【課題】ダイオード内蔵スイッチング素子において、良好なダイオード損失特性を実現する。
【解決手段】半導体基板３２の一面３３側においてはダイオード領域２０およびＩＧＢＴ領域１０のうちＩＧＢＴ素子を除いた領域に半導体基板３２の一面３３を基準として所定の深さまで低ライフタイム領域４９を設け、半導体基板３２の他面４７側においてはＩＧＢＴ領域１０に半導体基板３２の他面４７を基準として所定の深さまで低ライフタイム領域４９を設ける。これにより、ダイオード素子の動作時にドリフト層３０に残されたホールが低ライフタイム領域４９によって再結合して消滅するため、ＩＧＢＴ領域１０からダイオード領域２０へのホールの注入を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】被照射物たる半導体ウエハの温度ばらつきを抑制しつつ冷却する半導体ウエハ冷却装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の半導体ウエハ冷却装置は、半導体ウエハ１０を載置する載置面を有するトレイ１と、トレイ１内に配置され、載置面上に載置された半導体ウエハ１０を冷却する冷媒が流れる冷却配管２と、載置面に開口を有してトレイ１に設けられ、載置面上に載置された半導体ウエハ１０を吸着する真空配管３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】デバイス作製領域となる表面から少なくとも１μｍの深さに、酸素析出物、ＣＯＰ、ＯＳＦ等のＲＩＥ法により検出される欠陥（ＲＩＥ欠陥）が存在せず、かつ、ライフタイムが５００μｓｅｃ以上のシリコン基板の製造方法及び当該方法により製造されたシリコン基板を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン基板に、急速加熱・急速冷却装置を用いて、窒化膜形成雰囲気ガス、希ガス及び酸化性ガスのうちの少なくとも一種類のガスを含む第１の雰囲気で、１３００℃より高くかつシリコン融点以下の第１の温度で１−６０秒保持して急速熱処理を施す第１熱処理工程と、該第１熱処理工程に続いて、前記シリコン基板内部の空孔起因の欠陥の発生を抑制する第２の温度及び第２の雰囲気に制御し、前記シリコン基板に前記制御した第２の温度及び第２の雰囲気で急速熱処理を施す第２熱処理工程とを具備するシリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】高調波のパルス発振の第１のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第２のレーザ光を照射する。具体的に第１のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長（８９０ｎｍ以下程度）を有する。第１のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第２のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第２のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハが大口径化された場合であっても、半導体デバイス製造時における熱処理において、スリップ転位の発生を抑制し、半導体デバイスの製造歩留の向上を図ることができるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハ１は、窒素濃度が５．０×１０^１３〜５．０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、半導体デバイスが形成される第１面２の無欠陥層２ａ厚さは２．０〜１０．０μｍであり、第１面２の無欠陥層２ａの内方に位置する第１面２から深さ１８０μｍまでの第１バルク層２ｂにおける酸素析出物密度は０．７×１０^１０〜１．３×１０^１０ケ／ｃｍ^３であり、第１面２に対向する第２面３の無欠陥層３ａ厚さは第１面２の無欠陥層２ａ厚さより小さく１．０〜９．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】Ａｒ／ＮＨ_３急速熱的アニーリング工程を含むシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの表面から内側に十分な深さのＤＺがウェーハのバルク領域での高いゲッタリング効果と結合される。シリコンウェーハにおいて、真性ゲッタリング場所としての役割をする酸素析出物は垂直分布を示す。ウェーハの上面から下面に至る酸素析出物濃度プロファイルは、ウェーハの上下面から所定の第１及び第２深さで第１及び第２ピークと、ウェーハの上下面と第１及び第２ピークのそれぞれとのＤＺと、ウェーハのバルク領域に対応する第１及び第２ピーク間のコンケーブ領域を含む。このような酸素析出物濃度プロファイルのために、ウェーハはＮＨ_３及びＡｒを含むガス混合物雰囲気で約１２００℃以下の温度で急速熱的アニーリング工程に提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハにゲッタリング層を付与し且つ抗折強度の低下も防止できるようにする。
【解決手段】シリコンに対して不活性な気体のクラスターまたは窒素ガスのクラスターに電子を浴びせてクラスターイオン１０を生成させ、加速電圧によって加速して、シリコンウェーハＷの複数のデバイスが形成される表面Ｗ１と反対の裏面Ｗ２にクラスターイオン１０を照射することにより、シリコンウェーハＷの裏面Ｗ２に薄層のゲッタリング層を付与することで、シリコンウェーハＷの表面Ｗ１側に金属原子が遊動して表面Ｗ１側のデバイスに悪影響を与えるのを防止するとともに、デバイスの抗折強度の低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、十分にゲッタリング効果を得ることができる半導体基板を提供する。
【解決手段】半導体からなる基板本体８と、前記基板本体８上に形成されたリンを含有したシリコン酸化膜からなる絶縁層６と、該絶縁層６上に設けられた半導体層７と、を備えることを特徴とする半導体基板３を提供する。また、半導体からなる基板本体８と、前記基板本体８上に形成されたリンを含有したシリコン酸化膜からなる絶縁層６と、該絶縁層６上に設けられた半導体層７を備える半導体基板３と、前記半導体層７上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記半導体層７内であって、前記ゲート電極に対して自己整合となる位置に設けられた不純物拡散領域と、を有することを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 デバイス製造工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、固体撮像素子の白傷欠陥の発生を低減させることができるエピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素が添加されたシリコン基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャル基板を形成する工程と、該エピタキシャル基板を形成する工程後に、該エピタキシャル基板を構成する前記シリコン基板の表層部における酸素析出物密度が、厚さ中心部における酸素析出物密度よりも大きくなるよう、前記エピタキシャル基板に第１熱処理および第２熱処理を施す熱処理工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング効果は十分に保持しつつ、エッチングによる基板の除去を容易に行うことができる半導体基板とこれを用いた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１のシリコン酸化膜層、第２のシリコン酸化膜層、ゲッタリング層及び半導体素子が形成される活性層を備え、ゲッタリング層は、第１のシリコン酸化膜層と第２のシリコン酸化膜層との間に存しているとともに、活性層は第１のシリコン酸化膜層に対してゲッタリング層とは反対側に存しており、第１の酸化膜層の厚みは第２の酸化膜層の厚みよりも小さい半導体基板とする。 （もっと読む）