国際特許分類［H01L21/32］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置 (97,574) | 不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない周期律表第ＩＶ族の元素またはＡ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | ２１／２０〜２１／２６に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成，例．マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの；これらの層の後処理；これらの層のための材料の選択 (16,787) | マスクを用いるもの (1)
国際特許分類［H01L21/32］に分類される特許
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半導体装置の製造方法、熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置
【課題】本発明は、熱酸化処理方法に関し、膜厚均一性の高いゲート酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法、熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、モニタウェハＭ１の裏面と第１の製品ウェハ＃２の表面を対向させ、且つ第１の製品ウェハ＃２の裏面と第２の製品ウェハ＃３の表面を対向させ、且つモニタウェハＭ１、第１及び第２の製品ウェハ＃２、＃３それぞれの裏面にシリコン窒化膜２３が形成された状態で熱酸化処理装置内に配置し、熱酸化処理装置によってモニタウェハＭ１、第１及び第２の製品ウェハ＃２、＃３それぞれの表面に熱酸化膜を形成する工程を具備することを特徴とする。
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