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国際特許分類[H01L21/306]の内容

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【課題】基板を保持、移送し陽極化成槽の一部とする機構を有する、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置と、多孔質層を形成した半導体基板を提供する。
【解決手段】左側ホルダ部67及び右側ホルダ部69で複数枚の基板Wを保持した状態で処理位置に移動させ、上側ホルダ部71及び下部ホルダ39と連結させ、貯留槽11の内部で複数枚の基板Wの全周面が電解質溶液に対して液密にされる。この状態で化成反応処理を行った後、基板Wが貯留槽11から搬出される。従って、左側ホルダ部67及び右側ホルダ部69が上側ホルダ部71及び下部ホルダ39と協働して基板Wを液密に保持可能な構成とし、複数枚の基板Wを搬送し、多孔質層を形成でき、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置1を実現でき又、表裏、両表面に効率良く、かつ均一に形成された多孔質層を具備する半導体基板を本装置により提供可能となる。 (もっと読む)


【課題】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより形成された導電性被加工物を、下地層に段差を作ることなく、異なる電位に固定する。
【解決手段】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより線状に形成された導電性被加工物を備え、導電性被加工物は、自身を電気的に分断する2以上の分断部分を有し、分断部分における導電性被加工物は、その一部が平行になるように形成されており、平行に形成された部分の少なくとも一方は分断されている。複数回のエッチングに用いられるレジストパターンのうちの、所定回数目のエッチングに用いられる第1のレジストパターンと、他の回数目のエッチングに用いられる第2のレジストパターンとが重なる領域の、平行に形成された部分に対応する箇所の幅は、エッチングによる導電性被加工物の後退量より小さい。本技術は、半導体装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、樹脂及びワークの側面にエッチング液が付着することを低減し、樹脂のエッチング及びワークの表面のエッチングを防止することを目的とする。
【解決手段】エッチング装置1は、ワークセット2を保持して回転可能な保持テーブル3と、ワークセット2の上方に配設されエッチング液40を滴下するエッチングノズル4と、保持テーブル3に保持したワークセット2の周囲に配設されワークセット2の側面に向けて水を供給する水供給手段5とを備え、水供給手段5は、水供給源51と、水供給バルブ52と、水供給ノズル50とを少なくとも備え、水供給ノズル50は、リング形状に形成されワークセット2の周囲からワークセット2の側面に向かう方向に複数の水供給口50aを備えている。そして、水供給ノズル50から供給される水がエッチング液40を薄めて洗い流すことにより、樹脂21及びワークWの下面Waのエッチングを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】非アルコール系のエッチング抑制剤を含有するアルカリ性のエッチング液でシリコン基板を処理した際に、凹凸構造を均一に形成することが出来るように改良されたシリコン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アズスライスシリコン基板を用いて表面にピラミッド状の凹凸構造を有する太陽電池用シリコン基板の製造方法であって、非アルコール系のエッチング抑制剤を含有するアルカリ性のエッチング液でシリコン基板を処理してその表面にピラミッド状の凹凸構造を形成するテクスチャー工程と、当該テクスチャー工程の前段に設けられ、シリコン基板を洗浄液で処理してスライス工程由来の付着物を除去する工程とを包含し、スライス工程由来の付着物を除去する工程において、上記の洗浄液が水媒体中で過酸化水素とアルカリの組合せ又は過酸化水素と炭酸塩との反応物を使用する起泡性洗浄液である太陽電池用シリコン基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】半導体基板のエッチング特性の劣化の抑制およびサポート基板からの汚染リスクの低減を図る。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法においては、半導体基板の表面とサポート基板20の表面とを接着剤15を介して貼り合わせる。前記サポート基板の周辺部の一部に撥水処理を行い、前記一部に前記接着剤の端面に接するように撥水領域22を形成する。ウェットエッチングにより、前記半導体基板を裏面側から加工する。 (もっと読む)


【課題】チタン酸鉛系材料のエッチングにおいて、実用的なエッチング工程時間内に、微細化されたチタン酸鉛系材料配線間であっても配線上部幅を維持することができ、チタン酸鉛系材料表面に発生する黒変が無く、目的とするパターン形成を行うことができるチタン酸鉛系材料用エッチング剤組成物を提供することにある。
【解決手段】本発明のチタン酸鉛系材料用エッチング剤組成物は、(A)フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム及びフッ化リチウムから選ばれる少なくとも1種類のフッ化化合物成分、(B)塩酸、硝酸、硫酸から選ばれる少なくとも1種類の無機酸成分及び(C)無機塩成分を含む水溶液からなることを特徴とする。 (もっと読む)


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