【課題】 常態では十分な粘着力を有し、エネルギー線照射や加熱を必要とせずに、簡便な手段で粘着力を制御可能であり、かつ剥離後の被着体における粘着剤残渣が低減された粘着剤組成物および粘着シートを提供すること。
【解決手段】 本発明に係る感湿粘着力可変性粘着剤組成物は、
粘着性ポリマー１００質量部に対し、ポリアルキレングリコールグリシジルエーテル（メタ）アクリレートを０．０１〜１５質量部含み、
２３℃、５０％ＲＨ環境下に３０分放置した後の、シリコンウエハ鏡面に対する粘着力Ａと、
６０℃、９０％ＲＨ環境下に２時間放置した後の、シリコンウエハ鏡面に対する粘着力Ｂとの比Ｂ／Ａ×１００（％）が３〜７０％の範囲にあることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板の周囲において、簡素な構成により、金属製の処理容器から溶出した金属の濃度を低減することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】高圧流体を用いて基板Ｗに対する処理を行う基板処理装置において、基板Ｗの処理が行われる金属製の処理容器１には、密閉自在な基板Ｗの搬入出口２が設けられると共に、高圧流体やその原料流体を供給する流体供給ライン２３１、処理容器内１の高圧流体を排出する流体排出ライン２３９が接続されている。基板保持部２は基板Ｗを保持した状態で処理容器１の内部に配置され、樹脂製の筒状体６は、基板保持部２に保持された基板Ｗにおける、板面を含むこの基板Ｗの周囲を囲むように、当該基板Ｗと処理容器１の内壁面との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】分割後のチップ側面に残存する分割屑低減可能な半導体ウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数のチップ領域を複数有する半導体ウエーハ１１を分割予定ラインに沿って分割する加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有するレーザ光をウエーハ内部のチップの仕上げ厚みに至らない領域ｔ２に第１の出力で集光して、該分割予定ラインに沿って分割の起点となる第１改質層２５を形成する工程と、その前又は後に、ウエーハ内部のチップの仕上げ厚み領域ｔ１に第１の出力よりも低い第２の出力でレーザ光を集光して、分割を誘導する第２改質層２３を形成する工程と、該ウエーハに外力を付与してチップに分割する工程と、少なくとも該分割工程を実施するまでの何れかの時点でウエーハの表面に粘着テープＴを貼着し、さらに該分割工程を実施した後、ウエーハの裏面１１ｂを研削してチップの仕上げ厚みへと薄化する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】研削装置のチャックテーブルに保持されていた円形板状ワークの被保持面側が保持部材によって保持されている場合において、被保持面のうち保持部材によって保持されている部分も洗浄できるようにする。
【解決手段】洗浄部材６２１に、搬出手段が保持した円形板状ワークの被保持面Ｔを接触させ、洗浄手段を構成する回転防止部材８２を上昇させ被保持面Ｔに接触させて洗浄部材６２１の回転動作によって被保持面Ｔのうち回転防止部材８２が接触している箇所以外の部分を洗浄し、その後、回転防止部材８２を下降させて、被保持面Ｔのうち回転防止部材８２が接触していた部分を露出させ、洗浄部材６２１を所定角度回転させることによって円形板状ワークが当該所定角度と同じ角度回転した後、再び回転防止部材８２を上昇させ被保持面Ｔに接触させて洗浄部材６２１の回転動作によって被保持面Ｔの未洗浄部分を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】経年劣化によるシート状カバー部材の巻き取り不具合を無くすことができる筐体カバー機構を提供すること。
【解決手段】筐体カバー機構１はシート状カバー部材１０と移動機構１１とを備えている。シート状カバー部材１０は筐体３の開口部３ａを閉塞し得る大きさを有し可撓性を有する。移動機構１１はシート状カバー部材１０の固定端部１０ｂに装着された回転軸１２の一端に連結された第一のプーリ１３と第二のプーリ１４とプーリ１３，１４に巻回した無端ベルト１５と無端ベルト１５に固定された係合部材１６とシート状カバー部材１０の自由端部１０ａに装着されたカバー部材引張部材１８と直動アクチュエータ１９と押動部材２０を備えている。開放位置と閉塞位置との間を往復運動をするピストン部材２４とシリンダ２３とを有する。カバー部材引張部材１８と係合部材１６の間に配設され且つピストン部材２４に固定されている。 （もっと読む）

