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国際特許分類[H01L21/322]の内容

国際特許分類[H01L21/322]に分類される特許

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【課題】IGBTに好適に用いられるCZ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度[Oi]が7.0×1017atoms/cm以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度T(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするIGBT用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】金奥不純物を除去するゲッタリングの効果を高めるために有利な技術を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は第1絶縁膜102を形成する工程と、第1絶縁膜102を除去する工程とポリシリコン膜103を形成する工程と、第1面の1011側および第2面1012の側のポリシリコン膜103の上に第2絶縁膜201を形成する工程と、開口OPを有するマスクを使って第1面1011の側の第2絶縁膜をエッチングする処理を含み、半導体基板101の第1面1011における開口105によって規定される領域に素子分離を形成する工程と、第1面1011の側および第2面1012の側の第2絶縁膜201を除去する工程と、第1面1011および第2面1012のうち第1面1011の側のポリシリコン膜103を除去する工程と、第2面1012の側のポリシリコン膜103が除去されないように保護する保護膜を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】酸化膜が接合界面になく表面が荒れていない貼り合わせウェーハを提供する。
【解決手段】接着後に一方のウェーハを0.1μm以上20μm以下に薄厚化する薄厚化工程と、
塩素・酸素混合雰囲気で熱処理することで、表面酸化膜の増厚を促進することにより接合界面付近からの酸素を吸い上げて接合界面酸化物を除去する内部酸素吸い上げ工程と、
を有してなる。 (もっと読む)


【課題】貼り合わせSOIウェーハの貼り合わせ界面にゲッタリングサイト源となる有機物を面内均一且つ安定的に吸着させることが可能なSOIウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】活性側ウェーハをプラズマチャンバ10内に設置し、当該プラズマチャンバ10内に有機物含有ガスを導入し、活性側ウェーハを回転させながらその表面に有機物を吸着させる。次に、プラズマチャンバ10から活性側ウェーハを取り出し、表面に酸化膜が形成された支持側ウェーハに入れ替えた後、支持側ウェーハにプラズマ処理を行ってその表面を活性化させると共に、プラズマチャンバ内の有機物除去処理とを同時に行う。その後、有機物が吸着した活性側ウェーハと表面が活性化された支持側ウェーハとを貼り合わせる。 (もっと読む)


【課題】SOI基板において、簡易な方法で活性層基板にゲッタリングサイトを形成し当該サイトにてゲッタリング機能を持たせたSOI基板の製造方法を提供する。
【解決手段】活性層基板11と支持基板13とが貼り合わさったSOI基板1の製造方法である。上記製造方法は、支持基板13と貼り合わせる側の活性層基板11の主面にホールを形成するホール形成工程と、活性層基板11の貼り合わせ面側にSi12を成長させるSi成長工程と、BOX酸化膜を有する支持基板13の当該BOX酸化膜と活性層基板11のホールが形成されている主面とを熱処理により貼り合わせる貼り合わせ熱処理工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】貼り合わせSOIウェーハの貼り合わせ界面にゲッタリングサイト源となる有機物を面内均一且つ安定的に吸着させることが可能なSOIウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】2枚のシリコンウェーハを貼り合わせてSOIウェーハを製造する際、2枚のシリコンウェーハのうち少なくとも一方のウェーハの表面に、当該ウェーハを回転させながら有機物含有ガスを直接吹き付けて所定量の有機物を吸着させた後、2枚のウェーハの貼り合わせを行う。有機物含有ガスの吹き付けでは、ガス供給ノズルをウェーハの半径方向に所定の周期で複数回スイングさせながら吹きつけを行う。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の感度の低下を抑制しつつ、ゲッタリング効率を向上させる。
【解決手段】N型半導体層4には、N型不純物導入層11上にP型不純物導入層12が形成されることでフォトダイオードが光電変換部として形成され、光電変換部の裏面側に光入射面Pを設けるとともに、光電変換部の表面側にゲッタリング層13aを設ける。 (もっと読む)


【課題】貼り合わせ前のウェーハに有機物を吸着させてゲッタリングサイトを形成する貼り合わせSOIウェーハの製造方法において、貼り合わせ界面における有機物の面内分布にばらつきを低減する。
【解決手段】回転軸Zから見て支持用ウェーハ20と活性層用ウェーハ30とを180°異なる方向にセットした状態で、チャンバ内に有機物含有ガスを供給しながらロータ103を回転させることによって、貼り合わせ前のウェーハ20,30に有機物を吸着させる。これにより、所定の面内分布を持った活性層用ウェーハと、所定の面内分布とは逆の面内分布を持った支持用ウェーハとが貼り合わせられることから、互いの面内分布の偏りが相殺され、貼り合わせ界面における有機物の面内分布をほぼ均一とすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】界面準位密度のゲート酸化膜/半導体界面が形成された半導体装置、および作製方法の提供。
【解決手段】半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体(MIS)構造を有する半導体装置とする。シリコンカーバイド領域を含む半導体基板上に形成された金属-絶縁膜(あるいは酸化膜)-半導体(MISあるいはMOS)構造を有する半導体装置(電界効果型トランジスタ(MISあるいはMOSFET))に対して、高温に加熱された熱触媒体表面での重水素を含んだガスの熱触媒作用によって生成された活性化した重水素を用いることにより、600°C以下の低温においてゲート絶縁膜/シリコンカーバイド半導体界面近傍に存在するダングリングボンドの重水素終端を図る。 (もっと読む)


【課題】表面保護膜の剥離ムラやウォーターマークの発生、及びSi基板への不純物吸着等の問題を抑制することにより、固体撮像装置を作製した場合に暗電流の白傷欠陥の発生を効果的に防止可能なエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】SiからなるCZ基板11上に、アクリル樹脂をベースポリマーとする有機膜12を形成する。有機膜12を介してCZ基板11に炭素イオンを注入し、CZ基板11中に炭素注入領域13を形成する。その後、有機膜12を比較的強い酸化剤であるSPM(硫酸過酸化水素水)の溶液によるウェットエッチング、若しくは水素ガスを用いたドライエッチングで洗浄して除去する。その後はCZ基板11の表面にSi材料を用いてSiエピタキシャル層14を形成し、エピタキシャル基板を得る。 (もっと読む)


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