【課題】 熱応力によるウエハ保持体の破損が生じにくく、且つ均熱性に優れたウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 埋設された発熱体２を有し、窒化アルミニウムを主成分とする材料で構成される基板１と、この基板１に機械的に結合してこれを支持する筒状の支持体４とからなる半導体製造装置用ウエハ保持体であって、支持体４の内側には基板１の温度測定用の測温素子１１を収納する筒状体１２が設けられており、筒状体１２の内側は大気雰囲気であり且つ支持体４の内側の雰囲気から隔離されている （もっと読む）

【課題】 多段に積層された基板の中心付近への処理ガスの供給を促進させる。
【解決手段】 積層された複数の基板を収容して処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、を備え、処理ガス供給系は、基板の積層方向に沿って延在し、内部を処理ガスが流れるノズル軸と、上流端がノズル軸の長手方向に沿って配列するようにノズル軸の胴部にそれぞれ接続され、下流側にノズル軸内を流れた処理ガスを分散させて供給するガス供給口がそれぞれ設けられ、上流端と前記ガス供給口との間の距離が、ノズル軸と基板の外縁との間の距離よりもそれぞれ長く構成されている複数のノズルと、を備える。 （もっと読む）

【課題】液体原料の温度を精度よく制御できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００が収容される処理室２０１と、気化空間２７１を有し、気化空間内に封じ込められた液体原料２７０を気化して気化ガスを生成する液体原料容器２６０と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ライン２４０ａと、液体原料容器内の液体原料を加熱するための加熱装置２６３と、気化空間内の圧力を測定する圧力計２６１と、気化空間内の圧力計による測定圧力に基づいて加熱装置を制御する制御部２６６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO₂パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程チャンバと真空ポンプの間に位置し、低圧プラズマを生成して工程チャンバから排出される汚染物質を除去するプラズマ反応器を提供する。
【解決手段】プラズマ反応器３１０は、内部にプラズマ生成空間を形成する少なくとも１つの誘電体３０と、誘電体３０の少なくとも一端に連結する接地電極４１，４２と、誘電体３０の外周面に固定され、交流電源部６０と連結して交流駆動電圧が印加される少なくとも１つの駆動電極５０と、を含み、接地電極４１，４２は、プラズマ反応器３１０の長さ方向に沿って非均一直径を有する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュ加熱処理時における薄膜の過度の加熱を抑制することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】表面に二酸化ケイ素の基材を形成し、さらにその上にアモルファスシリコンの薄膜を形成した半導体ウェハーＷをチャンバー６内に搬入する。フラッシュランプＦＬへの電力供給回路には絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）が接続されており、そのＩＧＢＴによってフラッシュランプＦＬへの通電時間を０．０１ミリ秒以上１ミリ秒以下とすることにより、フラッシュ光照射時間を０．０１ミリ秒以上１ミリ秒以下としている。顕著に短いフラッシュ光照射時間にてフラッシュ加熱処理を行うため、アモルファスシリコンの薄膜が過度に加熱されることは抑制され、当該薄膜が剥離するなどの弊害が防止される。 （もっと読む）

【課題】流量制御機器の流量精度を常時監視しつつ、必要な場合には、再検定又は流量監視ユニット自体の自己診断を含む、より信頼性の高い流量検定を行う。
【解決手段】ガスを流量制御機器を経由してから所定のプロセスチャンバに供給する複数のプロセスガスラインに配設し、流量制御機器の前後におけるガス圧の下降又は上昇を測定することで流量制御機器の流量監視を行うガス流量監視システムにおいて、プロセスガスラインの内、選択した任意のプロセスガスラインの流量制御機器の上流側流路に備える第１流量監視ユニットと、プロセスチャンバの上流側流路から分岐する排出流路に備える第２流量監視ユニットと、第１流量監視ユニットによって流量制御機器の流量を常時監視するとともに、第１流量監視ユニットが複数回流量異常と検知した時に第２流量監視ユニットによって流量制御機器の流量異常の有無を再検定するよう指令する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理部を順番に通過させ、複数種類の処理ガスを順番に供給すると共にプラズマ処理を行うにあたり、基板に均一な成膜処理を行うこと。
【解決手段】回転テーブルにおける基板載置領域側の面にプラズマ生成用のガスを供給するガス供給部と、プラズマ生成用のガスを誘導結合によりプラズマ化するために、前記回転テーブルの中央部から外周部に亘って伸びるように当該回転テーブルにおける基板載置領域側の面に対向して設けられたアンテナと、を備えるように装置を構成する。そして、前記アンテナは、前記基板載置領域における回転テーブルの中央部側との離間距離が、前記基板載置領域における回転テーブルの外周部側との離間距離よりも３ｍｍ以上大きくなるように配置する。 （もっと読む）

【課題】改良されたプラズマ均一性制御のための電気的な、ガス流の、及び熱的な対称性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理領域１０２を囲む蓋アセンブリ１１０及びチャンバ本体アセンブリ１４０と、チャンバ本体アセンブリ１４０内に配置された基板支持アセンブリ１６０と、チャンバ本体アセンブリ１４０によって排気領域１０４を画定する排気アセンブリ１９０であって、チャンバ本体アセンブリ１４０は処理領域１０２を排気領域１０４と流体接続する基板支持アセンブリ１６０の中心軸ＣＡの周りに対称的に配置された複数のアクセスチューブ１８０を含む。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスによる腐食反応を低減する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の処理炉１０におけるマニホールド１７と排気管２０とクリーニングガス導入ノズル５１と原料ガス導入ノズル３１とに第一加熱源６１と第二加熱源６２と第三加熱源６３と第四加熱源６４とを敷設し、加熱源６１〜６４は温度制御部６０に接続する。温度制御部６０はマニホールド１７と排気管２０とクリーニングガス導入ノズル５１と原料ガス導入ノズル３１との温度をクリーニングガスが多層吸着しない程度の温度となるように制御する。クリーニングガスによる腐食反応を低減できるので、マニホールド１７と排気管２０とクリーニングガス導入ノズル５１と原料ガス導入ノズル３１の定期的交換の頻度を減少でき、ＣＶＤ装置のメンテナンス性能を向上できる。 （もっと読む）