【課題】接着剤が付着した半導体チップ個片を効率的に得ると共に、半導体チップと配線基板とを良好に接続する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、半導体ウェハ６の回路面６ａがダイシングテープ９側を向くように、ダイシングテープ９、接着剤層３及び半導体ウェハ６がこの順に積層された積層体６０を準備する。半導体ウェハ６の裏面６ｂから回路面６ａの回路パターンＰを認識することによってカット位置を認識する。少なくとも半導体ウェハ６及び接着剤層３を、積層体６０の厚み方向に切断する。切断後、ダイシングテープ９と接着剤層３とを剥離させることによって半導体チップ２６を作製する。この半導体チップ２６の突出電極４と、配線基板４０の配線１２とを位置合わせする。配線１２と突出電極４とが電気的に接続されるように、配線基板４０と半導体チップ２６とを接着剤層２３を介して接続する。 （もっと読む）

【課題】長尺接続子により直線上に配列された複数の半導体チップを半田付けにより共通接続する場合において、長尺接続子の撓みを防止して当該長尺接続子と各半導体チップとの間隔を適正な間隔に保持する。
【解決手段】長尺接続子１１０の接続板部１１３を当該長尺接続子１１０の先端部の側に位置する半導体チップ１３３よりもさらに先方にまで延長することによって形成された延長部１５０の下面側に突起部１１４を有する長尺接続子１１０と、リードフレーム１２０を載置するリードフレーム載置面２００ａに長尺接続子１１０の突起部１１４を当接させるための突起当接部２１０を有する台座２００とを用いて、長尺接続子１１０の突起部１１４を台座２００の突起当接部２１０に当接させるようにリードフレーム１２０を台座２００に載置した状態で半導体チップ１３１〜１３３の各上面と長尺接続子１１０の接続板部１１３の下面とを半田付けする。 （もっと読む）

【課題】ボイドを抑制して高い信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半田からなる先端部を有する突起電極が形成された半導体チップを、接合材を介して基板上に位置合わせする位置合わせ工程と、半田溶融点よりも低い温度で加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを接触させ、かつ、前記接合材を完全には硬化させない接触工程と、完全には硬化していない前記接合材を、加圧雰囲気下で加熱してボイドを除去するボイド除去工程と、半田溶融点以上の温度で加熱して、前記半導体チップの突起電極と前記基板の電極部とを溶融接合させる電極接合工程とを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子部品の割れを防止する。
【解決手段】熱硬化性の接着剤層６と積層された電子部品２，１２が載置される載置部５と、電子部品２，１２を加熱押圧する加熱押圧ヘッド７と、電子部品２，１２と加熱押圧ヘッド７の押圧面７ａとの間に配置され、電子部品２，１２の上面を押圧する第１の弾性体８と、電子部品２，１２の周囲に配置されるとともに、第１の弾性体を支持する支持部材９とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高精度の安定した金属間接合部を生成させる直進往復高速応答性のピエゾステージを備えたボンディング装置、およびそれを用いた金属間接合構造を提供する。
【解決手段】 半導体装置やＬＥＤなどの電子部品、リチュームイオン電池、および、ＰＶ太陽電池の電極端子を接合相手電極端子に常温で接合する金属間接合構造１は、直進往復運動するように圧電素子６ｃ、６ｃを直進往復運動体６ａの左右に一対備えて、直進往復運動する直進往復高速応答性のピエゾステージ６を用いて、この直進往復高速応答性のピエゾステージが生成する振幅と共にこの電極端子２ａを直進往復運動させるように、直進往復高速応答性のピエゾステージに電極端子を固定して、電極端子と接合相手電極端子３ａとの接合間に金属間接合部１ａを生成させる。また、電子部品２、および接合相手装置３の少なくとも一方はシリコンゴム４を介して基板９に固定される。 （もっと読む）

【課題】装着ヘッドが部品を基板に装着する際の部品の下降ストロークを短くして全体のコンパクト化を実現するとともに部品の装着精度を向上させることができる部品実装装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ノズル２０ａにより吸着した部品４を上下反転させる反転ヘッド２０が、昇降自在な移動ベース２１ｄに設けられた平板状の基部３１、この基部３１に設けられた複数のベアリング３２によって弧状の外周面４１ａが支持されて水平面内での揺動が自在なノズルホルダ支持部材３３及びこのノズルホルダ支持部材３３によって水平軸ＣＸ回りに回転自在に支持されて側面にノズル２０ａを保持したノズルホルダ３４を有して成る。 （もっと読む）

【課題】 より最適に半導体ウエハ同士の接合を行うことができる基板張り合わせ方法を提供する。
【解決手段】 基板張り合わせ方法は、第１条件下で、第１基板（Ｗ１）と第２基板（Ｗ２）とのそれぞれ被加工領域毎（ＥＳ）に設定された計測点のうち、予め選択された所定数のサンプル計測点（ＳＡ）の位置を計測する計測工程（Ｐ１１、Ｐ１２）と、サンプル計測点の計測位置を演算パラメータとして統計演算を行い、第１基準マーク及び第２基準マークを基準としたそれぞれの被加工領域の配列のオフセットなどを算出する算出工程（Ｐ１３）と、第１条件とは異なる第２条件下で、第１基板及び第２基板に対して表面を活性化させる表面活性工程（Ｐ１５）と、第２条件下で、第１基準マーク及び第２基準マークを観察しながら、算出工程の算出結果に基づいて第１基板と第２基板とを重ね合わせる重ね合わせ工程（Ｐ１８、Ｐ１９）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】第２の金属膜を形成するためのめっき液が電極と反応することを抑制することができる半導体装置と、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１２の表面の一部に形成されている表面電極１４の外周縁部の表面を被覆する保護膜１６を形成する。保護膜１６の内周端面３０に複数個の凹部３２を形成する。表面電極１４のうち保護膜１６で被覆されていない部分の表面に第１の金属膜１８を形成する。第１の金属膜１８は、その一部が凹部３２の間に入り込んで形成される。次いで、第１の金属膜１８の表面に、第１の金属膜１８と異なる金属で第２の金属膜２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い機械的強度を得ることができると共に、塗布形状の保持性を高く得ることができるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】半導体素子２を基板３に実装して形成された半導体装置４に関する。室温で液状のエポキシ樹脂組成物１を前記半導体素子２の周囲又はその一部のみに塗布し硬化させることによって前記半導体素子２と前記基板３とが接着されている。前記半導体素子２と前記基板３との隙間の全体にわたって充填させないようにしている。前記エポキシ樹脂組成物１が、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材を含有する。前記無機充填材として、平均アスペクト比が２〜１５０の鱗片状無機物が、前記エポキシ樹脂組成物１全量に対して０．１〜３０質量％含有されている。前記エポキシ樹脂組成物１のチクソ指数が３．０〜８．０である。 （もっと読む）

【課題】過電流が流れた際に確実に電流を遮断することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】第１半導体部材１０と、第２半導体部材２０と、第１半導体部材１０と第２半導体部材２０とを一体的にモールドするモールド樹脂４０と、を備えた半導体装置１００であって、第１半導体装置１０の第１接続部１２ａと第２半導体装置２０の第２接続部２１ａとは、モールド樹脂４０から露出した位置において互いに対向して配置された対向部を有し、第１接続部１２ａと第２接続部２１ａにおける各対向部は、互いに電気的及び機械的に接続された接触部１２ａ１，２１ａ１と、互いに接触しておらず、互いに流れる電流の向きが逆方向となることで互いに斥力が働く非接触部１２ａ２，２１ａ２と、を含む。 （もっと読む）