国際特許分類[H01L21/56]の内容

電気 | 基本的電気素子 | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 | 半導体装置またはその部品の製造または処理 | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 | サブグループ21/06〜21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立 | 封緘,例.封緘層,被覆

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半導体装置の製造方法


【課題】QFPで、個片モールド方式を採用すると、各キャビティ毎にランナ部が必要となり、半導体装置の取得数が低下する。取得数の問題は、MAP方式を採用することで解決できるが、ラミネートテープを使用する分、製造コストが増加する。一方、スルーモールド方式では、各キャビティ毎にエジェクタピンを設ける必要があり、そのようにすると、サポートピラーの配置が困難となる。
【解決手段】本願発明は、スルーゲートを介してモールドキャビティを直列に連結したキャビティ列を複数行配置したマトリクス状キャビティ群を有する金型間にリードフレームを挟んだ状態で、各キャビティに封止樹脂を充填して、半導体チップを封止する半導体装置の製造方法において、平面的に見て、マトリクス状キャビティ群のキャビティコーナ部には、そのキャビティコーナ部が隣接する全てのキャビティを跨ぐような断面を有するサポートピラーが配置されている。


発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法

【解決手段】発光半導体素子用リフレクターに収容された発光半導体素子の電極がリードの電極にフリップチップ方式で接続され、素子とリードフレームとの間隙部がアンダーフィル材で充填硬化されていると共に、上記発光半導体素子及びリフレクターの表面を覆って0.05〜10μm厚さの酸化ケイ素硬化被膜が形成されてなることを特徴とする発光半導体装置。
【効果】本発明によれば、ガス透過性を大幅に改善することでリフレクターの反射率低下を防止し、腐食性ガスの侵入による腐食を防止することができ、これにより長期の信頼性を確保した発光半導体装置を提供することができる。


電子部品モジュールの製造方法


【課題】集合基板に反り、うねり、厚みバラツキ等が発生している場合であっても、封止樹脂層形成後の封止樹脂層と集合基板との合計厚みが均一な電子部品モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品モジュールの製造方法であって、集合基板1に粘着性シート2を貼り付け、集合基板1の所定位置に切り込み部3を形成して、切り込み部3を形成した集合基板1の電子部品を実装した面を樹脂にて封止して封止樹脂層4を形成して、電子部品モジュールの間にて封止樹脂層4の天面から切り込み、電子部品モジュールの側面部を形成して、封止樹脂層4の天面及び電子部品モジュールの側面部を覆う導電性樹脂層7を形成して、電子部品モジュールの間にて、電子部品モジュールの側面部を形成する幅に比べて狭い幅で導電性樹脂層7の天面から切り込み、電子部品モジュールに個片化する。


電子部品の圧縮成形方法及び成形装置


【課題】下型キャビティ111、112内への液状樹脂102の供給時において、下型キャビティ111、112内に供給される樹脂量の信頼性を効率良く向上させる。
【解決手段】まず、長尺状の離型フィルム52を切断して短尺状の離型フィルム11を形成し、離型フィルム11の上に樹脂収容用プレート21を載置して樹脂供給前プレート21aを構成すると共に、樹脂供給前プレート21aの樹脂収容部22に所要量の液状樹脂102を供給して平坦化(液状樹脂の上面を水平面に形成)することにより樹脂配布済プレート118を形成する。次に、樹脂配布済プレート118を下型キャビティ111、112の位置に載置して離型フィルム11を下型キャビティ111、112内に引き込むことにより、離型フィルム11と一緒に所要量の平坦化した液状樹脂102を落下させて離型フィルム11を被覆したキャビティ111、112内に液状樹脂102を供給する。


半導体装置の製造方法


【課題】ワイヤの変形を防止して、半導体装置の信頼性が向上する。
【解決手段】貫通部2が形成された被処理基板1に半導体チップ3を搭載し、被処理基板1と半導体チップ3とを電気的に接続し、被処理基板1を金型5aのキャビティ5cに収納して(図1(A))、被処理基板1の半導体チップ3の搭載面の裏面側の貫通部2からキャビティ5c内に樹脂6aを供給して(図1(B))、被処理基板1の搭載面を封止する(図1(C))。


電子部品の実装構造及び実装方法


【課題】電子部品及び基板に応じてアンダーフィルの線膨張係数の最適化を図り、耐衝撃性の向上だけでなく熱疲労等による接合部の不良発生を低減することができる電子部品の実装構造及び実装方法を提供する。
【解決手段】LSIパッケージ1と基板2との接合部に形成されたアンダーフィル3に中央領域35と各辺に沿って4等分した領域に複数の周辺領域31〜34が設定され、これら各領域31〜35が互いに異なる方向に揃えて前記磁性体4を配向する。


半導体パッケージ及びその製造方法


【課題】半導体素子を樹脂モールドした後に基板の加工を行なうことなく放熱部材を半導体素子の近傍に配置することのできる半導体パッケージ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体素子14が搭載された下基板12の上に、スペーサ部材18を介した上基板20を接続する。上基板20の裏面からは、放熱部材24の底面24bを含む部分が突出している。上基板20と下基板1との間の空間にモールド樹脂22を充填して、半導体素子14を樹脂モールドする。放熱部材24の底面24bは、モールド樹脂22に密着している。


半導体装置の製造方法


【課題】封止後のチップ積層体の外形を均一化する。
【解決手段】本発明の一態様における製造方法は、複数の半導体チップ10が積層されたチップ積層体11を有する半導体装置を製造する方法に関する。この製造方法は、複数の半導体チップ10がバンプ電極12を介して積載されたチップ積層体11を、ステージ120上に形成された凹部122内に配置する工程と、液状の封止材14を、凹部122内のチップ積層体11と凹部122の側面との間の隙間124から凹部122内へ注入する工程と、封止材14を硬化させる工程と、を有する。


半導体装置及びその製造方法


【課題】冷媒流路を増やすことなく、冷却効率を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置100は、絶縁基材10と、絶縁基材10に埋設されるとともに、絶縁基材10によって封止された半導体素子20と、絶縁基材10により構成され、半導体素子20を冷却するための冷媒が流れる冷媒流路60と、を有し、絶縁基材10は、冷媒流路60を構成する流路構成面に周囲よりも突出した複数の突起11を備える。


半導体装置およびその製造方法


【課題】樹脂シート上にリードフレーム、導電性接合部材、半導体チップを順次積層したものを、モールド樹脂で封止してなる半導体装置において、樹脂シートとリードフレームとの間にモールド樹脂や気泡が入り込むのを防止して、これら両者の安定した接合を実現する。
【解決手段】熱硬化性樹脂よりなる樹脂シート10を用い、導電性接合部材として加熱・硬化する銀ペースト30を用い、未硬化状態にある樹脂シート10上にリードフレーム20、未硬化状態にある銀ペースト30、半導体チップ40を順次積層し、これら4部材10〜40が重なり合っている積層部にて、半導体チップ40の上面から当該積層部に荷重を加えて加圧して樹脂シート10を積層方向に押し潰すように変形させた後、樹脂シート10および銀ペースト30を加熱して、これらの硬化を完了させて積層部における各部材間の接合を行い、続いて、モールド樹脂50による封止を行う。


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