国際特許分類[H01L21/316]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787) | 無機物層, (4,431) | 酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの (3,052)
国際特許分類[H01L21/316]に分類される特許
11 - 20 / 3,052
半導体記憶装置及びその製造方法
【課題】エッチングに対して耐性を持つ保護膜が設けられた記憶素子を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体記憶装置は、半導体基板の上面に形成された複数の記憶素子と、隣り合う各記憶素子の間に埋め込まれた層間絶縁膜と、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、各記憶素子の側面において膜厚が10nm以下である保護膜と、層間絶縁膜中に形成されたコンタクトとを有し、保護膜は、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は、酸窒化シリコン膜からなる第1の保護膜と、第1の保護膜上に連続的に形成され、且つ、ボロン膜又は窒化ボロン膜からなる第2の保護膜とを有する。
(もっと読む)
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
【課題】酸化物をチャネル及びゲート絶縁層に適用した薄膜トランジスタの高性能化、又はそのような薄膜トランジスタの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。
【解決手段】本発明の1つの薄膜トランジスタ100は、ゲート電極220とチャネル40との間に、ゲート電極20に接する、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる第1酸化物(不可避不純物を含み得る)の層32と、チャネル40に接する、ランタン(La)とタンタル(Ta)とからなる酸化物、ランタン(La)とジルコニウム(Zr)とからなる酸化物、及びストロンチウム(Sr)とタンタル(Ta)とからなる酸化物の群から選択される1種の第2酸化物(不可避不純物を含み得る)の層34との積層酸化物30を備え、チャネル40が、インジウム(In)と亜鉛(Zn)とからなるチャネル用酸化物(不可避不純物を含み得る)である。
(もっと読む)
基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
【課題】膜厚の面間均一性を維持しつつ、膜厚の面内分布が中央凹の分布となることを抑止する。
【解決手段】複数枚の基板を処理する反応管と、反応管内を加熱するヒータと、反応管内で複数枚の基板を配列させて保持する保持具と、複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から反応管内に水素含有ガスを供給する第1ノズルと、基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の複数箇所から前記反応管内に酸素含有ガスを供給する第2ノズルと、反応管内を排気する排気口と、反応管内の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する圧力制御器と、を有し、第1ノズルには複数枚の基板の一枚一枚に対応しないように複数の第1ガス噴出孔が設けられ、第2ノズルには少なくとも複数枚の基板の一枚一枚に対応するように少なくとも複数枚の基板の枚数と同数の第2ガス噴出孔が設けられる。
(もっと読む)
被膜形成用組成物およびその製造方法ならびにそれを用いた太陽電池モジュール
【課題】太陽電池(光電変換素子)の反射防止膜等に適応可能な、チタニア・シリカを主成分とする被膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】アルコキシシラン化合物の加水分解物および/またはその部分縮合体と、過酸化チタンと、シリカ微粒子と水とを少なくとも含有する被膜形成用組成物であって、その被膜形成用組成物の製造工程は、シリカ微粒子を含有し、pHが7.0〜11.0のコロイダルシリカゾルと、アルコキシシラン化合物の加水分解物および/またはその部分縮合体を含有し、そのpHが6.0〜8.0の組成物とを混合する工程を少なくとも含む被膜形成用組成物。
(もっと読む)
シリコン酸化物膜の成膜方法
【課題】 表面ラフネスが良好なシリコン酸化物膜を得ることが可能なシリコン酸化物膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地1上にシード層2を形成する工程と、シード層2上にシリコン膜3を形成する工程と、シリコン膜3及びシード層2を酸化し、下地1上にシリコン酸化物膜4を形成する工程と、を具備する。
(もっと読む)
半導体装置の製造方法
【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜8bを形成する工程と、タングステン膜8b上に窒化チタン膜からなる下部電極13を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極13上に容量絶縁膜14を形成する工程と、容量絶縁膜14上に上部電極15を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
(もっと読む)
積層構造体、強誘電体ゲート薄膜トランジスター及び強誘電体薄膜キャパシター
【課題】強誘電体ゲート薄膜トランジスターの伝達特性が劣化し易い(例えばメモリウインドウの幅が狭くなり易い)という問題をはじめとして、PZT層から酸化物導電体層にPb原子が拡散することに起因して生ずることがある種々の問題が解決された強誘電体ゲート薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】強誘電体ゲート薄膜トランジスター20は、チャネル層28と、チャネル層28の導通状態を制御するゲート電極層22と、チャネル層28とゲート電極層22との間に配置された強誘電体層からなるゲート絶縁層25とを備え、ゲート絶縁層(強誘電体層)25は、PZT層23と、BLT層24(Pb拡散防止層)とが積層された構造を有し、チャネル層28(酸化物導電体層)は、ゲート絶縁層(強誘電体層)25におけるBLT層(Pb拡散防止層)24側の面に配置されている。
(もっと読む)
絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置
【課題】信号遅延の抑制と絶縁性の向上との両立が可能な絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置を提供する。
【解決手段】
シリコン貫通電極用の貫通孔が形成されたシリコン基板を備える基板Sに絶縁膜を形成するに際し、抵抗加熱ヒータ33Hによって加熱された基板Sを収容する反応室31Sに、酸素ガス及びキャリアガスであるアルゴンガスと混合されたZr(BH4)4を供給する。そして、Zr(BH4)4を上記基板S上で熱酸化することによって、基板Sの表面及び上記貫通孔の内側面にジルコニウム、ホウ素、及び酸素を含む絶縁膜の一つであるZrBO膜を形成する。
(もっと読む)
薄膜トランジスタ
【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板1と、ゲート電極配線2と、ゲート絶縁膜3と、チャネルとなる第1の半導体層4と、第1及び第2のコンタクト層5a、5bとなる第2の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線7a、7bとを有し、ソース又はドレイン電極配線7a、7bに対して露出する第2の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層6a、6bが形成されている。
(もっと読む)
マグネトロンスパッタリング装置及びマグネトロンスパッタリング方法
【課題】ターゲットに対して相対的に移動可能なマグネットを備えたマグネトロンスパッタリング装置において、放電電圧を安定させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタリング装置1は、ターゲット8に対して相対的に移動可能で電磁石を有するマグネット12を備える。ターゲット8に放電用の電圧を印加し、かつ、当該放電電圧の値をフィードバックしてPID制御部10に出力する放電用電源9と、マグネット12の電磁石に対する通電量を制御する電磁石制御用電源11とを有する。PID制御部10は、放電用電源9から入力された放電電圧の値と目標とする放電電圧の値に基づいてマグネット12の電磁石に対する通電量をPID制御するように構成されている。
(もっと読む)
11 - 20 / 3,052
[ Back to top ]