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国際特許分類[H01L21/302]の内容

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【課題】素子分離絶縁膜の上面の高さを、基板上の全面でほぼ均一にできるとともに、素子分離絶縁膜の上面を平坦化することができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、反応室11と、反応室11とゲートバルブGVを介して接続される真空ポンプ12と、加工対象を保持する保持部19と、エッチングガス供給手段と、加熱部20と、昇華量判定手段と、を備える。エッチングガス供給手段は、加工対象と反応して反応生成物を生成可能なエッチングガスを反応室11内に供給する。加熱部20は、反応生成物が昇華する温度以上に加工対象を加熱する。昇華量判定手段は、加熱部20による昇華処理の経過による反応生成物の昇華の度合いに対応して変化する所定の物理量を昇華量対応変化値としてモニタする。 (もっと読む)




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