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国際特許分類[H01L21/318]の内容

国際特許分類[H01L21/318]に分類される特許

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【課題】環境負荷が小さく、歪量が大きい液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電体層70と圧電体層70に設けられた電極60,80とを具備する圧電素子300を備え、圧電体層70は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、圧電体層70に駆動電圧Vを印加したときの変位量をZmax、その後印加電圧を0Vにしたときの変位量をZとしたとき、(Zmax−Z)/Vが70pm/V以上且つ比誘電率が700以下である。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜の透過率を低下させることなく、絶縁保護膜を形成することができる絶縁保護膜形成方法を提供する。
【解決手段】透明基板に形成された透明導電膜上にプラズマ処理により絶縁保護膜を形成する絶縁保護膜形成方法において、基板の単位面積当たりのプラズマのRFパワーを1.84W/cm2以下とし、加熱時間を60秒以下として、プラズマにより透明基板を加熱し(S1)、RFパワーを1.84W/cm2以下として、透明導電膜上に第1の絶縁保護膜を形成し(S2)、RFパワーを1.84W/cm2より大きくして、第1の絶縁保護膜上に第2の絶縁保護膜を形成する(S3)。 (もっと読む)


【課題】エッチングに対して耐性を持つ保護膜が設けられた記憶素子を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体記憶装置は、半導体基板の上面に形成された複数の記憶素子と、隣り合う各記憶素子の間に埋め込まれた層間絶縁膜と、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、各記憶素子の側面において膜厚が10nm以下である保護膜と、層間絶縁膜中に形成されたコンタクトとを有し、保護膜は、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は、酸窒化シリコン膜からなる第1の保護膜と、第1の保護膜上に連続的に形成され、且つ、ボロン膜又は窒化ボロン膜からなる第2の保護膜とを有する。 (もっと読む)


【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板1と、ゲート電極配線2と、ゲート絶縁膜3と、チャネルとなる第1の半導体層4と、第1及び第2のコンタクト層5a、5bとなる第2の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線7a、7bとを有し、ソース又はドレイン電極配線7a、7bに対して露出する第2の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層6a、6bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜5およびゲート電極6n,6pの側面にサイドウォール9を形成した後、サイドウォール9の両側の半導体基板1に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板1の主面上に第1絶縁膜14、第2絶縁膜15、および第3絶縁膜16を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第1絶縁膜14は、第2絶縁膜15よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第2絶縁膜15とエッチング選択比が異なる膜である。第2絶縁膜15は、第1絶縁膜14よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第3絶縁膜16は、第1絶縁膜14および第2絶縁膜15よりも内部応力の変化が大きい膜である。 (もっと読む)


【課題】耐圧を向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】GaN系HFETは、ゲート絶縁膜17をなす半絶縁膜の抵抗率ρが、電流密度が6.25×10−4(A/cm)であるとき、3.9×10Ωcmであった。抵抗率ρ=3.9×10Ωcmの半絶縁膜によるゲート絶縁膜15を備えたことで、1000Vの耐圧が得られた。ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×1011Ωcmを超えると耐圧が急減し、ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×10Ωcmを下回るとゲートリーク電流が増大する。 (もっと読む)


【課題】前駆体及び膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】Xm1npSi(NR234-m-n-pの式Iを有し、式中、XはCl、Br、Iから選択され;R1は直鎖又は分岐C1−C10アルキル基、C2−C12アルケニル基、C2−C12アルキニル基、C4−C10環状アルキル及びC6−C10アリール基から選択され;R2は直鎖又は分岐C1−C10アルキル、C3−C12アルケニル基、C3−C12アルキニル基、C4−C10環状アルキル基及びC6−C10アリール基から選択され;R3は分岐C3−C10アルキル基、C3−C12アルケニル基、C3−C12アルキニル基、C4−C10環状アルキル基及びC6−C10アリール基から選択され;mは1又は2;nは0、1又は2;pは0、1又は2;m+n+pは4未満であり、R2とR3は連結されて環を形成し又は環を形成するために連結されていない前駆体が提供される。 (もっと読む)


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