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国際特許分類[H01L21/31]の内容

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【課題】急速加熱処理における温度分布は、ウエハのパターニングに依存し変化する。急速加熱処理(RTP)の均一性は大幅に高める方法を提供する。
【解決手段】ウエハ12や他の基板を熱的に処理する装置60及び方法(例えば、急速加熱処理)放射ランプ26の列24は、ウエハを加熱する為にウエハの裏側に放射を向ける。ウエハの表側は、パターン化された集積回路16が形成されるが、放射反射器28に面する。ランプがウエハの上方にあるとき、エッジリングは、ウエハをそのエッジ排除ゾーンで支持する。あるいは、リアクタは、上方に向けられたランプ26と、反射器28を上方に含み、ウエハの表側に面する。 (もっと読む)


【課題】処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】石英製の処理容器8内で保持手段22に保持された複数の被処理体Wの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うようにした成膜装置の運用方法において、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面にカーボン膜の密着性を向上させる密着膜70を形成する密着膜形成工程を行うようにする。これにより、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル3が第一石英板4に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、スパイラルコイル3が第一石英板4に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】電極を縮みにくくし、処理される基板の品質を均一なものとする
【解決手段】 基板を収容する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、を備え、前記電極は、金属で構成される芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材と、を有する。 (もっと読む)


【課題】低温領域において、フッ化水素に対する耐性の高い窒化膜を形成する。
【解決手段】基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒化ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に窒化膜を形成する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】導電性の筒状部材を真空容器内に配置すると共に、筒状部材での微小放電を抑制するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内周面にアルマイト層31aが形成されたアルミニウムからなる筒状部材31を、金属製の真空容器12の内壁面に沿って配置すると共に、真空容器12の内部の支持台21、22上に処理対象の基板Wを静電吸着して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空容器12の内壁面の全周に渡って形成され、当該内壁面から突設された段差部12aと、段差部12aの上面の全周に渡って配置された弾性変形可能な金属製のチューブリング32とを有し、チューブリング32を介して、筒状部材31を段差部12a上に載置した。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、スパイラルコイル3が第一石英板4、第二石英板5、及び、冷媒ケース16によって囲まれた冷媒流路内に配置され、最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二石英板5と冷媒ケース16とは、ボルト19をタップ18にねじ込むことにより、固定される。第二石英板5及び第三石英板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】液体原料の温度を精度よく制御できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板200が収容される処理室201と、気化空間271を有し、気化空間内に封じ込められた液体原料270を気化して気化ガスを生成する液体原料容器260と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ライン240aと、液体原料容器内の液体原料を加熱するための加熱装置263と、気化空間内の圧力を測定する圧力計261と、気化空間内の圧力計による測定圧力に基づいて加熱装置を制御する制御部266と、を有する。 (もっと読む)


【課題】消費エネルギーを抑制しつつ成膜性能を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウエハ2を処理室20へ搬入する搬入工程(S1)と、処理室20を排気する排気工程と、処理室20を所定の圧力まで降下する降圧工程(S2)と、複数の処理ガスを供給してウエハ2に膜を形成する成膜工程(S4)と、処理室20を所定の圧力まで上昇する昇圧工程(S7)と、ウエハ2を処理室20から搬出する搬出工程(S8)と、成膜工程(S4)における排気量が、降圧工程(S2)及び昇圧工程(S7)における排気量よりも大きくなるように調整する調整工程と、を有する。 (もっと読む)


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