【課題】本発明は、樹脂及びワークの側面にエッチング液が付着することを低減し、樹脂のエッチング及びワークの表面のエッチングを防止することを目的とする。
【解決手段】エッチング装置１は、ワークセット２を保持して回転可能な保持テーブル３と、ワークセット２の上方に配設されエッチング液４０を滴下するエッチングノズル４と、保持テーブル３に保持したワークセット２の周囲に配設されワークセット２の側面に向けて水を供給する水供給手段５とを備え、水供給手段５は、水供給源５１と、水供給バルブ５２と、水供給ノズル５０とを少なくとも備え、水供給ノズル５０は、リング形状に形成されワークセット２の周囲からワークセット２の側面に向かう方向に複数の水供給口５０ａを備えている。そして、水供給ノズル５０から供給される水がエッチング液４０を薄めて洗い流すことにより、樹脂２１及びワークＷの下面Ｗａのエッチングを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】より短時間で簡単にシリコンウェーハの外周部分のみ選択的にシリコン酸化膜を形成できるシリコン酸化膜の形成方法及び形成装置を提供することを目的とする。また、高生産性でＳＦＱＲとＥＳＦＱＲとを共に改善できるシリコンウェーハの研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】円形状のシリコンウェーハにシリコン酸化膜をシリコンウェーハ表面の外周部分に形成するとともにシリコンウェーハ表面の中央部分ではシリコンウェーハ表面が露出するように形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、シリコンウェーハを回転テーブルで保持し、該回転テーブルで保持したシリコンウェーハを回転させながらシリコンウェーハ表面の外周部分にオゾン水を供給しつつシリコンウェーハ表面の中央部分に純水を供給することによってシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】混合すると反応熱を生じる第１処理液と第２処理液の混合液を用いて基板を処理するにあたって、基板温度の面内均一性を高めることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板の中心領域に向けて第１および第２処理液を供給する第１供給部（３２、２００）と、中心領域を取り囲む環状の周縁領域に向けて第１および第２処理液を供給する第２供給部（１２０，１３０）とを備えている。第１供給部および第２供給部にはそれぞれ、第１処理液を供給する第１処理液供給管と第２処理液を供給する第２処理液供給管が接続されている。第１供給部は、第１および第２処理液との混合液を基板の中心領域に向けて吐出するように構成された中心部吐出口を有しており、第２供給部は、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第１処理液を吐出する複数の第１吐出口と、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第２処理液を吐出する複数の第２吐出口とを有している。 （もっと読む）

【課題】赤外線を用いた基材の剥離工程において、支持体の温度上昇による赤外線の透過率の低下を防ぎ、支持体から基材を効率的に剥離することが可能な基材の処理方法を提供する。
【解決手段】（１）基材とシリコンウエハからなる支持体とを、光熱変換層を有する仮固定材を介して仮固定する工程、（２）前記基材を加工する工程、（３）前記支持体の仮固定材に対する接触面とは反対側の面には焦点を絞らずに、前記支持体側から、赤外線を前記仮固定材に照射する工程、および（４）前記支持体から前記基材を剥離する工程を有する、基材の処理方法。 （もっと読む）

【課題】ＨＦガスを用いたガラス基板のエッチング時に、チェンバ内壁に付着したアルカリ元素のフッ化物からなる堆積膜やパーティクルを従来に比して容易に洗浄することができるガラス基板処理装置を得ること。
【解決手段】真空チェンバ１１と、真空チェンバ１１内でガラス基板１００を保持する基板ステージ１２と、真空チェンバ１１内にガラス基板１００を処理する処理ガスを供給するガス供給機構２０と、基板ステージ１２の基板保持面に対向して配置され、基板ステージ１２に向けて処理ガスを吐出するガスシャワーヘッド１３と、真空チェンバ１１内のガスを排気する排気手段と、真空チェンバ１１内を洗浄水１１０で洗浄するシャワーヘッド３１と、真空チェンバ１１内に貯留した洗浄水１１０を排水する排水機構４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の研磨中にシリコン層の正確な厚さを取得し、得られたシリコン層の厚さに基づいて基板の研磨終点を正確に決定することができる研磨方法を提供する。
【解決手段】本研磨方法は、基板から反射した赤外線の強度を所定の基準強度で割って相対反射率を算出し、相対反射率と赤外線の波長との関係を示す分光波形を生成し、分光波形にフーリエ変換処理を行なって、シリコン層の厚さおよび対応する周波数成分の強度を決定し、上記決定された周波数成分の強度が所定のしきい値よりも高い場合には、上記決定されたシリコン層の厚さを信頼性の高い測定値と認定し、該信頼性の高い測定値が所定の目標値に達した時点に基づいて、基板の研磨終点を決定する。 （もっと読む）

【解決手段】支持体上に仮接着材層が形成され、かつ仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが積層されてなるウエハ加工体であって、
上記仮接着材層が、上記ウエハの表面に剥離可能に接着された熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）からなる第一仮接着層と、この第一仮接着層に積層された熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着層と、この第二仮接着層に積層され、支持体に剥離可能に接着された熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ’）からなる第三仮接着層の３層構造を有する複合仮接着層単位を備えたウエハ加工体。
【効果】本発明の仮接着材層は、耐熱性が高いために、幅広い半導体成膜プロセスに適用でき、段差を有するウエハに対しても、膜厚均一性の高い接着材層を形成できる。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【目的】、過研磨を防止することが可能な研磨装置を提供する。
【構成】実施形態の研磨装置（１００）は、ステージ（１０１）と研磨部（１０２，１０４）と検出部（１１０）とロック機構（１２０）とを備えた。ステージ（１０１）は、半導体基板を載置する。研磨部（１０２，１０４）は前記半導体基板の上方から前記半導体基板の周縁部を研磨する。検出部（１１０）は前記半導体基板の基準高さ位置を検出する。ロック機構（１２０）は、前記研磨部（１０２，１０４）が前記基準高さ位置から所定の距離だけ前記半導体基板面側へ移動した場合に、研磨部（１０２，１０４）の半導体基板面側への更なる移動が停止されるように、前記研磨部（１０２，１０４）の移動を拘束する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性・耐水性に優れた研磨パッドを提供する。また、耐熱性・耐水性に優れるため、局所的な平坦化性能が高く、研磨レートが高く、かつ研磨レートの変動が小さい研磨パッドを提供する。
【解決手段】ポリオールとイソシアネートからなるポリウレタンを用いた研磨パッドであって、ポリオールがエチレングリコールユニットと少なくとも１種類の側鎖を有するグリコールユニットを含み、かつ、ポリオール中のエチレングリコールユニットがポリオール全重量の０．１重量％〜１０重量％であるポリウレタンを用いた研磨パッド。 （もっと読む）