【課題】基板の所望の領域上でアニーリングプロセスを実行するために使用される装置および方法を開示する。
【解決手段】１つの実施形態では、電磁エネルギのパルスはフラッシュランプまたはレーザ装置を使用して基板に送出される。パルスは約１ｎｓｅｃから約１０ｍｓｅｃの長さであってもよく、各パルスは基板材料を融解するのに必要なエネルギより少ないエネルギを有する。パルスの間隔は一般的に、各パルスにより与えられるエネルギを完全に放散させるのに十分な長である。このようにして、各パルスはマイクロアニーリング周期を終了する。パルスは１回で基板全体にまたは同時に基板の一部に送出されてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、熱パターンの適用により、金属酸化物前駆体からの酸化物半導体への転換を、容易にかつ効率よく行うことのできる新しい酸化物半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【解決手段】マイクロ波（周波数０．３〜５０ＧＨｚ）を吸収して発熱する発熱源パターンを有する基体と、薄膜を有する基板を接合させ、これにマイクロ波を照射することにより、該発熱源パターンを発熱させ、発熱源パターンに接する基板上の薄膜を発熱源パターン様に熱変換することを特徴とする薄膜の変換方法。 （もっと読む）

【課題】酸化チタンを代表とするｎ型酸化物半導体について、その特有の特性を利用して新たな用途を提供する。
【解決手段】ｎ型酸化物半導体の皮膜又は成形体に対してフェムト秒レーザを照射することを特徴とするｎ型酸化物半導体の特性制御方法、及び該方法によってｎ型酸化物半導体にフェムト秒レーザを照射した後、照射部分に、連続波レーザ又はパルス間隔１ms以下のパルスレーザを照射して、フェムト秒レーザの照射前の状態とすることを特徴とするｎ型酸化物半導体の特性制御方法。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体を用いた半導体デバイスにおける界面準位や結晶欠陥等を低減することが可能な化合物半導体の熱処理方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に電磁波を照射することにより化合物半導体に関する熱処理を施すようにする。これにより、化合物半導体を用いた半導体デバイスにおける界面準位や結晶欠陥等を低減することができる。 （もっと読む）