国際特許分類［H01L21/326］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置 (97,574) | 不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない周期律表第ＩＶ族の元素またはＡ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | ２１／２０〜２１／２６に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 電流または電界の付加，例．エレクトロフォーミング用 (1)
国際特許分類［H01L21/326］に分類される特許
1 - 1 / 1
ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体のｐ型活性化方法
【課題】ｐ型半導体層のキャリヤー濃度を従来よりも高めて、ｐ型半導体層のｐ型活性化を促進させること。
【解決手段】発光ダイオード１００は、少なくとも上記のｐ型半導体層１０３の上面（コンタクト面１０３ａ）が電解液２に浸されている。対向電極３はカーボン又は白金から形成されており、配線４，５によって定電圧電源Ｅを介して上記の負電極１０４に接続されている。以上の構成により、コンタクト面１０３ａの近傍及び対向電極３の近傍において、それぞれ以下の化学反応が促進されるため、これにより、ｐ型半導体層１０３から多数の陽子（Ｈ+ ）を離脱させることができる。
（コンタクト面１０３ａの近傍）： ２Ｈ+ ＋ ２ＯＨ- → ２Ｈ2 Ｏ
（対向電極３の近傍）： ２Ｈ2 Ｏ ＋ ２ｅ- → ２ＯＨ- ＋ Ｈ2 ↑
（もっと読む）
1 - 1 / 1
[ Back to top ]