国際特許分類[H01L21/33]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | バイポーラ型の装置,例.ダイオード,トランジスタ,サイリスタ,の製造のための多段階工程 (1,363) | 装置が3つ以上の電極からなるもの (988)
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国際特許分類[H01L21/33]に分類される特許
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静電保護回路およびそれを用いた半導体集積装置
【課題】 サージおよびラッチアップの両方に対して十分な保護電圧を有し、集積化するのに好適な構造を備えた静電保護回路およびそれを用いた半導体集積装置を提供する。
【解決手段】 アノードAが第1端子P1に接続され、カソードKが第2端子P2に接続されたサイリスタ11と、第1の順方向電圧VF1を有する第1整流素子D1と、第1の順方向電圧VF1と異なる第2の順方向電圧VF2を有する第2整流素子D2とが順方向に直列接続され、サイリスタ11の第2ゲートG2に第1整流素子D1のアノードA1が接続され、サイリスタ11のカソードKに第2整流素子D2のカソードK2が接続された整流回路12とを具備する。
第1および第2の順方向電圧VF1、VF2の組み合わせにより、サイリスタ11のターンオン電圧を微調整する。
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ESD保護回路
【課題】 面積やコストの増大を生じることなく高いESD耐性を実現することのできるESD保護回路を提供する。
【解決手段】 端子20と接地端子30の間に接続されるESD保護回路1は、3段のダーリントン接続のトランジスタ11〜13と、トランジスタ13のベースと接地端子30間に接続されてトランジスタ13の耐圧を向上させる抵抗14と、トランジスタ13の導通開始電圧調整のために端子20とトランジスタ11のベース間に接続されるダイオード15〜17を有する。端子20へ高電位のESDが入力されるとダーリントン接続されたトランジスタ11〜13が急速に導通し、トランジスタ13が端子20の電荷を接地端子30へ向かって大電流で引き抜く。
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