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国際特許分類[H01L21/304]の内容

国際特許分類[H01L21/304]に分類される特許

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【課題】スラリーの供給不足をより確実に検出できる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨装置は、ウェハWを保持する保持機構10と、保持機構10に保持されたウェハWを研磨する研磨パッド21とを備え、保持機構10に保持されたウェハWの被研磨面Waに研磨パッド21を当接させながら相対移動させてウェハWの研磨加工を行うように構成された研磨装置1において、被研磨面Waと研磨パッド21との当接部にスラリー31を供給するスラリー供給機構30と、被研磨面Waにプローブ光を照射する光源41と、プローブ光が照射された被研磨面Waからの反射光を検出する光検出器43と、光検出器43に検出された反射光の情報に基づいて研磨加工の終点を検出するとともに当該反射光の情報に基づいてスラリー31の供給状態を判定する制御装置50とを有して構成される。 (もっと読む)


【課題】切断中にブレードの変位を安定的に抑制でき、これにより切断されたインゴットブロックやウェーハの切断面の品質を安定して保つことができ、ブレードの寿命を延長でき、切断速度を向上できるバンドソー切断装置及びインゴットの切断方法を提供する。
【解決手段】周回駆動されたブレードを静圧パッドによって案内しながら、ブレードをインゴットの上方から相対的に下方に送り出すことによってインゴットを切断するバンドソー切断装置であって、さらに、静圧パッドをブレードの周回方向に対して前後方向に移動させる駆動部と、該駆動部による静圧パッドの移動距離及び移動速度を制御する制御部とを有し、静圧パッドを制御部で移動制御しながらインゴットを切断するものであることを特徴とするバンドソー切断装置。 (もっと読む)


【課題】表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がケイ素元素を含むウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善し、特に該改善効果の持続性(ポットライフ)に優れる、ウェハの凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成する保護膜形成用薬液の調製方法及び該薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】上記ウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための、非水有機溶媒と、シリル化剤と、酸又は塩基とを有する、撥水性保護膜形成用薬液の調製方法であり、
非水有機溶媒中の水分濃度を200質量ppm以下にする、脱水工程、
脱水工程後の非水有機溶媒と、シリル化剤と、酸又は塩基とを混合する、混合工程
を有することを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液の調製方法。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの研磨時に欠陥の原因となる粗大粒子が従来に比べて大幅に低減された、また、これによりウェーハの研磨時において、ウェーハ表面のナノオーダーの欠陥を低減できる研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スラリー原液と純水とを混合した研磨スラリーを研磨装置に供給する供給方法であって、計量された前記スラリー原液に対して前記純水を単位時間当たりに所定量加えるように制御しながら前記スラリー原液と前記純水とを混合する工程と、該混合された研磨スラリーを前記研磨装置に供給する工程とを含むことを特徴とする研磨スラリーの供給方法。 (もっと読む)


【課題】円形板状基台に滴下する液体樹脂の外周側に反りが発生することを防止して、液体樹脂の表面にワークを載置して樹脂硬化しても、ワークの外周に反りが発生しないようにすることを目的とする。
【解決手段】円形板状基台2は、外周部に所定の角度で切り欠いたスカート部20が形成されており、保持テーブル4に保持された円形板状基台2の上方から樹脂供給ノズル5によって円形板状基台2の中心に液体樹脂6を滴下する。保持テーブル4の回転による遠心力で液体樹脂6を均一の厚さに引き伸ばし、円形板状基台2の中心から外周方向に移動する液体樹脂6をスカート部20に溜めるとともに、液体樹脂6の外周部60に発生する表面張力による外周部60の盛り上がりを防止することができる。そのため、樹脂硬化によって円形板状基台2とワークWとを貼り合わせた際に、ワークWの外周部Wsに反りが発生することを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】サファイア基板の薄厚化工程において、欠けまたはクラックが発生することを抑制して、容易にサファイア基板の研削及び研磨を行うことができるサファイア基板の製造方法、およびこの製造方法を用いたサファイア基板を提供することである。
【解決手段】基板10の裏面10Bを研削装置Mにより研削及び研磨して基板10の研削及び研磨を行う薄厚化工程を含むサファイア基板の製造方法において、通気性及び弾性を有する基板保持体50を基板10の表面10Aと研削装置Mの真空吸着板400との間に介在させて基板10を真空吸着板400に真空吸着させ、これにより基板保持体50を基板10の表面形状に沿うように弾性変形させた状態で基板10を真空吸着板400に固定してから、基板10の裏面10Bの研削及び研磨を行う。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板のファイナルポリッシングにおいて平滑性の低下や異物の増加を生じることなく、ウエハ自体の欠陥を低減し、優れた研磨表面が形成可能な半導体基板研磨液及び当該半導体基板研磨液を用いた半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 コロイダルシリカと水溶性高分子と水を含み、研磨液のpHが4.0以上8.0以下である半導体基板用研磨液、及び当該半導体基板研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨する半導体基板の研磨方法。 (もっと読む)


【課題】基板の材質や表面の状態などの影響を受けることなく基板の保持状態の良否を正確に判断できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を保持する基板保持手段(22)と、前記基板保持手段(22)で前記基板(2)を正常に保持したときに前記基板(2)の端縁部が存在する領域を撮影する撮影手段(25)と、前記撮影手段(25)で撮影した画像に基づいて前記基板保持手段(22)による前記基板(2)の保持状態を判断する制御手段(26)とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】無機絶縁膜層等の被研磨面を、研磨傷の発生を抑え、かつ高速で研磨することが可能な研磨剤及び研磨方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物粒子及び媒体を含有する研磨剤であって、前記金属酸化物粒子が、金属塩、高分子化合物、及び高沸点有機溶媒を含有する混合物を加熱することにより生成する金属酸化物を焼成して得られる金属酸化物粒子を含む、研磨剤。 (もっと読む)


【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


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