国際特許分類[H01L21/322]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体の内部性質の改変,例.内部不完全性の形成 (657)
国際特許分類[H01L21/322]に分類される特許
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半導体素子の製造方法
【課題】SiC半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】SiC基板10上にSiCエピタキシャル層16を形成し、該エピタキシャル層16にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記SiC基板10よりも欠陥密度の高いゲッタリング層13を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
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半導体素子の製造方法
【課題】本発明は、荷電粒子照射量のばらつきによる炭素不純物欠陥量のばらつきを防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体素子の製造方法は、炭素不純物量が均一である複数のウエハを製品用ウエハとモニタ用ウエハに分ける分割工程と、該モニタ用ウエハの炭素不純物量を求める炭素不純物量導出工程と、該炭素不純物量導出工程で求めた炭素不純物量よりも多い荷電粒子を該製品用ウエハに照射する荷電粒子照射工程と、を備えたことを特徴とする。
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SOIウェーハおよびSOIウェーハの製造方法
【課題】高品質な半導体素子を製造可能なSOIウェーハおよびSOIウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に酸化膜層を形成する酸化膜形成工程と、一方面に高濃度不純物層が形成された活性層を、当該高濃度不純物層と酸化膜とが接合するように酸化膜層上に形成する活性層形成工程と、高濃度不純物層が外気と触れる箇所に当該高濃度不純物層と外気との接触を防止するキャップ部を形成するキャップ形成工程とを備えることを特徴とする、SOIウェーハの製造方法である。
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シリコンウェーハの熱処理方法
【課題】ボイド欠陥の消滅力が高い高温下でRTPを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、凹形状のピットの発生も抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハをフッ化水素系溶液により前記表面のシリコン原子を水素で終端させて、前記表面の水素終端密度を5×1014atoms/cm2以上1×1016atoms/cm2以下とする工程と、前記水素で終端させたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、1300℃以上1400℃以下の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する急速昇降温熱処理を行う工程と、を備える。
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半導体装置の製造方法
【課題】裏面照射型CMOSイメージセンサーのリーク電流を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層4をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層4に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層4の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤23を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層4の前記反対面側にアモルファスSi層26を形成する工程と、前記アモルファスSi層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。
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エピタキシャルウェーハの製造方法
【課題】エピタキシャル層表面の付着パーテイクルが少なく、平滑な面取り部の形状を持ち、かつ酸素析出特性にも優れた、先端CMOSに好適なエピタキシャルウェーハを、安定的にかつ低コストで製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を成長させることによりエピタキシャルウェーハを製造する方法において、前記シリコン単結晶基板上に、エピタキシャル層を成長させる工程と、該エピタキシャル層を成長させたシリコン単結晶基板を、650〜800℃の温度で1時間以上保持した後に850℃以上の温度に昇温して、前記エピタキシャル層の表面に保護酸化膜を形成する工程と、該保護酸化膜を形成したシリコン単結晶基板の面取り部を研磨する工程と、その後、前記保護酸化膜を除去して、仕上げ洗浄を行う工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法。
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エピタキシャル基板およびその製造方法、固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
【課題】高温熱処理による不純物拡散を抑制することにより、基板性能に要求されるオーバーフロードレイン機能とゲッタリング能力を向上できて、製造工程も複雑化しない。
【解決手段】シリコン基板1の表面側に、砒素(またはアンチモン)がイオン注入されて高濃度N型層3が形成され、この高濃度N型層3上にエピタキシャル層4がエピタキシャル成長して形成されている。これによって、砒素(As)の拡散係数がリン(P)に比べて小さいことから、従来手法によるリンドープ基板に比べて製造工程における熱処理による不純物拡散(プロファイル拡散)を大幅に抑制する。
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半導体装置および半導体装置の製造方法
【課題】半導体基板の裏面研削工程を含む製造方法において、ソフトリカバリー特性を有する素子を作製すること。
【解決手段】N型半導体基板1の一方の主面にPアノード層2とアノード電極3を形成した後、電子線を照射して半導体基板1の中に結晶欠陥を導入する。次いで、半導体基板1の他方の主面を研削して薄板化し、研削により露出した面から半導体基板1にリンをイオン注入する。次いで、その注入面にダブルパルス法でYAGレーザを照射し、半導体基板1の中に注入されたリンを電気的に活性化させるとともに、レーザ光の照射面から、薄板化されたウェハー全体の厚さの5〜30%に相当する深さまでの領域の結晶欠陥を回復させて、ソフトリカバリーとする。
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半導体装置および半導体装置の製造方法
【目的】水素終端よりも強い界面終端構造を有する半導体装置を提供することを目的の1つとする。
【構成】実施形態の半導体装置は、絶縁膜とSi半導体部とを備えている。絶縁膜は、酸化物と窒化物と酸窒化物とのいずれかを用いて形成される。Si半導体部202は、前記絶縁膜下に配置され、硫黄(S)とセレン(Se)とテルル(Te)とのうち少なくとも1種の元素が前記絶縁膜との界面に存在する、シリコン(Si)を用いて形成される。
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光発電体用半導体基板の製造方法
【課題】ゲッタリング層の除去と凹凸構造の形成とを、ドライプロセスで行う手法を提供することで、半導体基板の汚染を防ぎ、かつ低コストで光発電体用の半導体基板を提供する。
【解決手段】ゲッタリング層を有する半導体基板を用意するステップと、前記半導体基板のゲッタリング層に、エッチングガスを供給して、半導体基板の表面に凹凸形状を形成するステップとを含む、光発電体用半導体基板の製造方法を提供する。エッチングガスは、ClF3,XeF2,BrF3,BrF5およびNF3からなる群から選ばれる一以上のガスを含むことが好ましく、さらに分子中に酸素原子を含有するガスをさらに含むことが好ましい。
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