【課題】デバイス後工程で５０μｍ以下まで薄型化される半導体デバイス用として好適なシリコン基板を提供する。
【解決手段】 デバイス作製されたシリコン基板に対し、所定の条件によるレーザー照射にてデバイス後工程で薄型化させたシリコン基板裏面全面あるいは一部を深さ方向に対してアモルファス化、あるいは基板内部の所定位置に最適化された結晶欠陥を形成させて強力なゲッタリング層を具備させる事が可能なシリコン基板及び製造方法である。 （もっと読む）

【課題】表面にＤＺを有する半導体基板において、該ＤＺの有無を判定することを目的の一とする。
【解決手段】表面にＤＺ、内部にＩＧ層を有する半導体基板において、表面再結合速度を１×１０^４ｃｍ／ｓｅｃ以上に調整した第１のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１１を測定し、一次モードのライフタイムτ_１１および下記数式を用いて、ＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを求め、第１のサンプルに対して、表面再結合速度を１×１０^２ｃｍ／ｓｅｃ以下に調整した第２のサンプルの一次モードのライフタイムτ_１２を測定し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧを比較し、一次モードのライフタイムτ_１２とＩＧ層のバルクライフタイムτ_ＩＧの差が０となったとき、ＤＺが消失したと判定することができる。
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【課題】 本発明は、シリコンウエーハ中の酸素等不純物の悪影響がエピタキシャル層の撮像素子形成部分まで及ばないエピタキシャルウエーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 撮像素子製造用のエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、前記エピタキシャル層の成長前に、前記撮像素子の製造後において前記エピタキシャル層中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上となる領域の厚さＸを計算し、前記エピタキシャル層の成長において、前記エピタキシャル層を、前記厚さＸに加えて、更に前記撮像素子の製造後におけるエピタキシャル層中の酸素濃度が４×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満となる領域の厚さが６μｍ以上となる厚さで成長することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるＢＭＤ密度の面内均一性を高めることができ、更には、ＢＭＤサイズの面内均一性も高めることができ、加えて、ウェーハの表層部のＣＯＰを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１４００℃以下の範囲内の第１の最高到達温度まで昇温して前記第１の最高到達温度を保持した後、５０℃／秒以上２５０℃／秒以下の降温速度で降温する第１の熱処理を行う工程と、前記第１の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、９００℃以上１２００℃以下の範囲内の第２の最高到達温度まで昇温して前記第２の最高到達温度を保持した後、降温する第２の熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研削あるいは研磨される半導体デバイス用として好適なシリコン基板を製造する半導体装置を提供する。
【解決手段】 デバイス作製されたシリコン基板に対し、デバイス後工程で薄型化させたシリコン基板の裏面側を精度よくレーザー光照射できデバイス作製面側の温度を抑制させ本発明による加熱方式を適用することにより残留応力を低減させチップ強度の低下を抑制し、デバイス活性層側への重金属の拡散を防止しデバイス特性を維持させることを可能とするシリコン基板製造装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、チップに工程数が増加し、プロセスが煩雑化するような特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与する製造方法の提供。
【解決手段】チップ用樹脂膜形成用シートは、支持体と、該支持体シートの剥離面上に形成された樹脂膜とを有し、該樹脂膜が、熱可塑性ポリイミド樹脂（Ａ）およびゲッタリング剤（Ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの製造時においてニッケル等の金属不純物が内方拡散された場合であっても、コストが大きく増加することなく、シリコンウェーハの表面のみならず、ウェーハ内部に含まれるニッケル等の金属不純物の低減を図ることができるシリコンウェーハの清浄化方法及びそれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハの清浄化方法は、ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、発光波長を１０００ｎｍ以上に制御した光を照射するランプ加熱により、１００℃以上８００℃以下の最高到達温度まで昇温して、前記最高到達温度を１秒以上６０秒以下保持する熱処理を行うことで前記シリコンウェーハの表面に金属不純物を偏析させる工程と、前記偏析させた金属不純物を除去する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研削あるいは研磨される半導体デバイス用として好適なシリコン基板および製造方法を提供する。
【解決手段】 デバイス作製されたシリコン基板に対し、デバイス後工程で薄型化させたシリコン基板の裏面側を非溶融条件で加熱させることにより裏面側の残留応力を低減させチップ強度の低下を抑制できるため歩留が向上でき、同時にデバイス活性層側への重金属の拡散を防止できるためデバイス特性を維持させることが可能なシリコン基板および製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、チップに工程数が増加し、プロセスが煩雑化するような特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。
【解決手段】チップ用樹脂膜形成用シートは、支持シートと、該支持シート上に形成された樹脂膜形成層とを有し、該樹脂膜形成層が、ゲッタリング剤（Ａ）、バインダーポリマー成分（Ｂ）および硬化性成分（Ｃ）を含み、該ゲッタリング剤（Ａ）が金属化合物からなり、Ｘ線光電子分光測定によるＡｒスパッタ後（スパッタ条件：加速電圧４ｋＶ、スパッタ領域：２×２ｍｍ、スパッタ時間：６００秒）における樹脂膜形成層の、ゲッタリング剤（Ａ）を構成する金属化合物の金属元素と同種の金属元素の合計濃度が２．０ｍｏｌ％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）