説明

国際特許分類[H01L21/31]の内容

国際特許分類[H01L21/31]の下位に属する分類

国際特許分類[H01L21/31]に分類される特許

61 - 70 / 3,794


【課題】基板の一面と他面にそれぞれ機能膜を効率よく成膜することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア35はフレーム41を備えている。フレーム41は、支持した基板Wの一面Wa側、および他面Wb側をそれぞれ露出させる開口(開口部)41a,41bがそれぞれ形成されている。フレーム41の一端には、キャリア35をアノードとして機能させるためのアノード接点43が設けられている。キャリア35は、第一成膜室(プロセス室)や第二成膜室(プロセス室)において、アノード接点43を介して接地側に電気的に接続され、アノードして機能する。 (もっと読む)


【課題】プラスチック基板上に塗布印刷を用いて所望の特性を有する膜を形成することができる膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に塗布組成物を塗布した塗布膜からなるパターンが形成された部材を作製する工程1、部材に超音波を照射して塗布膜の乾燥および/または改質を行う工程2を備え、溶液状態の塗布膜に化学作用を及ぼして、デバイスに用いられる配線膜、電極膜、絶縁膜などの所定の膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】処理室内において処理空間から非処理空間へのマイクロ波の漏洩を抑制し、非処理空間内の基板搬送口等に設けられるOリングの焼損やパーティクルの発生を抑制する手段を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室110を形成し導電性の壁で構成される処理容器18と、処理室内に設けられ、基板が載置される側の基板載置面と該基板載置面と垂直な側壁とを有する導電性の基板支持台12と、基板加熱処理時における基板載置面側の空間である処理空間へマイクロ波を供給するマイクロ波供給部23と、基板加熱処理時における基板載置面と反対側の空間である非処理空間130を形成する処理容器の壁に設けられ、基板を処理室内外へ搬送する基板搬送口71と、基板支持台の側壁又は該側壁に対向する処理容器の内壁に設けられ、処理空間へ供給されたマイクロ波が非処理空間へ通過することを抑制するマイクロ波通過抑制用の溝17と、を備えるた基板処理装置。 (もっと読む)


【課題】ボイドやシームの発生を抑制することができるシリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、半導体ウエハ10にシリコンプリカーサと過酸化水素とを含む成膜用ガスを供給して、半導体ウエハ10の溝を埋め込むようにシリコン酸化膜を成膜する。制御部100は、反応管2内に複数の半導体ウエハ10を収容し、反応管2内を113Pa〜6650Paに設定する。また、制御部100は、過酸化水素の流量をシリコンプリカーサの流量の3倍〜20倍に設定する。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置における成膜処理結果に異常があった場合、処理時に用いられたパラメータ及びこのパラメータの基準となる基準パラメータの比較結果を利用することにより、全てのパラメータを利用する場合に比べ、異常の原因となるパラメータを特定しやすくする群管理装置を提供する。
【解決手段】基板処理に用いられるパラメータを受け付ける受付手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータの基準となる基準パラメータを設定する設定手段と、前記受付手段によって受け付けられたパラメータと、前記設定手段によって設定された基準パラメータとを比較する比較手段と、前記比較手段による比較結果を少なくとも記憶する記憶手段と、前記比較手段による比較結果を表示する表示手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】充填筒に充填したガス処理剤を有効に使用し、充填筒の交換の際にも排ガスを系外に放出することなく充填筒を安全に交換することができる排ガス処理方法を提供する。
【解決手段】ガス処理剤をそれぞれ充填した複数の充填筒10,20に排ガスを導入し、該排ガス中の有害成分を除去処理する排ガス処理方法において、前記複数の充填筒の内の一つの充填筒10に前記排ガスを導入して前記有害成分の除去処理を行い、該充填筒10から導出した処理ガスを検出手段30に導入して前記有害成分の有無を検出し、該検出手段から導出される処理ガスを他の充填筒20を経由して排出するとともに、該検出手段で有害成分を検出したときに、排ガスの導入を他の充填筒20に切り換えた後、該一つの充填筒10内の有害成分をパージし、パージガスを検出手段30を通じて他の充填筒20に導入し、検出手段30で有害成分が検出されなくなったら新たな充填筒に交換する。 (もっと読む)


【課題】膜厚を確保することが可能な成膜装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる成膜装置は溝を有する基板に液体材料を供給して前記溝内に前記液体材料を埋め込み、液層を形成する塗布部と、前記溶液層を乾燥させて固化する乾燥部と、前記乾燥中に前記液層の表面に蒸気を照射する蒸気供給部と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波処理装置において被処理体に対して均一な処理を行う。
【解決手段】マイクロ波処理装置1は、ウエハWを収容する処理容器2と、マイクロ波導入装置3と、制御部8とを備えている。マイクロ波導入装置3は、マイクロ波を生成する複数のマグネトロン31を有し、制御部8は、ウエハWを処理するための状態が継続している間に、複数のマグネトロン31の各々を任意に組み合わせた複数の組み合わせ毎に、且つ、各組み合わせ内で同期して、マイクロ波を生成する状態とマイクロ波を生成しない状態とが交互に複数回繰り返されるように、複数のマグネトロン31を制御する。 (もっと読む)


【課題】少ない雰囲気ガスの量でチャンバー内の不純物を効率的に除去することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、チャンバー4と、噴出口部5と、吸入口部6とを備えている。チャンバー4は、複数の側面2を有する側面部3を含む。噴出口部5は、チャンバー4に雰囲気ガス7を供給するためのものである。吸入口部6は、チャンバー4から雰囲気ガス7を排気するためのものである。噴出口部5と吸入口部6とは側面2に沿って配置されている。噴出口部5と吸入口部6との少なくとも一方は線形状であり、かつ側面2の周縁側に配置されている。 (もっと読む)


【課題】基板に与える悪影響を抑制しつつフラッシュ加熱処理を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置1のチャンバー6内には、表面にレジスト膜を形成した半導体ウェハーWが搬入され、保持プレート7によって保持される。フィルタ機構2は、当該レジスト膜が感光する波長域の光をカットするフィルタ20をチャンバー6のチャンバー窓61とフラッシュ照射部5のフラッシュランプFLとの間に挿入する。フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光がフィルタ20を透過するときに当該波長域の光がカットされ、そのカット後のフラッシュ光が半導体ウェハーWの表面に照射される。当該波長域の光をカットしたフラッシュ光照射によってレジスト膜の感光を抑制しつつ必要なフラッシュ加熱処理を行うことができる。 (もっと読む)


61 - 70 / 3,794