【課題】板状物の反りに起因した割れ、クラックを抑制し、支持部材上から板状物を剥離する際に板状物が破損するのを低減することができる支持部材、支持構造及び板状物の加工方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る支持部材１１は、ウエーハＷの一方の面を樹脂層１２を介して保持するための支持部材であって、ウエーハＷの外径よりも大きい外径で且つ中央に凹部１４を有するフィルムで形成されており、凹部１４は、凹部１４の中心にウエーハＷの中心を位置づけた際にウエーハＷの外縁と隙間１５を有する内径で形成され、隙間１５は、支持部材１１の凹部１４に紫外線硬化性樹脂を塗布し凹部１４の中心にウエーハＷの中心を位置づけて載置して押圧した際に、凹部１４の紫外線硬化性樹脂にウエーハＷの一部が埋没しウエーハＷの外周全周に渡って紫外線硬化性樹脂が隆起するように設定されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン形成後の配線形状を維持しつつ、銅等の金属不純物と凝集粒子の異物とを除去する。
【解決手段】基材１０を準備する工程と、基材１０の上方に金属膜２０を形成する工程と、金属膜２０上にレジスト膜３０を形成する工程と、レジスト膜３０をマスクとして金属膜２０をエッチングして配線２０Ａを形成する工程と、レジスト膜３０を剥離する工程と、基材１０を洗浄する工程と、を含み、基材１０を洗浄する工程は、酸洗浄液を用いて基材１０を洗浄する第１の洗浄工程と、アルカリ洗浄液を用いて基材１０を洗浄する第２の洗浄工程とを含む。アルカリ洗浄液の濃度は、当該洗浄液の中に析出される粒子の表面電位が基材１０の表面電位と同一極性となる濃度以上で、かつ、配線２０Ａをエッチングしない濃度であり、酸洗浄液の濃度は、基材１０に残った金属微粒子２０ａが洗浄液中に溶解する濃度以上で、かつ、配線２０Ａをエッチングしない濃度である。 （もっと読む）

【課題】パーティクル数及びＨａｚｅ値が小さいシリコンウエハを得ることが可能なシリコンウエハ用研磨液組成物を提供できる。
【解決手段】シリカ粒子（成分Ａ）と、水系媒体(成分Ｂ)と、水溶性アルカリ化合物(成分Ｃ)と、Ｒ¹−Ｇｙで表されるアルキルポリグリコシド(成分Ｄ)と、カチオン化ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）（成分Ｅ）とを含み、成分Ｅは、−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＨ）−で表される構成単位（ｅ２）、−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＣＯＲ²）−で表される構成単位（ｅ３）、―Ｘ―で表される構成単位（ｅ４）を含み、構成単位（ｅ４）のモル濃度がカチオン化ＰＶＡの全構成単位中０．００１〜１．５モル％であり、成分Ｄの含有量が０．００１５重量％以下、前記成分Ｄと前記成分Ａの重量％の比（成分Ｄの重量％／成分Ａの重量％）が０．０００１〜０．００８、２５℃におけるｐＨが８〜１２である、シリコンウエハ用研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置１３は、被処理ウェハＷを保持して回転させるウェハ保持部１３０と、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを覆う供給面１４１を備えた洗浄治具１４０とを有している。洗浄治具１４０には、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に接着剤Ｇの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部１５０と、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に供給された溶剤やリンス液（混合液）を吸引する吸引部１７０と、段部Ａに気体を供給する気体を供給する気体供給部１８０とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程で５０μｍ以下まで薄型化される半導体デバイス用として好適なシリコン基板を提供する。
【解決手段】 デバイス作製されたシリコン基板に対し、所定の条件によるレーザー照射にてデバイス後工程で薄型化させたシリコン基板裏面全面あるいは一部を深さ方向に対してアモルファス化、あるいは基板内部の所定位置に最適化された結晶欠陥を形成させて強力なゲッタリング層を具備させる事が可能なシリコン基板及び製造方法である。 （もっと読む）