国際特許分類[H01L21/31]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787)
国際特許分類[H01L21/31]の下位に属する分類
後処理
有機物層,例.フォトレジスト (1,275)
無機物層, (4,431)
マスクを用いるもの (1)
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理 (7,286)
国際特許分類[H01L21/31]に分類される特許
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電子部品製造装置
【課題】電子部品製造装置に異常が発生した場合に、基板の加熱が継続されることを抑制すること。
【解決手段】基板10を上面に搭載するステージ20と、前記ステージを加熱することにより前記基板を加熱するヒータ22と、電子部品製造装置に異常が発生すると、前記ステージから前記基板を離間させる離間機構11と、を具備する電子部品製造装置。
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プラズマ発生装置およびCVD装置
【課題】金属機能物質粒子ガスを生成し、当該生成金属機能物質粒子ガスをCVDチャンバー側に供給することが可能なプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、電極セルと、当該電極セルを囲繞する筐体とを備えている。前記電極セルは、第一の電極3と、放電空間6と、第二の電極1と、誘電体2a,2bと、平面視において中央部に形成された貫通口PHとを、有する。円筒形状の絶縁筒部21が、貫通口PHの内部に配設されており、円筒形状の絶縁筒部21側面部に噴出孔21xを有する。さらに、プラズマ発生装置は、絶縁筒部21の空洞部21Aに配設される導電性部材を備えている。
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半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
【課題】形成した絶縁膜のリーク電流を抑制することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理室にそれ単独で固体となる第1の元素を含む第1の処理ガスをCVD反応が生じる温度条件下で供給することで、前記基板上に前記第1の元素を含む第1の層を形成する工程と、前記処理室にそれ単独では固体とならない第2の元素を含む第2の処理ガスを供給することで、前記第2の処理ガスと前記第1の層を反応させ前記第1の元素および前記第2の元素を含む第2の層を形成する工程と、を1回ずつ含むサイクルを1サイクルとして、このサイクルを1回以上行うことで、所定膜厚の前記第1の元素および前記第2の元素を含む薄膜を形成する。
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排気トラップ
【課題】捕集効率の向上と閉塞の低減とを両立可能な排気トラップを提供する。
【解決手段】処理装置からの排ガスを流入させる流入口と、前記流入口から流入した前記排ガスを流出させる流出口と、第1の開口寸法を有する一又は複数の第1の開口部、及び前記第1の開口寸法よりも小さい第2の開口寸法を有する複数の第2の開口部を有し、前記流入口と前記流出口との間において前記流入口から前記流出口へ流れる前記排ガスの流れの方向と交差するように配置される複数のバッフル板とを備え、前記複数のバッフル板のうちの一つのバッフル板の前記第1の開口部と、隣のバッフル板の前記第1の開口部とが前記流れの方向に対して互いにずれており、前記複数のバッフル板のうちの隣り合う2つのバッフル板の間隔が、前記第2の開口寸法の0.5から2倍の範囲にある排気トラップにより上述の課題が達成される。
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基板冷却機構および基板冷却方法ならびに熱処理装置
【課題】複数の基板を加熱するバッチ式の熱処理装置において、熱処理後の基板を速やかに、かつ均一に冷却することができる冷却機構および冷却方法、ならびにこのような冷却機構を備えた熱処理装置を提供すること。
【解決手段】処理容器11内の基板保持部材15と加熱手段12との間に挿入される挿入位置と挿入位置から引き出された引き出し位置との間で移動可能であり、熱処理後の基板Wへの輻射熱を遮蔽する筒状をなす熱遮蔽部材30と、処理容器11の外部に配置された空冷ポート21とを有し、熱遮蔽部材30は、引き出し位置において、2つの半筒状部材31が合体および分離可能に設けられており、これらが合体した状態で、熱遮蔽部材30が引き出し位置と挿入位置との間で移動し、かつ外側面が相対的に低輻射率の材料で構成され、内側面が相対的に高輻射率の材料で構成されている。
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基板処理装置
【課題】ガス種による排気性のばらつきを解消し、ボックス内における処理ガスの対流を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のウエハに対して処理ガスにより熱処理を施すための処理炉を収容する装置本体100と、前記処理ガスの供給を制御するガス制御ユニットを収容するガスボックス300と、を有し、前記ガスボックス300の上方に設けられた吸気口305から外気を取り込み、前記ガスボックスの下部に設けられた排気口303から該ガスボックス内部の雰囲気を排気する。
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基板処理装置及び成膜装置
【課題】処理領域の反応ガスの濃度及び分圧を高めることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理領域に設けられ、基板の載置領域の移動方向と交差するように伸びると共に、その長さ方向に沿って吐出口が形成された反応ガス供給用のガスノズルと、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するための分離ガスが供給され、回転テーブルの回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、ガスノズルの周囲に反応ガスを滞留させるためのカバー部材と、を備え、さらに前記回転方向上流側の側壁部の下部から、回転方向上流側から流れる分離ガスを前記カバー部材の上方へガイドするガイド面を備えるように装置を構成する。そして、ガスノズルとカバー部材における回転方向上流側の側壁部との間隔を、ガスノズルから供給された反応ガスが回転方向上流側から前記ガイド面に回り込まないように設定する。
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基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【課題】 基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減する。
【解決手段】 処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、処理室内に搬入された基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、少なくとも処理系及び処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、処理系への電力供給路上に設けられた第1の開閉器と、処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第2の開閉器と、を備える。
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酸化アルミニウム焼結体およびその製造方法
【課題】比較的低コストで製造でき、低い静電正接を有し、加工性に優れた酸化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムの純度が99.0重量%以上の酸化アルミニウム焼結体であって、酸化チタンおよび二酸化ケイ素が合計で0.2重量%以上0.8重量%以下含有され、酸化アルミニウム粒子の長尺方向の平均粒径が20μm以上である。このように、酸化チタンが含有されることで、酸化アルミニウム粒子が粗大化し、酸化アルミニウム粒子同士の粒界が少なくなるため、誘電正接を低下させることができる。一方で、二酸化ケイ素が含有されるため、安定的に誘電正接を低下させることができる。また、粒子が粗大化することによって加工性を向上させることができる。また、極端に高い酸化アルミニウムの純度は不要であり、低コスト化できる。
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マイクロ波処理装置およびその制御方法
【課題】複数のマイクロ波源と処理容器との間のインピーダンス整合の精度を向上させる。
【解決手段】マイクロ波処理装置1は、ウエハWを収容する処理容器2と、ウエハWを処理するためのマイクロ波を生成して処理容器2に導入するマイクロ波導入装置3と、マイクロ波導入装置3を制御する制御部8とを備えている。マイクロ波導入装置3は、マイクロ波を生成する複数のマグネトロン31と、複数のマグネトロン31において生成されたマイクロ波を処理容器2に伝送する複数の導波管32とを有し、複数のマイクロ波を同時に処理容器2に導入することが可能である。制御部8は、複数のマイクロ波を同時に処理容器2に導入する第1の状態が継続している間に、選択的且つ一時的に、複数のマグネトロン31のうちの1つにおいてマイクロ波を生成し、このマイクロ波のみを処理容器2に導入する第2の状態に切り替える。
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