説明

国際特許分類[H01L21/76]の内容

国際特許分類[H01L21/76]の下位に属する分類

PN接合 (106)
誘電体領域 (749)
多結晶半導体領域
空隙 (98)
電界効果によるもの

国際特許分類[H01L21/76]に分類される特許