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国際特許分類[H01L21/322]の内容

国際特許分類[H01L21/322]に分類される特許

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【課題】半導体ウエハ、チップに工程数が増加し、プロセスが煩雑化するような特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。
【解決手段】チップ用樹脂膜形成用シートは、支持シートと、該支持シート上に形成された樹脂膜形成層とを有し、該樹脂膜形成層が、ゲッタリング剤(A)、バインダーポリマー成分(B)および硬化性成分(C)を含み、該ゲッタリング剤(A)が金属化合物からなり、X線光電子分光測定によるArスパッタ後(スパッタ条件:加速電圧4kV、スパッタ領域:2×2mm、スパッタ時間:600秒)における樹脂膜形成層の、ゲッタリング剤(A)を構成する金属化合物の金属元素と同種の金属元素の合計濃度が2.0mol%以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 pn接合ダイオードにおいて、逆回復時間trrを短縮するために半導体基板(n型半導体層およびp型半導体層)の全体に電子線を照射しライフタイムキラーを形成すると、リーク電流が増加し、逆方向電圧印加時の損失が増える問題があった。
【解決手段】 低濃度の一導電型半導体層2と高濃度の逆導電型半導体層5とによりpn接合を形成する工程と、飛程距離のピーク位置が逆導電型半導体層5中に位置するように希ガスイオンを注入または照射して逆導電型半導体層5中に電荷捕獲層7を形成する工程と、逆導電型半導体層5と接続する第1電極8を形成する工程と、一導電型半導体層2と電気的に接続する第2電極11を形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、非破壊法かつ簡便にポリシリコン膜の厚さを評価することができるポリシリコン膜の膜厚評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を評価する方法であって、
ポリシリコン膜を有する試験用シリコンウエーハを2枚以上準備し、それぞれの前記試験用シリコンウエーハのポリシリコン膜に対して、膜厚測定とX線回折測定法により回折面からの回折強度測定とを行い、所定の換算係数を用いて前記測定された回折強度を前記測定された膜厚に換算する換算式を求める換算式算出工程と、
その後、前記シリコンウエーハ上の膜厚が未知のポリシリコン膜に対してX線回折測定法により回折面からの回折強度測定を行い、該測定された回折強度に基づいて前記換算式により前記シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を算出する膜厚算出工程とを有することを特徴とするポリシリコン膜の膜厚評価方法。 (もっと読む)


【課題】CZ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるBMD密度、BMDサイズの面内均一性を高めることができ、ウェーハの表層部のCOPを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】CZ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、1325℃以上1400℃以下の範囲内の第1の最高到達温度まで昇温して第1の最高到達温度を保持した後、50℃/秒以上250℃/秒以下の降温速度で降温する第1の熱処理を行う工程と、第1の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、700℃以上900℃以下の範囲内の第2の最高到達温度まで昇温して保持した後、非酸化性ガス雰囲気中、第2の最高到達温度から1100℃以上1250℃以下の範囲内の第3の最高到達温度まで昇温して第3の最高到達温度を保持した後、降温する。 (もっと読む)


【課題】 高濃度n層とライフタイム制御領域を同時に形成可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 n型のドリフト層と、ドリフト層の表面側に設けられたp型のボディ層と、ドリフト層の裏面側に設けられており、水素イオンドナーをドーパントとして含んでおり、ドリフト層よりもn型の不純物濃度が高い高濃度n層とを備えた半導体基板を有する半導体装置であって、高濃度n層およびドリフト層の一部には、結晶欠陥をライフタイムキラーとして含むライフタイム制御領域が形成されており、半導体基板の厚さ方向について、高濃度n層の水素イオンドナー濃度が最も高いドナーピーク位置は、ライフタイム制御領域の結晶欠陥密度が最も高い欠陥ピーク位置に一致または隣接しており、ライフタイム制御領域の欠陥ピーク位置における結晶欠陥の密度は、1×1012atoms/cm以上である。 (もっと読む)


【課題】電極金属がSiC単結晶基板内に拡散するのを防止してオーミック電極を形成することができるSiC半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】SiC基板上にオーミック電極を形成する工程を含むSiC半導体素子の製造方法において、
上記SiC基板にそれよりも欠陥密度の高いゲッタリング層を基板面に並行して形成した後に、該ゲッタリング層よりも該基板の外寄りに上記オーミック電極を形成することを特徴とするSiC半導体素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ライフタイムキラーが形成されてなる半導体装置において、オン電圧ばらつきや特性ばらつきを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1aの裏面からコレクタ層10を構成する不純物をイオン注入するイオン注入工程と、半導体基板1aの裏面からレーザを照射し、不純物を活性化させてコレクタ層10を形成する活性化工程と、半導体基板1aの裏面からレーザを照射してライフタイムキラー13を形成するライフタイムキラー形成工程とを行う。これによれば、レーザを照射してライフタイムキラー13を形成しているため、ライフタイムキラー13の分布幅は波長のみに依存する。このため、ライフタイムキラー13をイオン照射により形成する場合と比較して、分布幅がばらつくことを抑制することができ、オン電圧ばらつきや特性ばらつきを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】不純物イオンの注入による悪影響を防止しつつ水平方向の耐圧を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、素子を構成し、電流が流れる一対の不純物領域が、半導体基板の第1主面の表層に形成されたものであり、水平方向の耐圧を確保するため、フィールドプレート33を有している。これに加えて、この半導体装置は、半導体基板の表面から、素子の電流経路となる第1不純物領域37および第2不純物領域38よりも深い所定の深さおいて、少なくとも第1不純物領域および第2不純物領域の間の領域に半導体基板と同一成分の非晶質層24を有する。この非晶質層は、単結晶および多結晶よりも高抵抗の層であり、擬似的なフィールドプレートとして機能する。そして、この非晶質層は、不活性元素のイオン注入により形成される。 (もっと読む)


【課題】表面および内側部分を有しているシリコンウエハから、銅、ニッケルおよびそれらの組み合わせの中から選ばれる汚染物質を除去するための方法である。
【解決手段】この方法は、酸化開始温度またはそれ以上の温度から制御された雰囲気中でシリコンウエハを冷却すること、ならびに前記酸化開始温度にて酸素含有雰囲気流を開始してシリコンウエハ表面の周囲に酸化的雰囲気を形成し、シリコンウエハ表面に酸化物層を生じさせ、および前記酸化物層とシリコンウエハ内側部分との間の境界に歪み層を生じさせることを含んでなる。ウエハの冷却も、シリコンウエハ内側部分から歪み層への汚染物質の原子を拡散させるように制御される。シリコンウエハは、それから清浄化されて酸化物層および歪み層が除去され、それによって歪み層へ拡散した汚染物質が除去される。 (もっと読む)


【課題】 リーク電流の発生や酸化膜耐圧の劣化等を抑制しながらも、十分なゲッタリング能力を有するSOIウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、ベースウエーハまたはボンドウエーハのいずれか一方の表面から、シリコン中で電気的に不活性である中性元素をイオン注入してイオン注入ダメージ層を形成する工程を備えるSOIウエーハの製造方法において、前記イオン注入ダメージ層形成工程における中性元素のイオン注入は、ドーズ量を1×1012atoms/cm以上1×1015atoms/cm未満として行うSOIウエーハの製造方法。 (もっと読む)


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