国際特許分類[H01L21/308]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断 (21,268) | 化学的または電気的処理,例.電解エッチング (9,750) | マスクを用いるもの (427)
国際特許分類[H01L21/308]に分類される特許
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配線構造及び配線形成方法
【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層11,13に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層12に電気的に導通するように絶縁層13と下層の導体層12とを覆って形成された金属薄膜14上に形成された配線層17の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層18で覆うように構成する。この被覆層18を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル/金、ニッケル/パラジウム、又はニッケル/パラジウム/金が用いられる。
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スクラバ中の金属を除去する方法
【課題】 基板洗浄プロセスにおける金属汚染物質を除去する方法を得る。
【解決手段】 本発明の方法は、半導体基板洗浄システムの液体媒質にクエン酸溶液を添加することを含む。液体媒質のPHをほぼ6.5〜14の範囲に調節する。両面スクラバに関して説明される。
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半導体エッチング液,半導体エッチング方法,及びGaAs面の判定方法
Siドープ半導体エピタキシャル成長基板の表面処理方法
【目的】 エピタキシャル層表面に析出するSi結晶を選択的にエッチング除去できるSiドープ半導体エピタキシャル成長基板の表面処理方法を提供すること。
【構成】 Siドープ半導体エピタキシャル成長基板を強アルカリ液中に浸漬して、エピタキシャル層表面に析出したSi結晶をエッチング除去することを特徴とする。
【効果】 エピタキシャル層表面に山脈状に析出したSi結晶を選択的にエッチング除去できる。したがって、高価な機器の使用を不要にできる。また、エピ層表面からSi結晶を機械的に削り取らないので、エピ層表面を傷つけることがなく、ウエハーを割る不良原因を排除できて、生産における歩留りが向上する。
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Siドープ半導体エピタキシャル成長基板の表面処理方法
透明導電膜のエツチング方法
【目的】 透明導電膜のエッチング方法に関し、安定にエッチングを行うことを目的とする。
【構成】 被処理基板上に透明導電膜を形成した後、写真蝕刻技術を用いてパターン形成を行うのに使用するエッチング液として蓚酸の飽和水溶液を使用することを特徴として透明導電膜のエッチング方法を構成する。
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半導体レーザ素子の製造方法
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