国際特許分類[H01L21/467]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置 (844) | 21/36〜21/428に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (36) | 表面の物理的性質または形状の変換,例.エッチング,ポリシング,切断 (24) | 化学的または電気的処理,例.電解エッチング (9) | マスクを用いるもの (2)
国際特許分類[H01L21/467]に分類される特許
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基材の加工方法
【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に、仮固定剤を用いて優れた密着性をもって薄膜を形成して、これにより、この薄膜を均一な膜厚を有するものとし、その結果、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、仮固定剤を支持基材1の一方の面にスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層(薄膜)2を形成する第1の工程と、犠牲層2を介して、半導体ウエハ3と支持基材1とを貼り合わせる第2の工程と、半導体ウエハ3の機能面31と反対側の面を加工する第3の工程と、犠牲層2を加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハ3を支持基材1から脱離させる第4の工程とを有し、支持基材1は、その仮固定剤に対する親和性が、機能面31の仮固定剤に対する親和性とほぼ等しくなるように設定されている。
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リバースプリンティング
【課題】有機電子デバイス内に有機半導体層を堆積させパターニングする新規なプロセスを提供する。
【解決手段】表面を有する基板を準備する(100)。この基板上にはゲート電極、ソース電極及びドレイン電極並びにゲート誘電体層を形成しておく。更に、ゲート誘電体層、ソース電極及びドレイン電極と接するよう半導体素材を堆積させ半導体層を形成する(110)。この半導体層上に1種類又は複数種類の溶媒(例えば溶媒滴)を印刷(リバースプリンティング)することにより当該半導体層をパターニングする(120)。その後溶媒を蒸発させる(130)。
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