国際特許分類[H01L21/3205]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787) | 絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理 (7,286)
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後処理 (649)
国際特許分類[H01L21/3205]に分類される特許
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レーザ照射面の表面モフォロジーの改善方法
配線構造体の形成方法
半導体装置
多層配線構造体の製造方法
回路基板およびその修復方法
基板ノイズの分配方法
ノイズ分配器を導入することによってノイズの抑制が得られる差動集積回路または平衡集積回路を備えた大きな抵抗率の基板の中において、ノイズ分配のための方法が開示される。典型的には2個の集積されたトランジスタA、Bまたはトランジスタの群によって形成される差動集積回路または平衡集積回路に隣接して小さな抵抗率の経路を生成することにより、外部のノイズ・ソース5からのノイズが差動集積回路または平衡集積回路の分岐に関して等方的にされる。通常の場合には小さな抵抗率の経路は集積されたトランジスタに関して対称的に作成され、それによりノイズを均等に分配するノイズ分配器が形成される。この時、ノイズ分配器は基板またはウエルと同じ種類の不純物が添加された浮動基板接触体10として作成される。この基板またはウエルの中に、差動回路または平衡回路が備えられる。さらに、ノイズを分配する小さな抵抗率の経路の構造をシミュレーションすることによって、ノイズ分配器の形状が最適化されるであろう。ノイズを分配する小さな抵抗率の経路の構造体は、小さな抵抗率の経路が維持される限り、連続である必要はない。 (もっと読む)
フリップチップ用高性能シリコンコンタクト
本発明においては、前面(14)と背面(16)とを備える半導体基板(12)であって、基板を(12)通って前面(14)と背面(16)との間を延びる孔(18、20、22)を備える半導体基板(12)を用意する。孔(18、20、22)は、部分的に、内壁部分によって規定され、外側導電性シースを形成する。導電性材料(54)を、内壁部分の少なくとも一部に隣接して形成する。その後に誘電体材料層(56)を、孔内部に、導電性材料上であってそのラジアル方向内側に形成する。次に第2の導電性材料(60)を、孔内部に、誘電体材料層(56)上であってそのラジアル方向内側に形成する。後者の導電性材料は、内側導電性コアキシャル線要素を構成する。 (もっと読む)
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