国際特許分類[H01L21/42]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置 (844) | 輻射線の照射 (17)
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高エネルギーの輻射線を有するもの (16)
国際特許分類[H01L21/42]に分類される特許
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酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの製造方法および製造装置
【課題】アモルファス金属酸化物半導体を採用した薄膜トランジスタ(TFT)の製造において、酸化物に半導体特性を付与する処理を低温化し、処理時間を短縮化すること。
【解決手段】ワークステージ8上のワーク7のアモルファス金属酸化物に対して、活性酸素が生成する波長域と上記酸化物を活性化して、酸化物に混入する水素を引き抜く波長域とを含む光を照射する工程Aと、酸化物に混入する水素が引き抜かれ酸化物近傍に活性酸素が生成されている状態において、酸化物内への酸素の拡散を促進するよう酸化物を加熱する波長域を含む光を照射する工程Bからなる処理を行う。工程Aは、波長230nm以下の波長域の光を含む光を照射する例えば希ガス蛍光ランプ10あるいはフラッシュランプからの光を照射することにより行われ、工程Bは、波長800nm以上の波長域の光を照射する例えばフラッシュランプ20からの光を照射することにより行われる。
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