【課題】デバイスプロセスにてＬＳＡ処理を行った場合であっても転位の発生を防止することが可能なエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】窒素濃度が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、又は、ボロンドープによって比抵抗が２０ｍΩ・ｃｍ以下に設定されたウェーハ本体１１と、ウェーハ本体１１の表面に設けられたエピタキシャル層１２とを備える。ウェーハ本体１１は、７５０℃で４時間の熱処理を行った後、１０００℃で４時間の熱処理を行った場合に、板状酸素析出物よりも多面体酸素析出物が優勢に成長する。これにより、デバイスプロセスにおいて板状酸素析出物が形成されにくいことから、デバイスプロセスにて種々の熱履歴を経た後にＬＳＡ処理を行った場合であっても、酸素析出物を起点とした転位の発生を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成でき、さらに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハの製造装置を提供することにある。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面１０ａから所定の深さ位置に対して、長波長である第１レーザー光線２０及び短波長である第２レーザー光線３０を照射するレーザー光線照射手段２００と、前記第１レーザー光線２０を前記ウェーハ１０の所定の深さ位置に集光し、前記第２レーザー光線３０を前記ウェーハ１０の表面１０ａ近傍に集光するためのレーザー光線集光手段３００とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成でき、さらに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面１０ａから所定の深さ位置に対して、長波長である第１レーザー光線２０及び短波長である第２レーザー光線３０を照射する工程を具え、前記第１レーザー光線２０は、前記ウェーハ１０の所定の深さ位置Ａに集光し、重金属を捕獲するための加工変質層１１を形成し、前記第２レーザー光線は、前記ウェーハの表面１０ａ近傍（表層部分１０ｂ）に集光し、該集光部分を溶融させた後、再結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成でき、さらに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコンウェーハ１０の表面１０ａから所定の深さ位置に対して、長波長である第１レーザー光線２０及び短波長である第２レーザー光線３０を照射する工程を具え、前記第１レーザー光線２０は、前記ウェーハ１０の所定の深さ位置Ａに集光し、重金属を捕獲するための加工変質層１１を形成し、前記第２レーザー光線は、前記ウェーハの表面１０ａ近傍（表層部分１０ｂ）に集光し、該集光部分を溶融させた後、再結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、短時間で製造することができ、さらに、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成できるとともに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】高速引上げ工程と、ウェーハ作製工程と、シリコンウェーハ１０の表面１０ａから所定の深さ位置Ａに対して、長波長である第１レーザー光線２０及び短波長である第２レーザー光線３０を照射するレーザー照射工程（図２(ｃ)）とを具え前記第１レーザー光線２０は、前記ウェーハ１０の所定の深さ位置Ａに集光し、重金属を捕獲するための加工変質層１１を形成し、前記第２レーザー光線は、前記ウェーハの表面１０ａ近傍（表層部分１０ｂ）に集光し、該集光部分を溶融させた後、再結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、デバイス製造プロセスにおけるスリップ転位
及び反りの発生を共に抑制することができるシリコンウエハ及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【解決手段】 対角長が１０ｎｍ〜５０ｎｍのＢＭＤを含むシリコンウエハであって、
前記シリコンウエハ表面から深さ５０μｍ以上の位置に存在する前記ＢＭＤの密度が１×１０^１１／ｃｍ^３以上であり、かつ、前記ＢＭＤの形態として、ＢＭＤを取り囲む面全体における｛１１１｝面の比率が０．３以下であることを特徴とする、シリコンウエハである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電気的特性がウェハ（半導体基板）間でばらつくことを抑制し得る半導体装置の製造方法及び基板収容構造を提供する。
【解決手段】この製造方法は、トレー１０の上に２次電子吸収材を含む保護シート２２Ａ，２２Ｂを配置し、半導体基板２１Ａ，２１Ｂを保護シート２２Ａ，２２Ｂ上に配置してトレー１０に収容する工程と、半導体基板２１Ａ，２１Ｂにトレー１０側とは反対側から荷電粒子線を照射して半導体基板２１Ａ，２１Ｂ内に格子欠陥を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリサイド層とシリコンの界面抵抗を低く保ちつつ、シリサイド層からの金属元素の拡散を抑制し、リーク電流および寄生抵抗を小さくする。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１（半導体層）と、基板１に接して形成され、基板１とは逆導電型の半導体電極１０と、半導体電極１０上に半導体電極１０に接して形成されたシリサイド層１４と、ゲッタリング層１２内部において、基板１と半導体電極１０との接合およびシリサイド層１４からそれぞれ離れて形成され、シリサイド層１４に含まれる金属元素をゲッタリングするゲッタリング層１２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいて強度及び電気抵抗を所望の強度及び電気抵抗にすることができるシリコンウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１を製造するために、中間体１０に対して、非酸化性の酸素外方拡散熱処理が行われる。この酸素外方拡散熱処理は、シリコン基板１１の表層から所望の量の酸素を中間体１０の外方に放出するための熱処理であり、この酸素外方拡散熱処理によって、シリコン基板１１の上部に酸素含有量が低い表面層３が形成される。この際、シリコン基板１１に対する熱処理は、酸化膜１２を介して行われる。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）と半導体基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。
【解決手段】溝部が設けられた半導体基板に、イオンを照射して半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁層を介して半導体基板とベース基板を貼り合わせると共に、半導体基板の溝部とベース基板とにより囲まれた空間を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域において半導体基板を分離して、ベース基板上に絶縁層を介して半導体層を形成する。 （もっと読む）