説明

国際特許分類[H01L21/60]の内容

国際特許分類[H01L21/60]の下位に属する分類

国際特許分類[H01L21/60]に分類される特許

101 - 110 / 8,435


【課題】
ハンダボールをマスク面上に適量供給して、できるだけ無駄なハンダボールの発生することを防止することが望まれている。
【解決手段】
印刷テーブル上に載置された基板に形成されている電極上にハンダボールを印刷するマスクとハンダボール充填ヘッドを備え、ハンダボール充填ヘッドが、ハンダボール充填部と、ハンダボール供給部とから構成され、ハンダボール供給部がハンダボールを貯留するシリンジと、ハンダボールをマスク面上に供給するホースと、ホースの途中に設けられ、ハンドボールの供給、停止を行うための、シリンジを上下移動する構成とした。 (もっと読む)


【課題】ICチップ裏面腹部に突起電極が偏在するICチップについて、スペーサやダミー電極を使用せずに、ICチップと回路基板との平行性を保てる簡便な技術の提供を目的とした。
【解決手段】ICチップ1の裏面腹部に形成された突起状電極2とフィルム状回路基板5の回路導体4とをフリップチップ接続したICモジュールであって、前記フィルム状回路基板5は、突起状電極2と相対する側にフィルムを突出させて形成した突起3を備えており、ICチップ1とフィルム状回路基板5は、突起状電極2と突起3とによって平行性が保たれていることを特徴とするICモジュールであって、前記突起状電極2の高さと突起3の高さとが概ね同じ高さであることを特徴とするICモジュールである。 (もっと読む)


【課題】球状体の搭載位置と目標搭載位置との位置ずれを補正するための補正値を正確に特定する。
【解決手段】半田ボール300を吸着した状態の吸着ヘッド11を基板400に近接させて吸着状態を解除して基板400に半田ボール300を搭載する搭載処理を実行し、半田ボール300が搭載された搭載位置と目標搭載位置としてのソルダレジスト開口部430の底部431の位置との位置ずれの量を測定してその位置ずれを補正するための補正値を特定する際に、シート体200における粘着性を有する表面200aを外向きにした状態でソルダレジスト開口部430の底部431を覆うようにしてシート体200を基板400に取り付けて、その状態の基板400に対して搭載処理を実行して位置ずれの量を測定する。 (もっと読む)


【課題】球状体の搭載位置と目標搭載位置との位置ずれを正確に補正する。
【解決手段】搭載対象体の目標搭載位置に対向する第1吸気口22aが底面22に形成されて半田ボール300を吸着する吸着ヘッド11を有する吸着部2と、目標搭載位置に半田ボール300を搭載させる搭載部と、搭載対象体に搭載された半田ボール300の搭載位置を測定する第1測定処理および搭載対象体の標識の位置を測定する第2測定処理を実行して各測定処理の結果に基づいて半田ボール300の搭載位置と目標搭載位置との位置ずれを補正するための補正値を特定する処理部とを備え、吸着ヘッド11は、標識に対向する第2吸気口22bが底面22に形成され、処理部は、第2吸気口22bに吸着されて搭載対象体に搭載された半田ボール300の搭載位置を第1測定処理において測定する。 (もっと読む)


【課題】固相拡散接合により、プロセス温度が低温化され、プロセス時間が短縮化され、かつフリップチップ構造の半導体装置提供する。
【解決手段】絶縁基板8と、絶縁基板8上に配置された信号配線電極12と、絶縁基板8上に若しくは絶縁基板8を貫通して配置されたパワー配線電極16と、絶縁基板8上にフリップチップに配置され、半導体基板26と、半導体基板26の表面上に配置されたソースパッド電極SPおよびゲートパッド電極GPと、半導体基板26の裏面上に配置されたドレインパッド電極36とを有する半導体デバイス10と、ゲートパッド電極GP上に配置されたゲートコネクタ18と、ソースパッド電極SP上に配置されたソースコネクタ20とを備え、ゲートコネクタ18とゲートパッド電極GPおよび信号配線電極12、ソースコネクタ20とソースパッド電極SPおよびパワー配線電極16は、固相拡散接合される半導体装置1。 (もっと読む)


【課題】 微細配線に充分対応することができ、しかも銅ワイヤによる接続で充分なワイヤボンディング接続信頼性を有する半導体パッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体パッケージは、端子形状の銅の表面にめっき皮膜が形成されたワイヤボンディング端子を有する半導体チップ搭載用基板と、ワイヤボンディング端子に接合された銅ワイヤで電気的に接続された半導体チップと、を備え、上記めっき皮膜が、銀めっき皮膜、パラジウムめっき皮膜、金めっき皮膜、又は、パラジウムめっき皮膜と金めっき皮膜との2層めっき皮膜であり、上記ワイヤボンディング端子は、めっき皮膜が形成された箇所と、端子形状の銅と銅ワイヤとが直接接合された箇所とを有する。 (もっと読む)


【課題】外部接続用電極が狭ピッチであっても、高い接続信頼性を簡易に実現することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】外部接続用電極を備えた半導体装置であって、前記外部接続用電極が、半導体基板上に形成されたメタル層12と、メタル層12と接触するように形成され、かつメタル層12の一部を露出させる開口部13aを有する絶縁層13と、絶縁層13の開口部13aから露出するメタル層12と電気的に接続するように形成されたバリアメタル層14と、を備え、バリアメタル層14が、絶縁層13に垂直な平面とバリアメタル層14の表面とが交わって形成される線分のうち、絶縁層13の開口部13aの周囲の領域に対応する部分に、曲率半径を有する。 (もっと読む)


【課題】Sn-Sb系はんだ合金を用いた半導体装置であって、ヒートサイクル時の耐クラック性をより向上した半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】はんだ合金により導電性部材間を接合してなる半導体装置において、前記はんだ合金は、主成分としてSnおよびSbを含有するものとし、前記SnとSbとから生成される金属間化合物の粒径サイズを20μm以上とする。半導体装置の製造方法としては、はんだ合金による接合時に、はんだ合金を溶融した後の冷却速度、即ち、はんだ合金の液相線から固相線を通過する冷却勾配(℃/sec)を、2.5〜0.1とする。 (もっと読む)


【課題】高温環境に対して使用可能でGd元素を添加したアルミニウムワイヤを有する低コストのパワー半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムに微量のGd元素を添加したボンディングワイヤ(ワイヤ10)を用い、ボンディング接合部10aを200℃〜400℃の熱時効処理と、その後に冷却速度が1℃/min以下の徐冷を行なうことにより、200℃以上の高温環境に耐え、Gd添加のアルミニウムワイヤ(ワイヤ10)を有する低コストのパワー半導体装置およびその製造方法を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】搭載部材の位置に合わせてACFを移動させ、搭載部材に正確にACFを貼り付けることを提供する。
【解決手段】ACF貼付装置は、撮像部216と、位置検出部と、制御部223と、ACFを切断する切断部と、ACF貼付部239と、を備える。位置検出部は、撮像部216により撮像された搭載部材7の端部の画像とアライメントマークの画像から、搭載部材7の端部の位置とアライメントマークの位置を検出する。制御部223は、検出されたアライメントマークの位置と搭載部材7の端部の位置から搭載部材7に対するACFの貼り付け位置を算出する。ACF貼付部239は、制御部223が算出したACFの貼り付け位置に合わせて、切断部により切断されたACFを搭載部材7に貼付する。 (もっと読む)


101 - 110 / 8,435