【課題】単一のパワー半導体モジュールに例えば１２アームを搭載可能にコンパクトに実装するとともに、直流端子と交流端子のそれぞれの端子をモジュール端面にそれぞれ配置し、また、電力回路のインダクタンスを低く保つこと。
【解決手段】１枚の絶縁基板１０８上に２組の上アーム（１００，１０４と１０２，１０６）を絶縁基板上の上寄り左右に配置し、２組の下アーム（１０１，１０５と１０３，１０７）を絶縁基板上の下寄り左右に配置して、絶縁基板上の配線パターンとして、２組の上アームを第１の配線パターンＣ０１上に実装し、２組の下アームは第１の配線パターンの下に配置した第２、第３の配線パターンＣ０２，Ｃ０２上にそれぞれ実装して、第２、第３の配線パターンの間に第１の配線パターンＣ０１を延長し、その延長した端部に正極端子Ｔ０１からの配線を接続し、さらに、絶縁基板１０８を１モジュール中に３枚並置して実装して１２ｉｎ１モジュールの構成とすること。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンドの非有効エリアとされていた、傾斜部やビア上、ビアカバー上に安定に、かつ少ない接続面積でワイヤを接続できる半導体装置を提供する。
【解決手段】開口部と、開口部内に設けられたダイパッドと、開口部の周囲に設けられた傾斜部と、インナリードと、を有するパッケージと、第１の電極パッドを有し、かつ、ダイパッド上に搭載された半導体チップと、インナリードと第１の電極パッドとを接続する第１のワイヤと、を備え、インナリードの少なくとも一部は、傾斜部上に配置され、前記傾斜部上において、かつ、前記インナリード上には、第１の部材が配置され、前記第１の部材上には、前記第１のワイヤが接続されている半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ダウンホールモジュールで使用する接続信頼性の良好な電子アセンブリを提供する。
【解決手段】電子アセンブリ２００は、多層セラミックアセンブリと、多層セラミックアセンブリ上に配置される電子部品２４０とを有し、多層セラミックアセンブリは、セラミック基板２２０と、セラミック基板２２０上に配置されるニッケルめっき層と、ニッケルめっき層上に配置される０．５ミクロン未満の厚さを有する金めっき層と、を含み、電子部品２４０と金めっき層とは、アルミニウムワイヤでワイヤボンドされる。 （もっと読む）

【課題】ボイドを抑制して信頼性の高い半導体装置を製造することのできるフリップチップボンダー用アタッチメント及びステージを提供する。また、該フリップチップボンダー用アタッチメントによって半導体チップを対向基板に接合させる方法、及び、該フリップチップボンダー用アタッチメントを備えたアタッチメント−ヒーター複合体及びフリップチップボンダーを提供する。
【解決手段】突起状電極を有する半導体チップを保持して、前記半導体チップに熱及び圧力を伝え、封止樹脂を介して前記半導体チップを対向基板に接合させるためのフリップチップボンダーに用いられるアタッチメントであって、前記半導体チップから投影される部分の周辺部よりも内部のほうが、熱伝導率が低いフリップチップボンダー用アタッチメント。 （もっと読む）

【課題】空洞部の破壊を防ぐと共に、基板間の接続の信頼性を向上できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第１の基板は、第１の面と第２の面とを有する第１の基材と、第１の基材の第１の面側に設けられた犠牲層と、第１の基材の第１の面と第２の面との間を貫通する貫通電極と、貫通電極と第１の基材との間に設けられた絶縁膜と、を有する。第２の基板は、第３の面を有する第２の基材と、第２の基材の第３の面側に設けられたバンプと、第２の基材の第３の面側に設けられ、バンプを囲む環状導電部と、を有する。第２の面と第３の面とを対向させた状態で、貫通電極とバンプとを接続すると共に、第１の基板の周縁部を環状導電部に埋入させる実装工程と、実装工程の後で、犠牲層をエッチングして第１の基材の第１の面側に空洞部を形成するエッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】貫通ビアを用いた実装における端子間のショートや実装精度の低下を防止する。
【解決手段】半導体チップ８８の貫通ビア８６の上に、他の半導体チップ１０１を実装する。半導体チップ１０１のバンプ１０３は、４つの貫通ビア８６で囲まれた領域に導かれて接合される。各貫通ビア８６は、バンプ１０３に面する側面及び上面の保護膜３１がエッチングによって除去されており、バンプ１０３のハンダ材料への濡れ性が保護膜３１で覆われた領域よりも良好になっている。このために、ハンダ材料のはみ出しによる他の電極との間のショートが防止される。さらに、１つのバンプ１０３に複数の貫通ビア８６からなる接続端子を配置するので、バンプ１０３に確実に接合できる。 （もっと読む）

【課題】球状体の搭載位置と目標搭載位置との位置ずれによる不良品の発生を低減する。
【解決手段】球状体を吸着する吸着ヘッド１１と、基板４００を支持すると共に支持状態の基板４００の位置を変更可能に構成された基板搬送部４と、球状体を吸着している吸着ヘッド１１を移動させて基板４００の目標搭載位置に球状体を搭載する搭載処理を実行する搭載部３と、基板搬送部４および搭載部３を制御する制御部と、球状体が搭載された基板４００の撮像画像に基づいて球状体の搭載状態の良否検査を実行する検査部とを備え、制御部は、良否検査に用いた撮像画像に基づいて球状体の搭載位置と目標搭載位置との位置ずれを補正するための補正値を特定すると共に、良否検査の以後に実行する搭載処理において、基板搬送部４による基板４００の位置の変更量および搭載部３による吸着ヘッド１１の移動距離を補正値に基づいて増減させて位置ずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】接着フィルムと半導体ウエハとを貼り合わせる際のボイドを抑制し、高い接合信頼性を実現することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接着フィルムの接着剤層と半導体ウエハとを１ｃｍ以下のクリアランスで対向させる工程と、５０〜１００℃、１００００Ｐａ以下の加熱真空下、前記接着フィルムの接着剤層と前記半導体ウエハとを０．１〜１ＭＰａの圧力で貼り合わせる工程と、接着剤層付きの半導体ウエハを得る工程と、前記接着剤層付きの半導体ウエハを接着剤層付きの半導体チップに個片化する工程と、前記接着剤層付きの半導体チップを実装する工程とを有し、前記接着フィルムの接着剤層は、半導体ウエハに貼り合わされる側の表面のプローブタック法で測定したタック値が、貼り合わせ温度において１００ｇｆ／５ｍｍφ以上である半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 金属バンプを介した容器と圧電振動素子や電子部品素子との接合信頼性を向上させた圧電振動デバイスと当該圧電振動デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 水晶発振器１は、水晶振動素子３と集積回路素子４を容器２に収容し、容器２に蓋５を接合することにより、水晶振動素子３および集積回路素子４を気密に封止した構成となっている。容器２の内底面２２には凹部を有する電極パッド１０が形成され、集積回路素子４の接続端子上には断面視凸状の金属バンプＢが配され、金属バンプＢの一部が前記凹部の壁面に対応するように埋入した状態で集積回路素子４と容器２とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】上下電極の短絡を防止し、かつ高温環境下であっても優れた接合信頼性を確保した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ペレットと、前記半導体ペレット１の一方の面に接合される絶縁シート７と、前記半導体ペレットの他方の面と接合される金属板１３と、を備える半導体装置３００であって、前記絶縁シートは、前記半導体ペレットにおける外周部よりも突出しており、前記半導体素子の他方の面と、前記金属板とは焼結銀層１７を介して接続され、当該焼結銀層は、前記半導体ペレットの他方の面及び側面部を覆って接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）