっと読む)


【課題】 基板を化学的に処理するための処理システムおよび方法を提供することである。
【解決手段】 化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。基板ホルダは、化学的処理チャンバから断熱される。基板は、壁温度、表面温度およびガス圧を含む制御状態の下で、プラズマ無しで、ガス化学にさらされる。基板の化学的処理は、化学的に基板上のさらされた表面を変更する。 (もっと読む)


【課題】半導体製造装置などの微細加工装置における異物の発生を抑制して、被加工材料である試料の汚染を抑制する技術を提供する。
【解決手段】処理室103内に付着した微粒子109と壁の間に吸着用分子を付着させ、吸着用分子の吸着力により前記微粒子109の剥離を抑制し、半導体基板108に付着する異物としての微粒子109を低減する。この吸着用分子として、沸点が−9℃以上の物質、例えばイソプロパノール、n−プロパノール、エタノール、メタノール、四塩化炭素、ハイドロフルオロエーテル、ブタノール、二硫化炭素、塩化ベンゼン、n−ヘキサン、n−オクタン、ベンゼン、アセトン、等を用い、該吸着用分子の分圧を、真空室103を構成する壁と汚染物質である微粒子109との接触部に近接した隙間部に前記吸着用分子が吸着するのに適した圧力に保つ。 (もっと読む)


【課題】より良質な膜を形成する。
【解決手段】実施形態の膜形成方法は、下地の上に設けられた酸素及び窒素の少なくともいずれかを含む膜の表面に、酸素及び窒素の少なくともいずれかを含むイオン化されたガスクラスタを照射して、前記ガスクラスタを照射した後の前記膜の密度を前記ガスクラスタを照射する前の前記膜の密度よりも高くする。 (もっと読む)


【課題】より安価に基板表面の窒化膜をエッチングできる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】表面に窒化膜が形成された基板Wは、処理室11内においてヒータユニット13上で保持される。処理流体導入口25から過熱水蒸気が導入され、この過熱水蒸気が基板Wに導かれる。この過熱水蒸気によって、基板W上の窒化膜がエッチングされる。処理室11の内壁は、処理室ヒータユニット50によって加熱される。均熱リング40は、基板Wの周縁部に接し、基板Wの温度を均一化する。 (もっと読む)


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