【課題】外観が良好な高品質のカードを提供する。
【解決手段】ＩＣモジュール１０がカード基材と一体化されてＩＣカードが形成される。ＩＣモジュール１０は、モジュール基板１１に設けられたＩＣチップ１２と、ＩＣチップ１２に電気的に接続されたアンテナ接続用端子１１ｃと、モールド部１４とを含む。アンテナ接続用端子１１ｃは、ＩＣモジュール１０と一体化するカード基材に設けられるアンテナに、導電部材を用いて電気的に接続される。モールド部１４は、チップ封止部１４ａと、アンテナ接続用端子１１ｃに設けられたダム枠部１４ｂとを有する。ダム枠部１４ｂを設けることで、カード基材との一体化の際に用いられる導電部材の流出が抑えられ、カードの外観不良の発生が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】はんだ成分を自己組織化により基板の電極上に偏在させることにより、保存性、運搬性、及び使用時のハンドリング性に優れ、電極のみに対して選択的にはんだバンプ又ははんだ接合を形成することができるリフローフィルムを提供し、さらにこれを用いたはんだバンプ又ははんだ接合の簡便な形成方法、これにより形成されたボイドが少なく高さばらつきが少ないはんだバンプ及びはんだバンプ付き基板を提供する。
【解決手段】溶媒に溶解可能な熱可塑性樹脂と、はんだ粒子とを含むフィルムであって、前記はんだ粒子は前記フィルム中に分散した状態であることを特徴とするリフローフィルム、および（ア）基板の電極面側に前記リフローフィルムを載置する工程、（イ）さらに平板を載置して固定する工程、（ウ）加熱する工程、及び（エ）前記リフローフィルムを溶解除去する工程を含むはんだバンプ形成方法。 （もっと読む）

【課題】被加工物毎にバイト工具が過度に切り込むことを防止して、被加工物の被切削面の品質悪化やバイト工具に生じる欠けや異常磨耗を防止する被加工物のバイト切削方法を提供する。
【解決手段】チャックテーブル３２で保持された被加工物１１の第１領域１７ａの上面高さと第２領域１９ａの上面高さをそれぞれ複数点において検出し、第２領域の上面高さの最高位置から第１領域の上面高さの最低位置を減じた値を余剰厚みとして算出する。そして、バイト切削工具が一回の回転で被加工物に切り込める最大切り込み量と余剰厚みとから余剰厚みを除去するのに必要な切削回数を算出し、この切削回数に基づいてバイト切削工具を動作させ余剰厚みを除去し、更にバイト切削工具を動作させて被加工物を切削し、最低位置から所定厚み減じた厚みに被加工物を切削加工する。 （もっと読む）

【課題】よりよい緩衝を半導体デバイスの金属化層に配置された誘電体層に提供する。
【解決手段】複数の誘電体層および導電層を含む基板、複数の導電層の最上層の１つと電気的に接続し、約１５，０００Åより大きい厚さを有する金属コンタクト、および金属コンタクトと電気的に接続したコネクタを含む半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】使用者に対して未吸着の吸気口の発生およびその発生原因を把握させる。
【解決手段】複数の吸気口が形成された吸着面を有して吸気口に球状体を吸着する吸着ヘッド１１と、球状体を保持している保持部を吸着面に近接させた状態を維持しつつ吸着面に沿って移動させて球状体を吸着ヘッドに供給する供給部１２と、球状体を吸着している吸着ヘッド１１の吸着面を撮像する撮像部１４と、球状体を未吸着の吸気口の数および位置を撮像部１４によって撮像された吸着面の撮像画像に基づいて特定する処理を実行する制御部１６とを備え、制御部１６は、未吸着の吸気口の数および位置に基づいて未吸着の吸気口の分布状態を特定すると共に、分布状態が予め規定された複数種類の分布パターンのいずれかに該当すると判定したときに判定した種類の分布パターンに予め対応付けられた未吸着の発生原因を示すデータを出力する処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化することのできる配線シート付き配線体、半導体装置、およびその半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面１１にソース電極１４およびゲート電極１５が形成されかつ第２主面１２にドレイン電極１３が形成されたスイッチング素子１０と、ドレイン電極１３に接続された導電層積層基板８０とを備える半導体装置１に対して、配線シート付き配線体３０は、上側配線構造体として用いられる。配線シート付き配線体３０は、ソース電極１４に接続される配線体４０と、ゲート電極１５に接続されるゲート端子が設けられた配線シート６０とを備える。配線体４０の外面４１Ｂに配線シート６０が貼り付けられている。配線シート６０のうち少なくとも先端部６０Ｃは可撓性を有し、かつ先端部６０Ｃのうちゲート端子を含む端子部６２Ｂは配線体４０から外側に突出する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤの長さを長くすることなくインダクタンスの値を大きくできる高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体装置１は、マルチセル構成の半導体チップ２４と、整合回路と、半導体チップ２４と整合回路間に並列に接続された複数本のボンディングワイヤ１２、１４とを備え、複数本のボンディングワイヤ１２、１４は、半導体チップ２４に対して平面上で９０°以下の所定の角度を有する。 （もっと読む）

【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、比較的簡単な構成で、基板の表面の全域に亘ってめっき液がより均一に流れるようにして、膜厚や膜形状の面内均一性を高めためっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽８０と、複数枚の基板Ｗを鉛直方向に並列に保持してめっき槽８０内のめっき液に浸漬させる基板ホルダ８４と、基板ホルダ８４で保持してめっき液に浸漬させた各基板Ｗの周囲をそれぞれ囲繞して、各基板Ｗの外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板１５０，１５２を有する。 （もっと読む）

【課題】 シリコンチップの層間絶縁膜に機械的強度の低い（脆い）ｌｏｗ−ｋ材料が用いられる構造においても、シリコンチップ上にかかる応力を軽減するような低応力のはんだバンプ接続を実現すること。
【解決手段】 正方形シリコンチップ（厚さ725μｍ）とラミネート層（厚さ1000μｍ）とが、正方形シリコンチップ上に配置されているところのlow-k層（配線層（ＢＥＯＬ）の絶縁層）を介して、正方形シリコンチップとラミネート層との間に２次元アレイ状に配置された複数のはんだバンプの溶融後の硬化により接続されている、積層体として、
正方形シリコンチップ（の４つの辺に相当する）外周から所定の割合まで内側にわたって配置された部分的な複数のはんだバンプについては、他の部分の複数のはんだバンプよりも弾性率が相対的に低くなるようにフィラーを入れて調整されている、ことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 電子部品の加熱圧着時の接合条件を正確に決定する。
【解決手段】 固相線温度及び粒径が異なる複数の金属粒子３を含有する接着フィルム１を介在させて、第１の電子部品６と第２の電子部品７とを加熱圧着し、加熱圧着後の接着フィルム１中の金属粒子３の溶融状態を観察することによって、加熱圧着時の接合条件を決定する。 （もっと読む）