国際特許分類[H01L21/338]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程 (13,126) | 電界効果トランジスタ (13,024) | ショットキーゲートを有するもの (2,351)
国際特許分類[H01L21/338]に分類される特許
1 - 10 / 2,351
三次元配置部品を有する化合物半導体集積回路
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
電界効果トランジスタ
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
評価方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
化合物半導体装置及びその製造方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
パワートランジスタ装置のための多層構造を作製する方法、ヘテロ接合電界効果トランジスタ装置のための多層構造を作製する方法、および窒化物系ヘテロ接合電界効果トランジスタ装置
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
化合物半導体装置及びその製造方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
半導体装置、高電子移動度トランジスタ、および、複数のチャネルによりソースからドレインに電子を送るための方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
高電子移動度トランジスタ構造及び方法
Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285
1 - 10 / 2,351
[ Back to top ]