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国際特許分類[H01L21/683]の内容

国際特許分類[H01L21/683]の下位に属する分類

機械的手段を使用するもの,例.チャック,クランプ,またはピンチ

国際特許分類[H01L21/683]に分類される特許

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処理中にウエハ寸法を有するウエハを保持するための方法及び装置であり、真空チャックは、ウエハを密着させるように形成された凹状のウエハプラテンを備え、ウエハに高圧が印加された時にそれらの示唆にシールを提供する。ウエハプラテンは、ウエハと真空チャックの間に物質が入るのを防止する。ウエハプラテンには、ウエハの下側に真空を印加するための溝が形成されている。プラテンに形成されたプリーナムは、ウエハと真空チャックの間に所定時間量だけ圧力を提供し、真空チャックがウエハの係合を解く。
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加工物は、処理中、加工物への機械的ストレスを減じるためにガスクッションによって支持される。加工物を受け入れる加工物支持フランジを有するプレナムは、ガス供給源に接続されている。ガスがプレナム内に流れて、加工物を持ち上げるのに十分な圧力が増加すると、加工物は、持ち上げられ、そして、支持フランジと加工物エッジとの間のプレナムからガスが流れる。その結果、加工物は、処理中、ガスによって支持フランジ上方で支持される。 (もっと読む)


本発明は、半導体基板をクランプしかつこれに関連した熱伝達を制御するための半導体処理装置及び方法を提供する。本発明の1つの構成によれば、多極静電チャック及びその方法は、チャック表面間に、制御されかつ均一の熱伝達係数を与えるように構成されている。この多極静電チャックは、ギャップを形成する複数の突起を有する半導体プラットフォームを含み、前記ギャップの距離または深さは、均一であって、冷却ガスの平均自由行路に関係する。静電チャックは、複数のギャップ内における冷却ガスの背面圧力を調整して、冷却ガスの熱伝達係数を制御する。複数の突起は、さらに、均一な接触表面を有し、複数の突起と基板との間の接触伝導率は、基板間で制御可能でかつ均一である。 (もっと読む)


本発明は、半導体ウエハや液晶基板などの基板を回転させながら、薬液処理、洗浄処理、乾燥処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。本発明はまた、半導体ウエハなどの基板を回転させながら保持する基板保持装置に係り、特に、洗浄装置やエッチング装置などに好適に使用される基板保持装置に関する。本発明の基板処理装置は、基板を回転保持する基板保持部を有し、基板を回転させて基板に流体を供給して処理を行い、前記基板保持部には前記流体を吸引する保持部吸引部が配置されている。また、本発明の基板保持装置は、基板の端部に当接して該基板を回転させる複数のローラを備え、複数のローラは基板の半径方向に沿って移動する。

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各種ウェハ処理分野に使用される現在の最高技術水準のホルダに勝る製造及び性能利点を有する改善されたウェハホルダ設計を開示する。このウェハホルダには、一連の短い半径方向溝が組み込んである。溝は環状チャンネルの基部から延び、このチャンネルはウェハ寸法と肉厚に基づき変化する固定された半径方向位置へ基部ウェハ凹部の外径沿いに延びている。この溝がウェハに対し若干の重複を備え、ウェハの着脱操作に必要なウェハ下側での自由なガス交換を容易にしている。半径方向溝の短い長さが、ウェハホルダをより簡単に製造させ、現在の最高技術水準のホルダに比べより優れた性能を提供する。 (もっと読む)


ウェーハスケール処理、例えば、ダイヤモンドプレートの上に電子又は他の装置構造体を製造する時のウェーハスケール処理をするのに適したダイヤモンドプレートのタイル張り状配列体である。ダイヤモンドプレートを、支持層、好ましくは多結晶質ダイヤモンド支持層に固定し、それぞれの固定されたダイヤモンドプレートの主要表面の少なくとも一つが、更に処理するために露出された製造表面を定めるように、実質的に平面状の配列として固定する。支持層は裏打層でもよく、その場合、ダイヤモンド基体の主要面のただ一つだけが更に処理するため露出されており、或いは支持層は、両方の主要表面が更に処理するため露出されるように、それぞれのダイヤモンド基体の間に伸びていてもよい。 (もっと読む)


プラズマ処理装置に用いられる基板支持体であって、金属熱伝達部材と、基板支持表面を有した上に位置する静電チャックと、を備える。前記熱伝達部材は、当該熱伝達部材に加熱及び冷却の少なくとも一方を行うために、それを通して液体が循環される少なくとも1つの流路を含む。前記熱伝達部材は、小さい熱質量を有し、プラズマ処理の間に、前記基板温度を急激に変化させるように、前記液体によって所望の温度に急激に加熱及び/又は冷却されうる。
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処理チャンバ内にワークピースを支持する装置が設けられ、その装置は、ワークピースを支持する表面を有する第1の「ホット・チャック」を有し、そのホット・チャックは当該ホット・チャックを加熱する電気的な加熱要素を含んでおり、当該装置はまた熱伝導流体を循環させるためにそこに形成された流路を有する第2の「コールド」チャックを有する。ホット・チャックとコールド・チャックとの間の熱伝達の比率を変化させるために、コールド・チャックはホット・チャックに向けてまたはホット・チャックから離れて選択的に移動可能である。
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【課題】
【解決手段】チャンバ内の流体の流れと流体の圧力とを可変に制御することを可能にするチャンバが提供されている。そのチャンバは、チャンバ内の内部容器内の流体の流れと流体の圧力とを制御するよう構成可能である着脱可能なプレートを用いる。また、着脱可能なプレートは、チャンバ内の内部容器をチャンバ内の外部容器と分離するために用いられてもよい。さらに、そのチャンバで用いるためのウエハ固定装置が提供されている。ウエハ固定装置は、ウエハの上面と下面との間の圧力差を用いて、ウエハ下面に接触するウエハ支持構造に向かってウエハを引っ張ることにより、動かない状態にウエハを固定して維持する。さらに、高圧チャンバの構成が提供されている。 (もっと読む)


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