【課題】シリコン表面のプラズマ酸化により、界面準位密度が低くリーク電流の少ない高品質な酸化膜をシリコン表面上に形成する。
【解決手段】
酸化膜の形成方法は、ＫｒとＯ_２の混合ガス中にプラズマを形成することにより原子状酸素Ｏ＊を発生させ、前記原子状酸素Ｏ＊によりシリコン表面をプラズマ酸化するプラズマ酸化工程を含み、前記プラズマ酸化工程は、８００〜１２００ｍＴｏｒｒの圧力範囲において実行される。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】ＨＥＭＴは、ＳｉＣ基板１上に、化合物半導体層２と、開口６ｂを有し、化合物半導体層２上を覆う、窒化珪素（ＳｉＮ）の保護膜６と、開口６ｂを埋め込むように化合物半導体層２上に形成されたゲート電極７とを有しており、保護膜６は、その下層部分６ａが開口６ｂの側面から張り出した張出部６ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた低温プロセスで形成する信頼性の高い薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、基板１００と、前記基板上の一部に設けられたゲート電極１１０と、前記ゲート電極を覆う第１の絶縁膜１２０と、前記第１の絶縁膜を介して前記ゲート電極上に設けられた酸化物半導体膜１３０と、前記酸化物半導体膜上の一部に設けられた第２の絶縁膜１５０と、前記酸化物半導体膜から露出する酸化物半導体膜の一部と接続されたソース電極１４０Ｓおよびドレイン電極１４０Ｄと、を備え、前記酸化物半導体膜はＩｎと、Ｇａと、Ｚｎのうち少なくとも一つの元素を含む酸化物半導体を有し、前記第１の絶縁膜中に含有される水素濃度が５×１０^２０atm/ｃｍ^−３以上であり、かつ、前記第２の絶縁膜中に含有される水素濃度が１０^１９atm/ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】ボイドやシームの発生を抑制することができるシリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、半導体ウエハ１０にシリコンプリカーサと過酸化水素とを含む成膜用ガスを供給して、半導体ウエハ１０の溝を埋め込むようにシリコン酸化膜を成膜する。制御部１００は、反応管２内に複数の半導体ウエハ１０を収容し、反応管２内を１１３Ｐａ〜６６５０Ｐａに設定する。また、制御部１００は、過酸化水素の流量をシリコンプリカーサの流量の３倍〜２０倍に設定する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ2膜形成の間にＯＨ結合の形成を妨げるか制限する４００℃またはそれ以下の温度で基板上にシリコン酸化物含有膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】ａ）ＰＥＣＶＤ反応チャンバ１１内に基板を収納すること、ｂ）少なくとも１つのシリコン含有化合物、ここで前記シリコン含有化合物はビス（ジエチルアミノ）シランである、を前記反応チャンバに注入すること、ｃ）オゾン、酸素および／または湿気（水分）からなる群から選ばれる少なくとも１つの酸素含有ガスを前記反応チャンバに注入すること、ｄ）前記基板上に堆積されるシリコン酸化物含有膜を得るために前記反応チャンバ内で少なくとも１つのシリコン含有化合物と少なくとも１つの酸素含有ガスを４００℃未満の温度で反応させること、ｅ）所期の膜厚が得られるまで工程ｂ）〜ｄ）を繰返すこと。 （もっと読む）

【課題】基板に与える悪影響を抑制しつつフラッシュ加熱処理を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１のチャンバー６内には、表面にレジスト膜を形成した半導体ウェハーＷが搬入され、保持プレート７によって保持される。フィルタ機構２は、当該レジスト膜が感光する波長域の光をカットするフィルタ２０をチャンバー６のチャンバー窓６１とフラッシュ照射部５のフラッシュランプＦＬとの間に挿入する。フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光がフィルタ２０を透過するときに当該波長域の光がカットされ、そのカット後のフラッシュ光が半導体ウェハーＷの表面に照射される。当該波長域の光をカットしたフラッシュ光照射によってレジスト膜の感光を抑制しつつ必要なフラッシュ加熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】特定の構造を有する有機ケイ素化合物を、化学気相成長法（ＣＶＤ）により成膜し、炭素含有酸化ケイ素膜を得て、それを封止膜として使用する。
【解決手段】少なくとも一つのケイ素原子に直結した二級炭素水素基を有し、ケイ素原子１に対し、酸素原子が０．５以下の原子比を有する有機ケイ素化合物、例えば下記一般式（１）を原料として用い、ＣＶＤにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる膜を封止膜としてガスバリア部材、ＦＰＤデバイス、半導体デバイス等に用いる。


（式中、Ｒ^１，Ｒ^２は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^１，Ｒ^２は互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｒ^３，Ｒ^４は炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】多数の半導体ウエハを水平に保持して使用する高温熱処理用ボートを使用しても半導体ウエハへのスリップ欠陥の発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】一体に固着された複数の高耐熱性支柱１がそれぞれ所定の間隔に刻まれた支持溝２を備え、該支持溝２は、前記複数の高耐熱性支柱１を直立させた状態で複数枚の半導体ウエハ３ａ、３ｂを水平に前記所定の間隔で保持する相互配列を備える高温熱処理用ボート１０を使用して、該ボート１０に保持される複数枚の半導体ウエハ群領域６、７の直上、直下に少なくともダミーウエハ３ｂ（１）を１枚配設し、該ダミーウエハ３ｂ（１）の直上、直下には少なくとも１枚分の空間を空けて、さらに延長部にダミーウエハ３ｂを複数枚配設して高温熱処理炉に炉入れする高温熱処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等として有用なチタン酸化物膜及びケイ素酸化物膜を、低温で作製可能な方法、その原料錯体を提供する。
【解決手段】


（式中、Ｍはチタン原子又はケイ素原子を表す。Ｒ^１及びＲ^４はＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基を表す。Ｒ^２及びＲ^３は水素原子又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル基を表す。Ｒ^５は、Ｃ_１〜Ｃ_６アルコキシ基又はジ（Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル）アミノ基を表し、ＱはＣ_１〜Ｃ_３アルキル基で置換されていてもよいＣ_２〜Ｃ_６メチレン基を表す。）で示される錯体（１）と、酸素ガス、空気、オゾン、水、過酸化水素の一種類以上とを反応させて得られる製膜用材料。 （もっと読む）