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【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第2電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第1電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第2電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 (もっと読む)


【課題】 より一層、製品の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本開示の半導体装置の製造方法では、まず、第1半導体部及び第2半導体部を貼り合わせた半導体部材の一方の面上に形成された絶縁膜30上に、所定の薬液で処理された際に該所定の薬液が絶縁膜に浸透しないような耐性を有するストッパー膜31を形成する。次いで、半導体部材のストッパー膜31側に、第1半導体部及び第2半導体部を電気的に接続するためのCu配線接合部34を形成する。次いで、Cu配線接合部34上にCu拡散防止膜34を形成する。次いで、Cu配線接合部34の形成領域以外の領域のCu拡散防止膜33を除去して該領域に存在する不要なCu部210,211を露出させる。そして、所定の薬液を用いて、不要なCu部210,211を除去する。 (もっと読む)


【課題】従来の半導体装置においては、配線の伝送特性が不安定となってしまう。
【解決手段】半導体装置1は、配線10、およびダミー導体パターン20を備えている。配線10は、5GHz以上の周波数を有する電流が流れる配線である。配線10の近傍には、ダミー導体パターン20が配置されている。ダミー導体パターン20の平面形状は、180°を超える内角を有する図形に等しい。 (もっと読む)


【課題】クラックの発生を抑制できるとともに、SOG膜の剥離を抑えることが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成された半導体基板3上に、SOG膜を含む層間絶縁膜10が形成されており、この層間絶縁膜10を介して、配線層12a〜12dが半導体素子と電気的に接続されている。さらに、一方面側がボンディング接続されるパッド部12d(第4配線層12d)と、層間絶縁膜10に配置されると共に配線層12a〜12cを接続するビアホール15a〜15cと、ビアホール15a〜15c内に埋め込まれる導電層16a、16bとを有している。そして、ビアホール15a〜15cは、パッド部12dよりも下方に設けられており、導電層16a、16bの少なくとも一部は、内部に空洞部17を有している。 (もっと読む)


【課題】配線部に比べて引き出し部のスペースが広い場合においても、引き出し部の線幅を配線部の線幅に均一化できるようにする。
【解決手段】側壁パターン2a、2bおよび側壁ダミーパターン2c、2dをマスクとして被加工膜5を加工することにより、側壁パターン2aに対応した配線を下地層4上の配線部R1に形成するとともに、側壁パターン2bに対応した引き出し線5bを下地層4上の引き出し部R2に形成する。この時、下地層4上の引き出し部R2には、側壁ダミーパターン2cに対応したダミー引き出し線5cが引き出し線5bに並列に形成されるとともに、側壁ダミーパターン2dに対応したダミー引き出し線5dが引き出し線5bに並列に形成される。 (もっと読む)


【課題】データ配線が銀や銀合金により形成されており、またデータ配線に、ゲート絶縁層によって被覆されておらずむき出しとなっている部分があった場合でも、当該むき出しとなっている部分でマイグレーション現象が生じることがないトップゲート型アクティブマトリックスを提供する。
【解決手段】基材と、前記基材上に直接または間接的に形成された、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極、層間絶縁層、画素電極、および前記ソース電極と接続したデータ配線と、を有するトップゲート型アクティブマトリックス基板において、前記ソース電極と前記データ配線をともに銀または銀合金で形成し、前記ゲート電極を銀または銀合金以外で形成し、前記データ配線においてむき出しとなっている部分をゲート電極と同じ材質からなる被覆層によって被覆する。 (もっと読む)


【課題】 フレキシブルで、軽く、安定で高導電性の導電材料およびこれを用いた電気素
子を提供する。
【解決手段】
本発明の導電材料は、少なくとも一つの次元方向が200nm以下であり、かつ炭素原
子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び多層グラフェンの少なく
とも1種よりなるカーボン材料と、金属の粒子及び線材の少なくとも1種よりなる金属材
料とが、混合及び/又は積層されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 ウェハ裏面のキャパシタを有する半導体デバイスの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、その前面の活性シリコン層とその裏面のバルク・シリコン層との間に挿入された埋込み絶縁層を有する、SOI基板を準備するステップと、SOI基板の前面から埋込み絶縁層を貫通して延びる埋込みコンタクト・プラグを含む集積回路を、SOI基板の前記前面に形成するステップと、裏面エッチング・プロセスを実施してバルク・シリコン層内にトレンチを形成し、埋込みコンタクト・プラグの端部を埋込み絶縁層の裏表面に露出させるステップと、第1キャパシタ・プレートと、第2キャパシタ・プレートと、該第1及び第2キャパシタ・プレートの間に挿入されたキャパシタ誘電体層とを含むキャパシタをトレンチ内に形成するステップとを含み、第1キャパシタ・プレートは、埋込みコンタクト・プラグの露出した端部に接触するように形成される。 (もっと読む)


【課題】2層構造の走査線を、絶縁膜を介して映像信号線が乗り越える際の、映像信号線の断線を防止する。
【解決手段】映像信号線が絶縁膜を介して走査線を乗り越える構成となっている。走査線10はAlCu合金を下層11とし、MoCr合金を上層12とする2層構造である。上層/下層の膜厚比を、0.4以上、1.0以下とすることによって、走査線10の断面において、電池作用によって上層12のエッチング速度が遅くなって、上層12の庇部が形成されることを防止する。これによって、走査線10に生じた庇部に起因して、映像信号線が走査線10との交差部において断線することを防止する。 (もっと読む)


【課題】工程および装置構成を煩雑にすることなく、高エッチングレートで銅を異方性エッチングする装置、及びその方法を実施するプログラムを記憶した媒体を提供する。
【解決手段】チャンバ内に表面に銅膜104を有する基板101を配置し、チャンバ内を真空状態としつつ、チャンバ内に有機化合物106を供給し、銅膜に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、酸素ガスクラスターイオンビーム中の酸素ガスクラスターイオン107により、銅膜の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて銅膜を異方的にエッチングする。 (もっと読む)


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