国際特許分類[H01L21/324]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体の性質を改変するための熱処理,例.アニーリング,シンタリング (792)
国際特許分類[H01L21/324]に分類される特許
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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供給電力調整器、半導体製造装置及び半導体デバイスの製造方法
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、スパイラルコイル3が第一金属板4、第二金属板5、及び、冷媒ケース16によって囲まれた冷媒流路内に配置され、最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。第二金属板5は、高周波電力を効率よく伝えるため、石英窓18が取付けられている。第二金属板5及び第三金属板6に囲まれた長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、スパイラルコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。
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処理炉
【課題】セレン化または硫化用高圧炉を提供する。
【解決手段】処理炉(100)は、第一チャンバー(110)と、第一チャンバー(110)を内部に収納する第二チャンバー(120)と、第一チャンバー(110)にセレン化用ガスを供給する処理ガス供給源(130)と、第一チャンバー(110)の内部を加熱する加熱装置(140)と、第一チャンバー(110)の内圧及び第二チャンバー(120)の内圧並びに第一チャンバー(110)の内部の温度を制御する制御装置(150)と、からなり、制御装置(150)は第二チャンバー(120)の内圧を第一チャンバー(110)の内圧よりも高く維持する。
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半導体装置、及び、半導体装置の作製方法
【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタ
を有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水
分などを低減する加熱処理(脱水化または脱水素化のための加熱処理)を行う。また、酸
化物半導体膜中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下
に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。
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プラズマ処理装置及び方法
【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、ソレノイドコイル3が、第一石英板4、第二石英板5、及び、複数の石英管6によって囲まれた長尺チャンバの周囲に配置され、最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。石英管6の内部には冷却水が供給される。長尺チャンバ内部の空間7にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル3に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】バーティカル型のバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ領域からベース領域にかけて存在する界面準位を安定に低減することを可能とした半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】バーティカル型のバイポーラトランジスタ10は、シリコン基板1に形成されたP型のベース領域13と、シリコン基板1に形成されてベース領域13に接するエミッタ領域15と、シリコン基板1の表面であってベース領域13とエミッタ領域15との境界部21上に形成されたシリコン酸化膜17と、シリコン酸化膜17上に形成されたポリシリコンパターン19と、を有する。シリコン酸化膜17とシリコン基板1との界面に塩素が1×1017cm−3以上の濃度で存在する。
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