国際特許分類[H01L21/331]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | バイポーラ型の装置,例.ダイオード,トランジスタ,サイリスタ,の製造のための多段階工程 (1,363) | 装置が3つ以上の電極からなるもの (988) | トランジスタ (980)
国際特許分類[H01L21/331]に分類される特許
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三次元配置部品を有する化合物半導体集積回路
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半導体装置
【課題】窒化物半導体を用いたメサ型の半導体装置のp型層の抵抗を低減する。また、窒化物半導体を用いたメサ型の半導体装置に高い値でばらつくオン抵抗が生じることを防ぐ。
【解決手段】窒化物半導体からなり、所定のベース電極間隔を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、GaNベース層4およびGaNコレクタ層2の間に表面再結合抑制層3を設け、GaNベース層4を貫通して表面再結合抑制層3の途中深さまで開口するメサM1を形成することでGaNベース層4を分離する。
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バラクタダイオードおよび半導体集積回路
【課題】狭い範囲の電圧変化に対して容量が線形的に、大きく変化する特性を実現する。
【解決手段】InPの半導体基板21上にエピタキシャル結晶成長させた層に対するエッチング処理により形成されるバラクタダイオード50において、半導体基板21上にエピタキシャル結晶成長させた層には、p型不純物を高濃度にドープさせバンドギャップエネルギーが半導体基板21よりも小さい材料からなるp領域50dと、p領域50dの半導体基板21寄りの面に接し、不純物をドープさせない材料または不純物を低濃度にドープさせた材料からなるI領域50cと、I領域50cの半導体基板21寄りの面に接し、n型不純物を中濃度以上にドープさせバンドギャップエネルギーが半導体基板21よりも大きい材料からなり、I領域50cから半導体基板21側に向かう程不純物濃度が低下する濃度減少部(54〜57)を有するn領域50bが含まれている。
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半導体装置の製造方法および半導体装置
【課題】断線等の問題を抑制しつつ逆メサの段差に配線を設けることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングにより半導体基板に逆メサ段差部を形成する。逆メサ段差部の下段における半導体基板の表面に、電極を設ける。逆メサ段差部内を埋めるように当該逆メサ段差部の高さよりも厚い絶縁膜を設ける。逆メサ段差部内に絶縁膜を残すように、絶縁膜積層工程で積層した絶縁膜に対してエッチバックを行う。電極に接続する配線を、逆メサ段差部に残された絶縁膜の上方に設ける。このとき、電極とのコンタクトをとる部分を対象にして、層間絶縁膜に対し開口を形成する。開口形成後、配線を、層間絶縁膜上であって逆メサ段差部の上方の領域に蒸着する。コンタクト開口を介して、配線が電極と接続する。
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トランジスタ装置および電子デバイス
【課題】1本の棒状素子が破壊しても、他の棒状素子が正常に動作し、正常動作を続けるトランジスタ装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ装置は、基板5と、この基板5上に配置された2本の棒状素子1とを有する。このため、一方の棒状素子1が破壊しても、他方の棒状素子1が正常に動作し、トランジスタ装置は、正常動作を続ける。
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半導体装置の製造方法
【課題】本発明は、基板に元々付着していた不純物及び成長炉内の不純物を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板を成長炉内に搬入する搬入工程と、該基板の上と該成長炉の内壁に、該基板表面と該成長炉内の不純物を吸収する不純物吸収層を形成する吸収層形成工程と、該不純物吸収層と、該基板の一部とをエッチングすることで該基板を薄化基板にするエッチング工程と、該薄化基板の上にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、該バッファ層の上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、を備えたことを特徴とする。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】バーティカル型のバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ領域からベース領域にかけて存在する界面準位を安定に低減することを可能とした半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】バーティカル型のバイポーラトランジスタ10は、シリコン基板1に形成されたP型のベース領域13と、シリコン基板1に形成されてベース領域13に接するエミッタ領域15と、シリコン基板1の表面であってベース領域13とエミッタ領域15との境界部21上に形成されたシリコン酸化膜17と、シリコン酸化膜17上に形成されたポリシリコンパターン19と、を有する。シリコン酸化膜17とシリコン基板1との界面に塩素が1×1017cm−3以上の濃度で存在する。
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半導体デバイス
【課題】高い電流増幅率と高いアーリー電圧を両立することができ、CMOSトランジスタとともに製造する場合でもより少ない製造工程により製造することができる半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板P11の表面に形成された第1導電型のベースP14と、ベースの表面に形成された第2導電型のエミッタN23と、ベースの表面においてエミッタと離間して配置され、エミッタから第1の種類のキャリアを受け取るとともに、その第1の種類のキャリアをベースへ注入する、第2導電型のドープ領域N24と、ベースを挟んで、エミッタおよびドープ領域の反対側に形成された、第2導電型のコレクタN15とを備える。
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半導体装置
【課題】ホールド電圧が高いエミッタ・ベース短絡型の保護素子が設けられた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、基板10と、前記基板上に形成された第1導電形の半導体層11と、前記基板と前記半導体層との間に形成された第1導電形の埋込層13と、前記半導体層上に形成された第2導電形のウェル14と、前記半導体層上であって、前記ウェルから離隔し、前記埋込層の直上域に形成された第1導電形の第1コンタクト層15と、前記ウェル上に形成された第2導電形の第2コンタクト層16と、前記ウェル上であって、前記第1コンタクト層と前記第2コンタクト層との間に形成された第1導電形の第3コンタクト層17と、前記埋込層と前記第1コンタクト層との間に形成され、前記第1コンタクト層に接した第1導電形のディープ層18と、を備える。
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積層電池および積層電池システム
【課題】従来の捲回電池は、電池内部の温度の上昇を抑制することが困難であった。電池内部に冷媒を流したパイプ等を設ければ、電池寸法が大きくなる。更には、従来の電池は電池価格に大きな影響を及ぼす負極の量が多く、電池価格の低減を図ることが困難であった。
【解決手段】正極および負極を筒状外装体の軸方向に積層して、正極もしくは負極の一方の電極の外径を外装体の内径より大きくすることにより、正極もしくは負極を外装体に密に接触させることにより、電極の熱伝達の向上を図り、電池の温度上昇を抑制する。更には、負極規制とすることにより高価な水素吸蔵合金の使用量を減らして、電池価格の低減を図る。
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