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国際特許分類[H01L21/52]の内容

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【課題】作業ヘッドごとに別個の駆動源を設ける必要がないとともに、互いに異なる作業を行う複数の作業ヘッドの付け替え作業時の負担を軽減することが可能な基板作業装置を提供する。
【解決手段】この基板作業装置100は、基板に対して液状材の塗布作業を行うディスペンスヘッド10、および、基板に対して実装作業を行うマウントヘッド20を選択的に付け替え可能なヘッド装着部31と、ディスペンスヘッド10およびマウントヘッド20に共通に用いられ、ヘッド装着部31にディスペンスヘッド10が装着された場合には液状材が塗布されるようにディスペンスヘッド10を駆動し、ヘッド装着部31にマウントヘッド20が装着された場合にはマウントヘッド20を駆動するR軸モータ33とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と一対の電極とを1回の接合で、一対の電極に対する半導体素子の厚さ方向の位置を適切に規定した状態で互いに接合することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の電極4上に、位置決め部材21を含有する第1のはんだ2を介して、半導体素子1を配置する工程と、半導体素子1の第1の電極4に対向する面と反対側の面上に、第2のはんだ3を介して、第2の電極5を配置する工程と、第1のはんだ2および第2のはんだ3を溶融させて、半導体素子1と第1のはんだ2および第2のはんだ3とをそれぞれ接合させるリフロー工程とを有し、リフロー工程において、第1のはんだ2が溶融することで、位置決め部材21により第1の電極4に対する半導体素子1の厚み方向の位置が決定され、第2のはんだ3が溶融することで、第2の電極5に対する半導体素子1の厚み方向の位置が決定されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】簡単な方法で調整できる半導体チップの実装装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ12を実装するための装置は、ダイレクト・モードおよびパラレル・モードで作動し、ダイレクト・モードでは、キャリッジ6が第1の位置にあり、制御ユニット9は、接合ヘッド5が半導体チップ12をウェーハ・テーブル1から基板2へ設置するようピック・アンド・プレース・システム4を作動させる。パラレル・モードでは、キャリッジ6が第2の位置にあり、制御ユニット9は、採取ヘッド7、サポート・テーブル8およびピック・アンド・プレース・システム4を、採取ヘッド7が半導体チップ12をウェーハ・テーブル1からサポート・テーブル8へ設置する、および、接合ヘッド5が半導体チップ12をサポート・テーブル8から基板2へ設置する方法で、作動させる。 (もっと読む)


【課題】ウエハの円周位置を簡易且つ確実に精度良く検出し、ウエハカット部品の位置を高精度に認識することができる部品供給装置および部品位置認識方法を提供すること。
【解決手段】移動装置71で識別部材93又はスポット照明装置80を移動しながら、カメラ39で識別部93a又はスポット光を含むウエハUの画像を取得するようにしている。これにより、識別部93a又はスポット光がウエハUの円周に達したときに識別部93a又はスポット光の一部が隠れるので、ウエハUの円周の位置を簡単且つ確実に検出できる。また、ウエハUの円周により部分的に隠された識別部93a又はスポット光の形状を認識することにより、ウエハUの円周位置をより精度良く検出でき、ウエハカット部品Pの位置を高精度に認識することができる。よって、従来の光センサは不要となり、部品供給装置20の低コスト化および小型化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】導電箔とその保護膜が形成された絶縁基材に対して平行に半導体チップを固着し、熱膨張による応力を起因とした半導体装置の損傷の防止を図る。
【解決手段】絶縁基材11の表面上に導電箔12が配置され、導電箔12を覆って、その一部を露出する複数の第1の開口部17A、及び複数の第2の開口部17Bを有する保護膜17が配置されている。各第1の開口部17Aで露出する導電箔12の表面上に導電突起体14が配置される。表面に複数のパッド電極12を有した半導体チップ20は、その裏面が複数の導電突起体14と対向するように、ダイボンドペースト15を介して保護膜17上に固着される。各第2の開口部17Bで露出する導電箔12は、それぞれボンディングワイヤを介してパッド電極21と接続される。絶縁基材11の表面上の半導体チップ20等は、封止材16に覆われて封止される。 (もっと読む)


【課題】厚さが15〜75μmの薄い半導体チップをピックアップする場合であっても、割れ、欠け等の破損を生じることなく、従来のコレットを用いてチップを速やかにピックアップすることができる、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハの一方の面に樹脂膜を形成する工程と、半導体ウエハの他方の面に、ダイボンディングフィルムを備える粘着シートを貼り合せてダイシングを行ない、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを作製する工程と、コレットを用いてダイボンディングフィルム付き半導体チップをピックアップする工程と、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを配線基板上にダイボンディングする工程と、を含み、半導体ウエハは、厚みが15〜75μmであり、樹脂膜は、25℃における弾性率が2〜10GPaであり、膜厚が3〜20μmである、半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】先に剥離すべき剥離フィルムに接着剤層が転着したり、接着剤層の端部がめくれ上がったりする問題がなく、歩留りの向上やタクトタイムの短縮に貢献する半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】硬化性組成物からなる接着剤層(3)の両面に、剥離フィルムA(1)、B(2)が剥離可能に貼着されてなる半導体素子を該取付部に接着するための半導体用接着シートであって、
剥離フィルムの曲げ剛性相対値(N・m=弾性率E(MPa)×(フィルム厚)3(mm3))が剥離フィルムA(1)のほうが剥離フィルムB(2)より大きく、
剥離フィルムB(2)の曲げ剛性相対値が0.2以上であり、
剥離フィルムA(1)の曲げ剛性相対値−剥離フィルムBの曲げ剛性相対値が0.5以上
である半導体用接着シート。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を基板側に向かって加圧しつつリフローはんだ付けを行うはんだ付け装置において、ワイヤボンディングの接合強度の低下を防止する。
【解決手段】重り12により半導体素子2を基板1側に向かって加圧しつつリフローはんだ付けを行うはんだ付け装置において、重り12における半導体素子2に接触する加圧接触面12aを鏡面仕上げする。これによると、リフローはんだ付け工程で半導体素子2におけるワイヤボンディング実施面2aに傷が付くことを防止することができ、ひいてはワイヤボンディングの接合強度の低下を防止することができる。 (もっと読む)


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