【課題】シャッターの形状や導電性などシャッター装置の種類に関わらず、基板電位の変動を抑制し、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏsｔａｔｉｃ Ｄａｍａｇｅ）の発生を防ぐことができるイオンビームエッチング方法を提供する。
【解決手段】開閉移動するシャッター５を備えるイオンビームエッチング装置を用い、シャッター５が閉位置５ａから開位置５ｂに移動するとき、イオン源から放出されるイオンビームの量を一定にするとともに、中和器から放出される電子の量をシャッターの移動前と比べて一旦減量した後に増量することで基板電位の変動を抑制するイオンエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハを低圧状態で処理する場合であっても，ウェハに対するパーティクルの付着や損傷の発生を防止しながら，ウェハの温度を効率的に調節できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。また，かかる基板処理装置及び基板処理方法に用いられる記録媒体を提供する。
【解決手段】基板Ｗを処理室３２に搬入し，載置台４０の上面に設けられた当接部材４２に基板Ｗの下面を当接させ，基板Ｗと載置台４０との間に隙間Ｇを形成した状態で，載置台４０に基板Ｗを載置させる。そして，処理室３２を所定の圧力にした状態で，載置台４０の温度を調節することにより，当接部材４２に支持された基板Ｗの温度を調節する。その後，処理室３２を所定の圧力より低い圧力の処理雰囲気にして，基板Ｗに所定の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】基板に付着している異物（パーティクルやエッチング時の残渣等）をドライ洗浄により良好に除去することができる技術を提供する。
【解決手段】アッシング時の酸化によりウエハＷの表面に形成されたシリコン酸化膜８を、フッ化水素ガスによりエッチングすることで、ウエハＷに付着したパーティクルＰをシリコン酸化膜８ごと除去する。このフッ化水素によるエッチング時には、ウエハＷの向きを表面が下を向くように設定し、更にウエハＷを加熱して帯電させることにより、パーティクルＰに対して重力に加えて熱泳動力及び静電気力を作用させる。また、アッシング時のシリコン酸化膜８をエッチングした後、更に例えばオゾンガスによりウエハＷの表面を酸化し、次いでフッ化水素ガスによるエッチングを行う連続工程を１回あるいは２回以上実施することで、より一層確実にパーティクルＰを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】固体表面上に存在するスクラッチやそれに類する表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減すること。
【解決手段】固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射過程を含むガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法であるとし、この照射過程は、固体表面のうち少なくともガスクラスターイオンビームが照射されている領域（スポット）に、複数方向からクラスターをほぼ同時に衝突させる固体表面の平坦化方法とする。スポットに対する複数方向からのクラスター衝突は、複数のガスクラスターイオンビームを照射することによって行われる。 （もっと読む）

【課題】固体表面に存在する数１０ｎｍ〜１００μｍ程度の周期の表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減する。
【解決手段】固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす角度を照射角度とし、固体とこの固体に衝突したクラスターとが相互作用する距離が飛躍的な増大に転じる照射角度を臨界角として、予め固体表面の形状データを取得する過程と、臨界角以上の照射角度で固体表面に対して、形状データに含まれる８００ｎｍ以上１．１μｍ以下の範囲の周期をもつ表面の凹凸のうねりの方向と照射方向とを一致させてガスクラスターイオンビームを照射する照射過程とを有する固体表面の平坦化方法とする。この臨界角は７０°である。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造の角部分の形状変形を防いで固体表面の加工を行う。
【解決手段】上部にクラスター保護層が被覆形成された凸部とクラスター保護層が被覆形成されない凹部とでなる凹凸構造を固体表面に形成するクラスター保護層形成工程と、クラスター保護層形成工程において凹凸構造が形成された固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射工程と、クラスター保護層を除去する除去工程とを有するガスクラスターイオンビームによる固体表面の加工方法とする。ガスクラスターイオンビームのドーズ量をｎ、クラスター保護層のエッチング効率を１クラスターあたりのエッチング体積Ｙとした場合に（但しａ及びｂは定数）、クラスター保護層の厚さＴは、


を満たす。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】素子分離絶縁膜の上面の高さを、基板上の全面でほぼ均一にできるとともに、素子分離絶縁膜の上面を平坦化することができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、反応室１１と、反応室１１とゲートバルブＧＶを介して接続される真空ポンプ１２と、加工対象を保持する保持部１９と、エッチングガス供給手段と、加熱部２０と、昇華量判定手段と、を備える。エッチングガス供給手段は、加工対象と反応して反応生成物を生成可能なエッチングガスを反応室１１内に供給する。加熱部２０は、反応生成物が昇華する温度以上に加工対象を加熱する。昇華量判定手段は、加熱部２０による昇華処理の経過による反応生成物の昇華の度合いに対応して変化する所定の物理量を昇華量対応変化値としてモニタする。 （もっと読む）

【課題】流体メニスカス内の活性空洞によってウェハ表面を処理可能である基板処理装置を提供する。
【解決手段】該装置は、作動時に基板１０８の表面に近接するプロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂを有する。装置は、また、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂの表面に、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂ内に形成された空洞に通じる開口を有し、空洞は、開口を通じて基板１０８の表面に活性剤を送る。装置は、更に、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂの表面に、開口を取り囲む流体メニスカスを基板１０８の表面上に生成するように構成された複数の導管を有する。 （もっと読む）

【課題】気相エッチング法によりシリコンウェーハ表層部を短時間で均一にエッチングするための手段を提供すること。
【解決手段】弗化水素酸と硫酸との混酸Ａを収容した密閉容器内に、混酸Ａと接触しないようにシリコンウェーハを配置し、次いで、窒素酸化物を含む硝酸水溶液である溶液Ｂを前記密閉容器内に導入して混酸Ａと混合し、混酸Ａと溶液Ｂを混合した溶液から蒸発するガスによって前記密閉容器内で前記シリコンウェーハ表層部を気相分解する。 （もっと読む）