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国際特許分類[H01L21/31]の内容

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【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、大気圧よりも低い圧力に設定された処理容器内に酸素を含むガスと水素を含むガスとを活性化して供給することで、窒化層を酸化層または酸窒化層に変化させる工程と、を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】複数の処理ヘッドを含むプラズマ処理装置における各処理ヘッドへの供給電力の検査を簡易に行なえるようにする。
【解決手段】プラズマ処理装置の電源10から各電極ユニット23への電力供給ライン14にプローブ取付端子30を設ける。プローブ取付端子30に、検電手段50用の高電圧プローブ40の接続端子41を抜き差し可能に接続する。プローブ取付端子30の弾性保持部31によって、接続端子41を弾性的に押さえて保持する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第1ノズル部、第2ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第1ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第2ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第3ノズル部および第1ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第1ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 (もっと読む)


【課題】被処理体を直接的に載置する熱分散板の耐久性を向上させて破損し難くし、接続端子が腐食されないようにすることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】排気が可能になされた処理容器32内に設けられて処理すべき被処理体Wを載置するための載置台構造において、被処理体を加熱する加熱手段72が設けられた載置台本体74と、載置台本体上に設けられると共に、その上面に被処理体を載置する熱分散板76と、載置台本体内に設けられた電極78と、載置台本体を支持するために処理容器の底部より起立された筒体状の支柱70と、支柱内に挿通されると共に上端部が加熱手段に接続されたヒータ給電部材110(110A〜110)と、支柱内に挿通されると共に上端部が電極に接続された電極給電部材112とを備えたことを特徴とする載置台構造である。 (もっと読む)


【課題】半導体又は液晶パネル製造装置における排ガス処理系配管内における珪フッ化アンモニウムの付着・堆積を抑制して、排気配管または排気設備の清掃周期を短くする珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともプロセスガスとしてアンモニアガス、クリーニングガスとしてフッ素化合物、及びプロセスガス又はクリーニングガスのいずれかに珪素化合物を含有するガスを使用する薄膜形成装置(A)から、該薄膜形成装置(A)で発生する排ガス(G)を処理する燃焼式排ガス処理装置(B)に該排ガス(G)を移送するための排ガス処理系配管(C)内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法であって、珪フッ化アンモニウムが堆積する可能性のある排ガス処理系配管(C)部を加熱して、該配管内表面温度を120〜160℃に維持することを特徴とする、排ガス処理系配管(C)内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法。 (もっと読む)


【課題】排気システムのコストを低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す処理室と、前記基板を前記処理室へ搬送する搬送装置を備えた搬送室12と、前記搬送室に連結された減圧可能な複数の予備室14a,14bと、前記複数の予備室に接続された排気装置50と、前記複数の予備室の排気をそれぞれ制御する複数の排気弁61−63と、前記複数の排気弁を制御する第二の制御手段89と、前記複数の排気弁のうちの一が開状態で、他の前記排気弁を開待ちとさせるように制御する第一の制御手段86と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】酸化膜の成膜温度を低下させつつ、溝の凹部への埋め込み性を高める。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に成膜原料と、酸化原料と、触媒原料とを同時に供給する工程と、各原料の供給を停止して処理室内を不活性ガスでパージする工程と、を1回もしくは複数回実施することで、基板上に酸化膜を堆積させる工程と、酸化膜堆積後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】アニール処理において半導体基板の所望の温度分布が得られるアニール装置及びアニール方法を提供する。
【解決手段】アニール装置1は、ウエハ4の上方のウエハ4に対応する第1の領域201に配置された上部ランプ部22と、第1の領域201の周辺に位置する第2の領域202に配置された第1及び第2の側部ランプ部24、26と、上部ランプ部22と第1及び第2の側部ランプ部24、26を異なるタイミングで発光させるように制御する制御部8と、を備える。 (もっと読む)


【課題】消耗部材の交換頻度を低減できる半導体デバイスの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体デバイスの製造装置は、基板の処理条件毎に消耗部材の消費量が記憶されている第1の記憶部と、消耗部材の使用限度と現在の消費量がプロセスチャンバ毎に記憶されている第2の記憶部と、第1,第2の記憶部を参照して、プロセスチャンバ毎に基板の処理可能枚数を算出する算出部と、算出したプロセスチャンバ毎の処理可能枚数に基づいて、基板の処理を指示する割当部と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】ガス供給ユニットを均一に加熱すると共に、ガスの供給、置換、排気等の動作の切替え時間の短縮が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板26に処理ガスを供給し、基板に所定の処理を行う基板処理装置に於いて、容器本体9と該容器本体を上方から閉塞する蓋体11とからなる反応容器8と、基板を載置する基板載置部16と、基板を加熱する発熱部27と、前記反応容器の上方から処理ガスを供給するガス供給ユニット2とを具備し、前記蓋体の上面には凹部17が形成され、該凹部に前記ガス供給ユニットを収納し、該ガス供給ユニットと前記蓋体とを一体化した。 (もっと読む)


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