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国際特許分類[H01L21/304]の内容

国際特許分類[H01L21/304]に分類される特許

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【課題】砥石と遊離砥粒とを用いて研削を行うことにより、加工レートと良好な面粗さとを共に得ようとする技術が提案されている。しかし、従来の砥石は砥粒とボンド材とが硬く結合しているため、供給された遊離砥粒を十分に保持することができず、供給される遊離砥粒を加工レートと良好な面粗さの向上に活かすことができなかった。
【解決手段】微粒金属体と、前記微粒金属体の表面に突き刺さって配置される高硬度の微粒石と、微粒石が突き刺さった微粒金属体を分散状態で形状維持するための樹脂とからなる砥石などを提供する。 (もっと読む)


【課題】優れたハンドリング性を有し、セパレータ剥離後も適度な粘着力が保持されたセパレータ付き粘着シートを提供すること。
【解決手段】本発明のセパレータ付き粘着シートは、基材層と粘着剤層とセパレータとをこの順に備え、該粘着剤層を形成する材料と該基材層を形成する材料とを共押し出しし、少なくとも該共押し出しされた粘着剤層を形成する材料が溶融した状態で該セパレータと貼り合せて得られるセパレータ付き粘着シートであって、該セパレータが剥離剤層を含み、該剥離剤層に含まれるシリコーンにおける多官能性シリコーンの含有割合が10%以上である。 (もっと読む)


【課題】銅配線に対する腐食性が低いこととともに、酸化銅系の化合物残渣やシリコン酸化物系の化合物残渣に対する除去能力が優れた、銅配線工程で使用されるフォトレジスト又はフォトレジスト残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】リン酸、リン酸塩、硫酸及び硫酸塩からなる群から選択される少なくとも1種と、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、コハク酸、マロン酸及び酢酸からなる群から選択される少なくとも1種と、組成物全量に対して0.01〜2重量%のフッ化水素酸及び/又はフッ化アンモニウム等のフッ化水素酸塩と水とを含有するレジスト残渣除去組成物。 (もっと読む)


【課題】基板面内の研磨ムラを抑制しつつ簡易に研磨可能なサファイア基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板10の両方の主面を研磨する第1研磨工程と、サファイア基板10を加熱する加熱工程と、サファイア基板10の裏面と、表面に複数の穴131を有する吸着パッド130の表面とを水20を介して圧接し、負圧によってサファイア基板10を吸着させる吸着工程と、サファイア基板10の表面11を研磨する第2研磨工程と、サファイア基板10を吸着パッド130から取り外す取外し工程と、吸着パッド130は、サファイア基板10を吸着した状態においてサファイア基板10の周側面を囲む内周壁121を有する保持部材120の開口内に収容され、内周壁121は、横断面において、互いに対向するこの内周壁121同士の間の距離が吸着パッド130から離れるに従って長くなるテーパー形状を有する。 (もっと読む)


【課題】 ウエーハを破損させることなく従来に比べて比較的短時間及び安価にウエーハを所定の厚みに薄化することのできるウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 外周に面取り部を有するウエーハを所定厚みへと薄化するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面を支持基板上に貼り付けて積層ウエーハを形成する積層ウエーハ形成ステップと、該積層ウエーハ形成ステップで形成した積層ウエーハの積層方向と平行な回転軸を有する切削ブレードを該ウエーハの表面側の外周側面に位置付けて、該積層ウエーハの外周側から中心に向かって切り込ませ、該ウエーハの表面から該所定厚みに至る面取り部を除去する面取り部除去ステップと、該面取り部除去ステップを実施した後、該積層ウエーハの該ウエーハの裏面側を研削してウエーハを所定厚みへと薄化する薄化ステップと、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】貴金属の研磨に適した研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明は、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、常温の研磨用組成物中で電位計の正極側を導電性物質に接続し、且つ負極側を導体に接続した条件において、導電性物質と導体を研磨したときに正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値(ゼロを含む。)を示すことを特徴とする研磨用組成物を提供する。さらには、研磨用組成物は、導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値(ゼロを含む。)にする添加剤を含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ウエーハを支持する支持基板の表面を傷つけることなく、ウエーハの面取り部を容易に切断することを目的とする。
【解決手段】ボンド剤を介在させて円形のウエーハWが貼着される支持基板1は、その表面1aにリング状の逃げ溝2が形成されているため、支持基板1の表面1aにウエーハWの表面Waを貼着し、ウエーハWの外周に形成された面取り部4を除去する際に、切削ブレード60が逃げ溝2に入るため、切削ブレード60が支持基板1に接触することを回避できる。これにより、切削ブレード60が支持基板1の表面1aを傷つけることなくウエーハWの面取り部4を容易に切断できる。 (もっと読む)


【課題】シリコンインゴットを切断して枚葉化したウェハを効率よく洗浄し分離可能にでき、ウェハの量産に適したローダー装置を提供する。
【解決手段】液槽(2)の上方から液槽内に向けて放射状に延びる複数の腕部材(32)を回転盤(31)に有し、腕部材の座部(32a)のそれぞれにシリコンインゴットを切断してなる枚葉化した多数枚のウェハ群Wを横置きに層状に積載した積載台(40)を載置して液体内で一方向に旋回させ順次送りながらウェハ群を貯留する貯留装置(30)と、積載台支持部材(13,14)を液体内で上下方向を含む2軸方向に延びる互いに平行な面内にてそれぞれ独立して自在に移動させる一対の昇降機(11,12)からなる昇降装置(10)とを備え、これら一対の昇降機は、それぞれ貯留装置の腕部材の所定の停止位置にて積載台支持部材と腕部材の座部との間で直接的に積載台の授受を行い、上記2軸方向の面内で積載台を搬送する。 (もっと読む)


【課題】表面に金属系元素で凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを改善する撥水性保護膜形成用薬液を提供する。
【解決手段】ウェハ1の洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部4を含む表面を一般式[1]で示される撥水性保護膜形成用薬液で置換する。


(Rは一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1〜18の1価の炭化水素基、Rはそれぞれ互いに独立して一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1〜18の炭化水素基を含む1価の有機基、aは0〜2の整数である。) (もっと読む)


【課題】配線金属の表面における傷や腐食が生じにくく、層間絶縁膜及びバリヤ膜上の配線金属残りが生じにくく、しかも、充分な研磨速度を確保でき、ディッシングやエロージョンを防止して高い平坦性が得られる研磨組成物を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金を研磨するための研磨組成物であって、(A)酸化剤と、(B)アミノ酸、炭素数8以下のカルボン酸、無機酸の中から選ばれる少なくとも1種以上の酸と、(C)アルキル基が炭素数8以上であるスルホン酸と、(D)アルキル基が炭素数8以上である脂肪酸と、(E)0.005〜3質量%のN−ビニルイミダゾールとを含有する研磨組成物。 (もっと読む)


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