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国際特許分類[H01L21/31]の内容

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【課題】装置のフットプリントの増大を防止または抑制しつつ、排気系のコンダクタンスを増加させて低圧化を図れる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板200を積載配置して収容する処理容器203と、処理容器203に基板200を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給手段232a、232b、249a、249bと、処理容器203を排気する排気手段300と、を有し、排気手段300は、真空ポンプ246と、処理容器203と真空ポンプ246を接続する排気配管とを備え、排気配管の少なくとも一部がリブ構造370を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形の配管331〜333で構成される。 (もっと読む)


【課題】安価な構成であり、被処理基板におけるプラズマ処理の面内均一性を良好にすることができる被処理基板支持構造を提供する。
【解決手段】被処理基板支持構造31は、円板状の部材であって、その上に被処理基板Wを載置するようにして支持する支持台33と、円筒状の部材であって、支持台33の下方側に一方端部が取り付けられるシャフト部32と、支持台33内に設けられるヒータ36とを備える。支持台33は、第一の熱伝導率である部材から構成されている。シャフト部32は、第一の熱伝導率以上の第二の熱伝導率である部材から構成されている。支持台33の内部であって、シャフト部32の一方端部が支持台33に取り付けられる連結部40に対して距離を開けて連結部40の上側に位置する部分には、第一の熱伝導率よりも低い第三の熱伝導率である断熱部41が設けられている。 (もっと読む)


【課題】処理前に基板温度を計測する基板の温度計測装置及び方法、基板温度が所定の温度範囲内にない場合に再加熱、冷却を行う基板の温度調整装置及び方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボットで搬送された基板が停止する成膜室の入口の手前の位置であり、当該位置の基板の裏面側に、加熱した基板の裏面の温度を計測する温度計測装置を設け、当該温度計測装置により、加熱した基板の裏面の温度を計測し(S5)、計測した基板の裏面の温度が所定の温度範囲内にない場合(S6)、所定の温度範囲より大きい場合には、搬送ロボットで保持した状態で基板を冷却し(S7→S8)、所定の温度範囲より小さい場合には、搬送ロボットで再び加熱室へ搬送し、加熱室で加熱する(S7→S2)。 (もっと読む)


【課題】ガス管路118からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部113、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部115と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓111を備えた。 (もっと読む)


【課題】キャリアガス中の液体原料の蒸気の飽和度を向上可能な気化原料供給装置を提供する。
【解決手段】液体原料を貯留する貯留タンクと、前記貯留タンクを第1の温度に制御する第1の温度制御部と、前記貯留タンク内にキャリアガスを導入するキャリアガス導入管と、前記貯留タンクに接続され、前記キャリアガス導入管から前記貯留タンク内に導入された前記キャリアガスに前記液体原料の蒸気が含まれることにより生成される処理ガスを前記貯留タンクから流出させる処理ガス導出管と、前記処理ガス導出管が接続される流入口、前記流入口から流入する前記処理ガスを流出させる流出口を備える容器と、前記容器内の前記流入口と前記流出口の間に設けられ、前記処理ガスの流れを妨げる障害部材と、前記容器を前記第1の温度よりも低い第2の温度に制御する第2の温度制御部とを備える気化原料供給装置により上述の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】設置する場合に、建物内での設置の高さ制限が緩和された、またメンテナンスが簡単である成膜装置および気化器の設置方法を提供する。
【解決手段】成膜用液体材料供給系と、前記液体材料をキャリアガスと混合して気化させる気化器30aと、前記気化器30aから出る材料気化ガスを基板に流して膜を成膜させる成膜室40aと、前記気化器30aからのガスを、前記成膜室に供給する材料気化ガス供給配管50aとで構成される成膜装置であって、前記成膜室40aの側面と並行に、前記気化器40aが配置されことを特徴とする成膜装置とする。 (もっと読む)


【課題】膜厚の面間均一性を維持しつつ、膜厚の面内分布が中央凹の分布となることを抑止する。
【解決手段】複数枚の基板を処理する反応管と、反応管内を加熱するヒータと、反応管内で複数枚の基板を配列させて保持する保持具と、複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から反応管内に水素含有ガスを供給する第1ノズルと、基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から前記反応管内に酸素含有ガスを供給する第2ノズルと、反応管内を排気する排気口と、反応管内の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する圧力制御器と、を有し、第1ノズルには複数枚の基板の一枚一枚に対応しないように複数の第1ガス噴出孔が設けられ、第2ノズルには少なくとも複数枚の基板の一枚一枚に対応するように少なくとも複数枚の基板の枚数と同数の第2ガス噴出孔が設けられる。 (もっと読む)


【課題】信号遅延の抑制と絶縁性の向上との両立が可能な絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置を提供する。
【解決手段】
シリコン貫通電極用の貫通孔が形成されたシリコン基板を備える基板Sに絶縁膜を形成するに際し、抵抗加熱ヒータ33Hによって加熱された基板Sを収容する反応室31Sに、酸素ガス及びキャリアガスであるアルゴンガスと混合されたZr(BHを供給する。そして、Zr(BHを上記基板S上で熱酸化することによって、基板Sの表面及び上記貫通孔の内側面にジルコニウム、ホウ素、及び酸素を含む絶縁膜の一つであるZrBO膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 安価かつ簡便な手段によって電磁波の漏洩が確実に防止された堆積膜形成装置を提供すること。
【解決手段】 反応容器の中に導入された原料ガスに反応容器を通じて励起電力を印加して励起種を生成し基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記反応容器は反応容器本体と前記反応容器本体から電気的に絶縁された反応容器構成体とからなり、前記堆積膜形成装置は前記反応容器の外部を取り囲むように配置され且つ接地電位とされた電磁波遮蔽筐体を有し、電磁波遮蔽箔体が前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体との間の空隙を塞ぐように且つ前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体とを電気的に接続するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】基板面内の膜組成及び膜特性を均一に保持することが可能な薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】ステージ52上の基板Wを加熱しつつ、ステージ52と対向するガスヘッド53から、蒸気圧の異なる複数の金属元素を含む第1の成膜用ガスが基板Wの中央に供給され、複数の金属元素を第1の成膜用ガスとは異なる組成比で含む第2の成膜用ガスが基板Wの周縁に供給されることで、基板W上に薄膜が製造される。チャンバ51内では基板W上の中央から周縁に向かってガスの流れが発生するが、第1の成膜用ガスと第2の成膜用ガスとによって、基板W上のガスの分布を最適化することができる。 (もっと読む)


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