【課題】基材と電極間の密着性を向上させた静電チャック、及びそのような静電チャックの製造に有用な静電チャックの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化イットリウムからなるセラミック基材１１、この基材に設けられた電極１２とを備えた静電チャック１０であって、前記基材は、粒界相にカルシウム、マグネシウム及びストロンチウムの群から選ばれる少なくとも１種の元素を含む酸化イットリウムを有し、前記電極は、白金と、粒界相にカルシウム、マグネシウム及びストロンチウムの群から選ばれる少なくとも１種の元素を含む酸化イットリウムとを有し、かつ前記基材における前記カルシウム、マグネシウム及びストロンチウムの群から選ばれる少なくとも１種の元素の酸化イットリウムに対する質量割合は、前記電極における前記カルシウム、マグネシウム及びストロンチウムの群から選ばれる少なくとも１種の元素の酸化イットリウムに対する質量割合より小さい。 （もっと読む）

【課題】成膜工程における背板の着脱作業を解消し、基板の面の温度を均一に昇温することが容易であり、効率のよい薄膜の化学蒸着を可能にすることができる基板保持部材及び薄膜の製造方法を提供することである。
【解決手段】凹部５及びシール部材３１等によって、基板密着面とガラス基板２０の一方の面の略全面を密着した状態で保持することが可能であり、ガラス基板２０を保持した状態のまま走行装置によって化学蒸着室内に導入可能であり、炭素繊維強化炭素複合体によって形成される基板保持部材１を提供する。 （もっと読む）

【課題】不良デバイスの発生を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持部に搬送された基板に対して第１手順に対応した第１処理を実行する基板処理方法は、保持部に搬送された基板の歪みに関する情報を検出することと、歪みに関する情報に基づいて、基板に対して第１処理と異なる第２処理の要否を判断することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを含む熱伝導体によって、被熱処理体に、熱を均一かつ安定して伝導すること。
【解決手段】金属触媒８が外周面に被覆された複数の円筒部Ｔ１〜Ｔ３と、金属触媒が非被覆の円筒部Ｔ４を、円板状基板１面に略垂直かつ同心円状かつ入れ子状に配置して熱伝導体用構造体を得た後、この熱伝導体用構造体を、ＣＶＤ用真空チャンバ内に配置する。そして、ＣＶＤ法によってカーボンナノチューブ前駆体である炭素材を前記金属触媒８上に形成し、それと同時に熱伝導体用構造体のラジアル方向に電場及び／又は磁場を印加する（参照符号９Ａ、９Ｂが電極又は磁極を指す）。その結果、多数本のカーボンナノチューブＣＮＴが、円筒部Ｔ１〜Ｔ３の外周からラジアル方向に向けて配向・成長し、かつ、鉛直方向に形成されたサセプタ１０（熱伝導体）を得る。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で検査用ワークを適確に収納することができるとともに、検査用ワークの出し入れが容易なカセットを提供する。
【解決手段】１枚のウェーハ付きフレーム５を収納する複数のスロット１１４と、スロット１１４にオペレータがウェーハ付きフレーム５を出し入れするための開口部１１１と、スロット１１４に収納されるウェーハ付きフレーム５のスロット１１４への挿入方向の先端を係止する背面板１０４とを有するウェーハ収納部１１０の上部に、ウェーハ付きフレーム５を上方から出し入れ可能とする仮置き部１２０を設け、この仮置き部１２０に検査用ウェーハ１Ａを有するウェーハ付きフレーム５を上方から出し入れする。 （もっと読む）

【課題】液状樹脂の供給量を少なくしてもウエーハの表面に均一な保護膜を形成することができる保護膜被覆方法および保護膜被覆装置を提供する。
【解決手段】レーザー加工すべきウエーハの表面１０ａに保護膜を形成する方法であって、スピンナーテーブル７１１にウエーハを保持する工程と、ウエーハの表面１０ａを覆う水の層１００を形成する工程と、ウエーハ１０の中心部に液状樹脂１１０を滴下する工程と、スピンナーテーブル７１１を回転し働く遠心力により水の層１００を飛散させ、液状樹脂１１０を拡張してウエーハの表面１０ａに第１の樹脂膜を被覆する工程と、第１の樹脂膜が被覆されたウエーハ１０の中心部に液状樹脂１１０を滴下する工程と、スピンナーテーブル７１１を回転し遠心力により液状樹脂１１０を第１の樹脂膜に沿って外周に向けて流動せしめることにより第２の樹脂膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】被処理体を直接的に載置する熱分散板の耐久性を向上させて破損し難くし、接続端子が腐食されないようにすることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】排気が可能になされた処理容器３２内に設けられて処理すべき被処理体Ｗを載置するための載置台構造において、被処理体を加熱する加熱手段７２が設けられた載置台本体７４と、載置台本体上に設けられると共に、その上面に被処理体を載置する熱分散板７６と、載置台本体内に設けられた電極７８と、載置台本体を支持するために処理容器の底部より起立された筒体状の支柱７０と、支柱内に挿通されると共に上端部が加熱手段に接続されたヒータ給電部材１１０（１１０Ａ〜１１０）と、支柱内に挿通されると共に上端部が電極に接続された電極給電部材１１２とを備えたことを特徴とする載置台構造である。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダにおける基板載置面の平面度を迅速に調整する。
【解決手段】基板ステージＰＳＴは、基板ホルダＰＨの下面を押圧して基板ホルダＰＨの上面を上方に押し上げる押しネジ８１と、基板ホルダＰＨを微動ステージ２１に引き寄せることにより基板ホルダＰＨの上面をへこませる引きネジ８２と、を含むネジユニット８３を複数有している。従って、基板ホルダＰＨ上面の平面度の計測と並行して、その複数のネジユニット８３を適宜用いて基板ホルダＰＨの平面度を調整できる。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を未然に抑制し、且つ、処理対象物を安定的な保持状態に維持させる。
【解決手段】高周波電力によってプラズマを発生させるプラズマ発生機構（例えば、一対の対向電極１１、１２及び高周波電源２）を備える。処理対象物（例えば、半導体ウェハ４）を静電吸着力によって保持する静電チャック５と、静電チャック５に静電吸着用直流電圧を印加する直流電圧印可部（直流電源３）を備える。処理対象物の自己バイアス電位を検知する電位検知部（例えば、振幅検出部６及び演算部７）と、自己バイアス電位と静電吸着用直流電圧との差が所定範囲となるように静電吸着用直流電圧を制御する直流電圧制御部（制御部８）を備える。 （もっと読む）

【課題】処理条件の異なる複数の被処理基板に対し、それぞれ処理液の乾燥時間を短縮し、且つ良好な膜形成を行うことのできる減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｇを収容し、処理空間を形成するチャンバ９，１０と、前記チャンバ内に設けられ、前記被処理基板を保持する保持部１１と、前記保持部を昇降移動させる第１の昇降手段２５と、前記保持部の下方に設けられた整流手段２０，２１と、前記整流手段を昇降移動させる第２の昇降手段２６と、前記チャンバ内に形成された排気口１３と、前記排気口からチャンバ内の雰囲気を排気する排気手段１５とを備える。 （もっと読む）